MOS管的Miller 效應(yīng)
本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202210/438972.htm01 Miller效應(yīng)
一、簡(jiǎn)介
MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中,延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形??梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個(gè)平坦的小臺(tái)階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來(lái)的 MOS 管驅(qū)動(dòng)電壓波形的變化。
圖1.1.1 LTspice仿真ZVS振蕩器電路圖
圖1.1.1 ZVS振蕩電路MOS管柵極電壓波形
二、仿真波形
為了說(shuō)明 MOS 管的 Miller 效應(yīng),下面在 LTspice 中搭建了最簡(jiǎn)單的 MOS 管開(kāi)關(guān)電路。
圖1.2.1 MOS管開(kāi)關(guān)電路
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下面給出了 MOS 管 M1 的漏極與柵極電壓波形,可以清楚的看到柵極電壓在上升與下降階段都出現(xiàn)了小臺(tái)階。
圖1.2.2 Miller效應(yīng)仿真結(jié)果 R1=5kOhm
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為了分析臺(tái)階產(chǎn)生的過(guò)程, 下圖給出了仿真電路中 MOS 管的柵極電壓與電流波形。
圖1.2.3 MOS管柵極電壓與電流波形
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可以看到 MOS 管柵極電流包括三個(gè)階段:
● 階段1:柵極電壓快速上升,電流呈現(xiàn)先快后慢的電容充電過(guò)程;
● 階段2:柵極電壓呈現(xiàn)平臺(tái),電流急劇線性增加;
● 階段3:柵極電壓與電流都呈現(xiàn)電容充電過(guò)程;
圖1.2.4 MOS管導(dǎo)通過(guò)程的三個(gè)階段
三、Miller 原理說(shuō)明
下圖是一般 MOS 管三個(gè)電極之間的分布電容示意圖。其中:Cgs稱(chēng)為GS寄生電容,Cgd稱(chēng)為GD寄生電容,輸入電容Ciss=Cgs+Cgd,輸出電容Coss=Cgd+Cds,反向傳輸電容Crss=Cgd,也叫米勒電容。
圖1.3.1 MOS管分布電容
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米勒效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)拙褪敲桌针娙?,米勒效?yīng)指其輸入輸出之間的分布電容Cgd在反相放大的作用下,使得等效輸入電容值放大的效應(yīng),米勒效應(yīng)會(huì)形成米勒平臺(tái)。
上面描述柵極電壓、電流變化三個(gè)階段分別是:
● 階段1:柵極電壓從 0V 開(kāi)始增加到 MOS 管導(dǎo)通過(guò)程。在此過(guò)程中, Miller 電容不起作用,是驅(qū)動(dòng)電壓通過(guò)柵極電阻給 Cgs 充電過(guò)程;
● 階段2:MOS 管導(dǎo)通,使得 MOS 管漏極電壓下降,通過(guò) Miller 電容將柵極充電電流吸收到漏極,造成 Cgs 充電減小,形成電壓平臺(tái);
● 階段3:Miller 電容充滿(mǎn),柵極電流向 Cgs, Cgd 充電,直到充電結(jié)束。
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那米勒效應(yīng)的缺點(diǎn)是什么呢?下圖顯示了在電感負(fù)載下,由于 Miller 效應(yīng) MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程明顯拉長(zhǎng)了。MOS管的開(kāi)啟是一個(gè)從無(wú)到有的過(guò)程,MOS管D極和S極重疊時(shí)間越長(zhǎng),MOS管的導(dǎo)通損耗越大。因?yàn)橛辛嗣桌针娙?,有了米勒平臺(tái),MOS管的開(kāi)啟時(shí)間變長(zhǎng),MOS管的導(dǎo)通損耗必定會(huì)增大。
圖1.3.2 MOS管在電感負(fù)載下的電流電壓圖
四、消除Miller效應(yīng)
首先我們需要知道的一個(gè)點(diǎn)是:因?yàn)镸OS管制造工藝,必定產(chǎn)生Cgd,也就是米勒電容必定存在,所以米勒效應(yīng)不可避免。在上述 MOS 開(kāi)關(guān)電路中,徹底消除Miller 效應(yīng)是不可能的。但可以通過(guò)減少柵極電阻 Rg來(lái)減少 Miller 效應(yīng)的 影響。下圖是將柵極電阻 Rg 減少到 100Ω,可以看到柵極電壓中的 Miller 平臺(tái)就變得非常微弱了。
圖1.3.4 減少M(fèi)OS管柵極電阻 Rg=100Ω對(duì)應(yīng)的柵極電壓與電流波形
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MOS管的開(kāi)啟可以看做是輸入電壓通過(guò)柵極電阻R1對(duì)寄生電容Cgs的充電過(guò)程,R1越小,Cgs充電越快,MOS管開(kāi)啟就越快,這是減小柵極電阻,米勒平臺(tái)有改善的原因。
五、利用Miller效應(yīng)
MOS 管的 Miller 也不是一無(wú)是處,也可以利用 Miller 效應(yīng),實(shí)現(xiàn)電路緩啟動(dòng)的目的。認(rèn)為的增加 MOS 管的柵極電阻,并在 MOS 管的漏極與柵極之間并聯(lián)大型電容,可以人為拉長(zhǎng) Miller 臺(tái)階。
在下面電路中,認(rèn)為的增加了柵極電阻和漏極和柵極之間的并聯(lián)電容,這樣就可以大大延長(zhǎng) Miller臺(tái)階的過(guò)程。輸出的波形形成了一個(gè)三角脈沖的形式。
圖1.5.1 人為增加?xùn)艠O電阻和漏柵極之間的電容
圖1.5.2 人為拉長(zhǎng) Miller 臺(tái)階過(guò)程
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下面電路是利用了 PMOS 管上的 Miller 電容,實(shí)現(xiàn)了輸出電壓的緩啟動(dòng),是用于一些電源上升速率有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。
圖1.5.3 利用PMOS的Miller 效應(yīng)完成電源的緩啟動(dòng)
總結(jié)
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本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。
來(lái)源:TsinghuaJoking,卓晴
參考資料
[1] ZVS振蕩電路工作原理分析: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/126400671
評(píng)論