芯片補貼可能阻礙英特爾恢復昔日輝煌

美國已經(jīng)啟動了一項雄心勃勃、耗資巨大的項目：重啟國內(nèi)制造業(yè)，生產(chǎn)尖端芯片，但是半導體需求下滑加劇了美國的壓力。

英特爾 (Intel) 認為，這一舉措將幫助其重新獲得全球主導地位。這不是這家美國芯片巨頭第一次被賦予超出前景的期望。

《美國芯片法》(US Chips Act) 通過貸款、對第三方的擔保和直接融資等多種形式，提供了超過 520 億美元的資金，資金將在未來幾個月到達。

英特爾有望成為最大的受益者之一，但爭奪資金的半導體公司瞄準的是一個不斷變化的目標。美國政府還出臺了額外條件，包括提供兒童保育和限制對中國實體的投資、資金不能用于回購和分紅、一些項目需要分享利潤。

英特爾可以找到解決這些問題的方法。美國希望獲得有助于美國國家安全的項目，并減少對中國臺灣制造的芯片的依賴。與競爭對手 AMD 不同，英特爾不僅設(shè)計、還能制造芯片。

然而，自去年 8 月《芯片法案》簽署成為法律以來，英特爾股價已下跌 24%。半導體需求下降只是原因之一，因為其競爭對手 AMD 的股價同期下跌了 15%。

英特爾的公司結(jié)構(gòu)龐大而繁瑣，反映出它的傳統(tǒng)業(yè)務范圍廣大，但是英特爾并不生產(chǎn)先進制程芯片。在營收方面，英特爾正在增加資本的支出，以支付新工廠和新設(shè)計的費用。預計一比例將從五年前的 20% 左右升至 30% 左右。

在疫情期間的高支出之后，半導體需求正在重新調(diào)整，AMD 的凈利潤率也有所下降。但 AMD 沒有那么繁重的資本支出義務。其新款 Ryzen 芯片擁有人工智能功能，因此，我們預計今年 AMD 的利潤率將恢復到 21%。

芯片法案的補貼有可能降低而不是提高英特爾的競爭力，雖然這些資金可以簡單地減輕英特爾提高業(yè)績的壓力，但如果資金是扭轉(zhuǎn)局面的關(guān)鍵，那么早在 10 年前就應該開始了，當時英特爾坐擁比競爭對手更多的現(xiàn)金。

美銀全球研究部認為，英特爾希望通過芯片代工業(yè)務來扭轉(zhuǎn)局面的計劃面臨著障礙。美銀分析師 Vivek Arya 重申英特爾「遜于市場表現(xiàn)」的評級，目標價 25 美元。

他寫道：「因英特爾堅持資本密集型的集成設(shè)計/ 制造模型 (IDM)，仍存有結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)，這迫使英特爾同時與靈活的競爭對手競爭。與此同時，英特爾與基于 ARM 的 PC / 服務器對手的競爭才剛剛開始。」

該分析師指出，蘋果市占持續(xù)增加，在個人電腦 ( PC) 市場上已約 10% 使用蘋果內(nèi)部設(shè)計的芯片。蘋果處理器使用 Arm 芯片架構(gòu)技術(shù)，這是英特爾和 AMD 所用的 x86 芯片架構(gòu)的競爭對手。

此外，在第三方芯片制造業(yè)務上，英特爾也遠落后同業(yè)。分析師指出，英特爾芯片代工服務的全球市占率不到 1%，相比之下，臺積電全球市占達 57%。

Arya 指出，其他芯片廠可能會擔心英特爾代工廠 (IFS) 可能優(yōu)先制造自家芯片?！概c臺積電/ 三星相比，IFS 不僅技術(shù)落后，且規(guī)模也太小了?！?/span>

英特爾完成 1.8 納米和 2 納米生產(chǎn)節(jié)點開發(fā)

近日，英特爾中國總裁兼董事長王銳在一次活動中表示，英特爾已經(jīng)完成了 Intel 18A（18 埃級）和 Intel 20A（20 埃級）制造工藝的開發(fā)。這并不意味著生產(chǎn)節(jié)點已準備好用于商業(yè)制造，而是英特爾已經(jīng)確定了這兩種技術(shù)的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標。

英特爾的 20A 制造技術(shù)將依賴環(huán)柵 RibbonFET 晶體管，并將使用背面供電?？s小金屬間距、引入全新的晶體管結(jié)構(gòu)并同時增加背面供電是一個冒險的舉動，但預計 20A 將使英特爾超越公司的競爭對手——臺積電和三星代工廠。英特爾計劃在 2024 年上半年開始使用該節(jié)點。

英特爾的 18A 制造工藝將進一步完善公司的 RibbonFET 和 PowerVia 技術(shù)，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點的開發(fā)顯然進展順利，以至于英特爾將其推出時間從 2025 年推遲到 2024 年下半年。英特爾最初計劃為其 1.8 埃節(jié)點使用具有 0.55 數(shù)值孔徑 (NA) 光學器件的 ASML Twinscan EXE 掃描儀，但由于它決定盡快開始使用該技術(shù)，它將不得不依賴于大量使用具有 0.33 NA 光學器件的現(xiàn)有 Twinscan NXE 掃描儀，以及 EUV 雙圖案化。

該公司本身預計其 1.8 納米級制造技術(shù)將在 2024 年下半年進入大批量制造 (HVM) 時成為業(yè)界最先進的節(jié)點。英特爾的 20A 和 18A 制造技術(shù)正在為公司自己的產(chǎn)品以及 IFS 為其代工客戶生產(chǎn)的芯片而開發(fā)。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 在最近與分析師舉行的電話會議上表示：「我們與 10 大代工客戶中的 7 家有積極的合作渠道，并且渠道持續(xù)增長，包括 43 家潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴測試芯片和投資者?！埂复送猓覀兝^續(xù)在 Intel 18A 上取得進展，并且已經(jīng)與我們的主要客戶分享了 PDK 0.5（工藝設(shè)計套件）的工程版本，并預計在未來幾周內(nèi)發(fā)布最終產(chǎn)品?！?/span>