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          如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

          作者: 時(shí)間:2023-03-09 來源:英飛凌 收藏

          尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上,就不需要拋硬幣了。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202303/444195.htm


          模塊中,芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加,進(jìn)而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計(jì)來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。


          作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? 7技術(shù)的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊,該模塊針對(duì)通用驅(qū)動(dòng)(GPD)、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛(CAV)、不間斷電源(UPS)和太陽能等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。


          更小的芯片帶來的散熱挑戰(zhàn)


          與以前的 4技術(shù)相比,1200V TRENCHSTOP? IGBT 7中功率芯片的技術(shù)特點(diǎn)是芯片縮小了約30%。一般來說,越小越好,但對(duì)一個(gè)相同電流等級(jí)的模塊,更小的芯片意味著從相同的芯片面積中流過更多的電流。這導(dǎo)致了從芯片結(jié)到散熱器的熱阻抗增加。為了補(bǔ)償,你可以使用高導(dǎo)電性的基板材料,改善基片與散熱器的接觸,或使用高導(dǎo)電性的熱界面材料。然而,這種材料會(huì)導(dǎo)致更高的成本,所以它們往往不是設(shè)計(jì)者的首選。


          每個(gè)人都喜歡免費(fèi)的東西,不是嗎?因此,讓我們把注意力轉(zhuǎn)移到基板上的“免費(fèi)”空間??s小30%的芯片使基板上有更多的可用空間?,F(xiàn)在,我們?nèi)绾卫眠@些新釋放出來的空間來改善熱阻抗?


          在EconoDUAL? 3這樣的中等功率模塊中,多個(gè)芯片并聯(lián)使用,以實(shí)現(xiàn)高模塊電流。由于并聯(lián),多芯片間存在熱耦合。來自兩個(gè)芯片的熱鋒在模塊的某一點(diǎn)上重疊,這導(dǎo)致兩個(gè)芯片的有效耦合面積減少(圖1)。


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          圖1:簡化的模塊橫截面顯示了兩個(gè)芯片的熱量擴(kuò)散和熱量重疊與芯片距離的關(guān)系。熱量從芯片1流經(jīng)直接鍵合的銅基板(DBC)、底板、TIM,并進(jìn)入散熱器。


          優(yōu)化IGBT模塊布局,提高熱性能


          帶有銅底板的模塊對(duì)芯片之間的距離依賴性較小,因?yàn)殂~底板為散熱器提供了一個(gè)厚實(shí)、高傳導(dǎo)性的熱路徑。然而,與其他優(yōu)化模塊布局的步驟相結(jié)合,芯片的位置可以產(chǎn)生重大影響。


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          圖2:在不同的芯片放置和DBC設(shè)計(jì)下,EconoDUAL? 3封裝的散熱層中的模擬溫度分布


          在圖2中,你可以看到芯片放置在兩個(gè)具有相同熱堆的EconoDUAL? 3模塊布局上的差異。除了優(yōu)化芯片的位置外,直接鍵合銅基板(DBC)的布局也會(huì)產(chǎn)生影響。通過在模塊布局V2中使用三個(gè)較小的DBC--而不是V1中的兩個(gè)較大的DBC,底板可以被優(yōu)化,具有較低的彎曲度,從而改善與散熱器的熱接觸。


          為了了解芯片縮小、模塊布局和DBC如何結(jié)合起來影響整體熱阻抗(Rth,jh),我們測量了它們對(duì)各種IGBT 4和IGBT 7模塊布局的影響。在圖3的第二列(IGBT7,模塊布局V1,DBC #1),你可以看到,通過簡單地縮小芯片尺寸而不對(duì)布局做任何改變,IGBT的Rth,jh增加了大約20%。


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          圖3:與前一代IGBT 4模塊相比,通過模塊布局、腔體優(yōu)化和DBC厚度對(duì)Rth,jh的改進(jìn)


          我們?cè)诘谌龣谥懈M(jìn)一步(IGBT7,模塊布局V2,DBC #1),顯示了將模塊的內(nèi)部布局從2個(gè)DBC改為3個(gè)DBC的影響,如圖2所示。這表明,通過模塊布局,30%的芯片面積減小,僅使IGBT結(jié)-散熱器Rth,jh增加了10%(IGBT7,模塊布局V2,DBC #1)


          為了適應(yīng)需要更高的隔離電壓的應(yīng)用,可以增加DBC陶瓷的厚度。圖3的最后一欄(IGBT7,模塊布局V2,DBC #2)代表了具有更厚陶瓷基板的新設(shè)計(jì):已經(jīng)上市的1200V TRENCHSTOP? IGBT 7。


          來源:Jan Baurichter,



          關(guān)鍵詞: 英飛凌 IGBT

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