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          是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

          作者: 時(shí)間:2023-03-20 來(lái)源:英飛凌 收藏

          在過(guò)去的幾年里,碳化硅()開(kāi)關(guān)器件,特別是 MOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動(dòng)車(chē)(BEV)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么,你從哪里開(kāi)始呢?

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202303/444629.htm


          工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。


          電力電子的驅(qū)動(dòng)力一直是降低損耗、小型化和提高可靠性。預(yù)計(jì)這將繼續(xù)下去。那么,是否有必要匆匆忙忙地將每個(gè)設(shè)計(jì)盡快從硅(Si)轉(zhuǎn)換到SiC?IGBT是否會(huì)像幾十年前的雙極達(dá)林頓一樣完全從市場(chǎng)上消失?


          今天的電力電子應(yīng)用比80年代和90年代的應(yīng)用更加多樣化,功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)也更大。因此,從Si到SiC的有序的部分替代比所有應(yīng)用的顛覆性改變更現(xiàn)實(shí)。然而,這在具體的應(yīng)用中取決于SiC為該應(yīng)用提供的價(jià)值。


          SiC如何為電力電子設(shè)計(jì)提供價(jià)值?


          在使用電感器或變壓器的功率變換系統(tǒng)中,SiC可以提高開(kāi)關(guān)頻率,從而使電感元件更小、更輕,并最終降低成本,這是SiC MOSFET進(jìn)入光伏逆變器的重要原因。幾年前,SiC MOSFET開(kāi)始應(yīng)用在ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,是1500V光伏系統(tǒng)很好的設(shè)計(jì)方案。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提高了開(kāi)關(guān)頻率,其中只有三分之一的功率器件采用了SiC MOSFET,系統(tǒng)性?xún)r(jià)比高。


          但并非所有的應(yīng)用都能從提高開(kāi)關(guān)頻率中受益。在通用變頻器(GPD)應(yīng)用中,由于沒(méi)有電感元件可以從更高的開(kāi)關(guān)頻率中受益。即使在今天使用的不太高的調(diào)制頻率下,電機(jī)電流也已經(jīng)是幾乎完美正弦的了。但是,SiC也可以用來(lái)減少導(dǎo)通損耗。與IGBT和二極管不一樣,只要應(yīng)用通常的PWM模式下,SiC MOSFET在兩個(gè)方向都具有“無(wú)拐點(diǎn)電壓”的特性。因此,如果使用足夠大的芯片面積,就可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗的大幅降低。這使得設(shè)計(jì)集成在電機(jī)中的驅(qū)動(dòng)器成為可能。它可以集成到密封的機(jī)箱內(nèi),并采用自然冷卻。此外,長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)工作在輕載的應(yīng)用,可以利用“無(wú)拐點(diǎn)電壓”的特點(diǎn)來(lái)降低能耗和總擁有成本(TCO)。


          如果體二極管可以用作續(xù)流二極管,如CoolSiC? MOSFET,這將提供另一個(gè)對(duì)某些驅(qū)動(dòng)器很重要的好處。無(wú)論功率流方向如何,功率耗散將始終在同一個(gè)芯片中,從而大大減少與功率循環(huán)有關(guān)的溫度波動(dòng)。


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          圖1:體二極管的同步整流


          有時(shí),更高的溫度運(yùn)行被宣稱(chēng)為SiC的一個(gè)好處。在需要在高溫環(huán)境下散熱的應(yīng)用中,這將是一個(gè)重要的特性,但前提是封裝和其他系統(tǒng)元件也要適合這種環(huán)境。


          總結(jié)一下:


          當(dāng)一個(gè)應(yīng)用可以從Si到SiC的切換中受益時(shí),以正確的策略進(jìn)行切換是很重要的。但是簡(jiǎn)單粗暴的切換可能無(wú)法充分利用新的半導(dǎo)體材料的潛力,即使它的工作沒(méi)有問(wèn)題。應(yīng)該考慮盡量減少直流母線連接和柵極驅(qū)動(dòng)器上的雜散電感,而且在大多數(shù)情況下,保護(hù)方案也需要調(diào)整。由于這需要時(shí)間,開(kāi)發(fā)項(xiàng)目應(yīng)盡早開(kāi)始,即使目前SiC的供應(yīng)情況看起來(lái)很緊張。



          關(guān)鍵詞: 英飛凌 SiC

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