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          Vishay推出新型EMIPAK 1B封裝二極管和MOSFET功率模塊,為車載充電應用提供完整解決方案

          —— 靈活的器件采用PressFit引腳壓合技術,在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置
          作者: 時間:2022-11-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          賓夕法尼亞、MALVERN20221124日前, Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,針對應用專門推出七款新型MOSFET功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用PressFit引腳壓合專利技術,將高效快速體MOSFETSiC、FRED Pt?MOAT技術結合在小型EMIPAK 1B封裝中。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202211/440814.htm

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          日前發(fā)布的 Semiconductors器件具有應用AC/DC、DC/DCDC/AC轉換所需的各種電路配置,包括輸入/輸出橋、全橋逆變器和功率因數(shù)校正(PFC),適用于各種額定功率。模塊符合AQG-324汽車標準,可為電動(EV)和混合動力(HEV)汽車以及電動自行車、農(nóng)業(yè)機械、鐵路車輛等提供完整解決方案。

           

          器件EMIPAK封裝采用矩陣式方法,在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。與分立式解決方案相比,有助于提高功率密度,同時可在工業(yè)和可再生能源應用不同功率級靈活使用每種模塊,適用于焊接、等離子切割、UPS、太陽能逆變器和風力發(fā)電機等。

           

          器件的AI2O3直接敷銅(DBC)襯底改進了熱性能,經(jīng)過優(yōu)化的布局有助于減小雜散電感,提高EMI性能。模塊PressFit引腳壓合技術便于PCB安裝并減少襯底機械應力,而無底座結構減少了需要焊接的接口提高可靠性。

           

          器件配置表:

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          提供全系列硅技術功率模塊,包括SiSiC二極管、 晶閘管、IGBT MOSFET 以及電容器、分流器、NTCPTC熱敏電阻等被動元件。器件可用來配置各種拓撲結構,包括標準焊接引腳和PressFit端子,適用于廣泛功率范圍。功率模塊符合工業(yè)標準,可加以定制滿足特定應用要求,具有高度靈活性和成本效益,有助于設計人員加快產(chǎn)品上市速度并提高整體系統(tǒng)性能。

           

          新型功率模塊現(xiàn)可提供樣品。量產(chǎn)供貨周期為26周。



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