臺積電2nm預計2025年量產
據臺媒《經濟日報》報道,晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產,市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202209/438111.htm臺積電先進制程進展順利,搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產,升級版3nm(N3E)制程將于3nm量產一年后量產,即2023年量產。先進封裝部分,首座全自動化3DFabric晶圓廠預計于2022年下半年開始生產。
雖然在3nm世代略有保守,但無論如何,FinFET寬度都已經接近實際極限,再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構生產2nm芯片。
臺積電2nm廠將落地竹科寶山二期擴建計劃,“竹科管理局”已展開公共設施建設,臺積電2nm廠也開始進行整地作業(yè)。
臺積電2nm首次采用納米片架構,相較N3E制程,在相同功耗下頻率可提升10%至15%。在相同頻率下,功耗降低25%至30%。臺積電總裁魏哲家日前在技術論壇中強調,臺積電2nm將會是密度最優(yōu)、效能最好的技術。
此前消息稱,將在2024年取得ASML下世代極紫外光微影設備(high-NA EUV),為客戶發(fā)展相關的基礎設施與架構解決方案。臺積電業(yè)務開發(fā)資深副總經理張曉強則表示,2024年取得設備后,初期主要用于與合作伙伴共同研究,尚不會量產。
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