SABIC全新LNP? KONDUIT?改性料具有出色的耐高溫性和流動(dòng)性，可用于復(fù)雜設(shè)計(jì)的DDR內(nèi)存芯片測試插座

荷蘭貝亨奧普佐姆，2022年12月6日——全球多元化化工企業(yè)沙特基礎(chǔ)工業(yè)公司（SABIC）今天推出了LNP^? KONDUIT^? 8TF36E改性料。這是一款新型特種材料，可使用于雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存集成電路（ICs）應(yīng)力測試的老化測試插座 (BiTS)，可滿足測試期間嚴(yán)苛的性能要求。隨著DDR集成電路引腳數(shù)量增加、測試溫度上升、尺寸不斷縮小，BiTS組件對于材料的性能要求也越來越高。SABIC的這款全新改性料具有極高的流動(dòng)性，有助于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜、小型化的BiTS設(shè)計(jì)；其出色的尺寸穩(wěn)定性和耐高溫性可在測試過程中提高BiTS的性能表現(xiàn)；而其高導(dǎo)熱能力有助于測試后迅速散熱。

與導(dǎo)熱填充尼龍等現(xiàn)有材料相比，LNP KONDUIT 8TF36E改性料具有更高的流動(dòng)性和更好的尺寸穩(wěn)定性，有望全方位滿足客戶對于材料性能的各種要求。

SABIC LNP和NORYL業(yè)務(wù)總監(jiān)趙藩籬(Joshua Chiaw)表示：“依賴高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠嚭驮朴?jì)算系統(tǒng)等非電腦和移動(dòng)設(shè)備中的應(yīng)用日益廣泛，DDR內(nèi)存集成電路的需求穩(wěn)步增長。為了滿足對未來幾代DDR集成電路的測試需求，老化測試插座需要更高性能的新材料解決方案——SABIC正在努力填補(bǔ)這一空白。對高性能材料的持續(xù)研發(fā)也彰顯了我們對半導(dǎo)體行業(yè)的堅(jiān)定承諾?！?/span>

提高測試插座性能

DDR內(nèi)存集成電路能在每一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，顯著加快了數(shù)據(jù)傳輸速度，從而滿足游戲、人工智能等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的高通量需求。這項(xiàng)技術(shù)給測試插座制造商帶來了更大的挑戰(zhàn)，要求其產(chǎn)品必須適應(yīng)更高的電壓和溫度環(huán)境、越來越小的外形尺寸和更多的引腳。因此，用于DDR 內(nèi)存集成電路的BiTS設(shè)計(jì)需要具有高精度、高耐久性和可操作性。

LNP KONDUIT 8TF36E改性料具有高流動(dòng)性，有助于實(shí)現(xiàn)多引腳點(diǎn)的小型化和復(fù)雜設(shè)計(jì)。在測試過程中，它可以輕松承受150°C的典型測試溫度，同時(shí)保持良好的尺寸穩(wěn)定性，提高測試準(zhǔn)確性。這種耐高溫特性未來有望使BiTS在不進(jìn)行降解的情況下被重復(fù)利用。

此外，LNP KONDUIT 8TF36E改性料可以耐受高達(dá)260°C的極端高溫，為將來BiTS更高的溫度環(huán)境奠定基礎(chǔ)。為了實(shí)現(xiàn)測試后的快速散熱，這款新材料還具有高達(dá)4.5W/m.k的高熱導(dǎo)率。

SABIC的這款全新改性料可使用于BiTS組件中的鎖扣和適配器等固定結(jié)構(gòu)件。

SABIC亞太區(qū)配方與應(yīng)用總監(jiān)王勤（Jenny Wang）表示：“內(nèi)存芯片技術(shù)的進(jìn)步對BiTS提出了新的要求。隨著DDR內(nèi)存集成電路功率的增加，溫度控制對于驗(yàn)證BiTS系統(tǒng)中所有器件在可靠性測試中，是否受到一致的應(yīng)力至關(guān)重要。我們的新型LNP KONDUIT材料實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有材料無法企及的性能表現(xiàn)——除了優(yōu)異的導(dǎo)熱性，它還提供了有助于測試成功的其他關(guān)鍵特性?！?/span>

全新LNP KONDUIT 8TF36E改性料目前已在全球上市。