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          英飛凌CoolSiC?器件為臺(tái)達(dá)雙向逆變器提供助力,讓電動(dòng)汽車化身家庭應(yīng)急備用電源

          作者: 時(shí)間:2022-08-01 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的?產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用,使得臺(tái)達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標(biāo)邁出了一大步。臺(tái)達(dá)成功開發(fā)出了,即一個(gè)由太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(EV)充電組成的三合一混合系統(tǒng),它能夠?qū)㈦妱?dòng)汽車作為家庭應(yīng)急

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202208/436904.htm

           

          這款可用于為電動(dòng)汽車(EV)和家用電池充電,還能作為意外停電時(shí)的,以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該搭載了的1200 V M1H ? EasyPACK? 1B模塊和采用 D2PAK -7L,7引腳封裝的1200 V ? MOSFET(一種表面貼裝器件)。它將三個(gè)應(yīng)用整合在一起,在一個(gè)尺寸僅為425 x 865 x 160mm的緊湊封裝中實(shí)現(xiàn)了三合一系統(tǒng)的設(shè)計(jì),具有重要的里程碑意義。該系統(tǒng)的輸出功率約為10 kW,允許通過(guò)的最大連續(xù)電流為34 A,峰值效率可以超過(guò)97.5%。

           

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          CoolSiC? MOSFET Easy 1B

           

          臺(tái)達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示:“多年來(lái)一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展,致力于進(jìn)一步提高電源管理效率,是一個(gè)值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件,我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個(gè)系統(tǒng)中,向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步。”

           

          英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示:“該項(xiàng)目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑,我們十分榮幸能夠成為該項(xiàng)目的重要參與者。我們期待著臺(tái)達(dá)能夠與英飛凌長(zhǎng)期合作。英飛凌的功率半導(dǎo)體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用,對(duì)此我們深感自豪?!?/p>

           

          創(chuàng)建這套三合一系統(tǒng)用到的重要組件包括:帶有NTC溫度傳感器、采用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊(F4-23MR12W1M1_B11)。該模塊可提供超高的設(shè)計(jì)靈活性和高電流密度。同時(shí),該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù),與CoolSiC? MOSFET配合使用,實(shí)現(xiàn)了低電感設(shè)計(jì)以及極小的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。它支持客戶實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率設(shè)計(jì),可以讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)得更加小巧。EasyPACK?模塊能夠幫助客戶縮短新產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間,降低總體成本。

           

          該系統(tǒng)還采用了英飛凌的其他幾款半導(dǎo)體器件,其中包括采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件,以及采用D2PAK -7L,7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET(IMBG120R350M1H)。后者采用.XT互連技術(shù),具有與同類產(chǎn)品相比更加出色的熱性能,并且采用了開爾文源極概念。這些功率器件憑借其優(yōu)勢(shì)確保了極低的開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。

           

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          CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin

           

          SiC MOSFET提供3 μs的短路能力,并且MOSFET提供全壓擺率(dV/dt)控制以及4.5 V基準(zhǔn)柵極閾值電壓(VGS(th))。它們還具備強(qiáng)大的抗寄生導(dǎo)通能力,可在0 V關(guān)斷電壓下運(yùn)行。此外,這些MOSFET還包含支持硬換流的強(qiáng)大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對(duì)流冷卻功能的PCB上,因此無(wú)需額外的散熱器。

           




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