外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導(dǎo)體負責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。

三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。

考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。

與現(xiàn)有的DRAM市場不同，3D DRAM市場上目前還沒有絕對的領(lǐng)導(dǎo)者，因此快速量產(chǎn)才是至關(guān)重要的。隨著ChatGPT等人工智能（AI）應(yīng)用產(chǎn)品的活躍，市場對高性能、大容量存儲半導(dǎo)體的需求將會增加。