西部數(shù)據(jù)攜手鎧俠推出第八代3D閃存技術(shù)

2023 年 4 月 3日，上海 - 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）日前宣布，與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)出全新的3D閃存技術(shù)，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術(shù)采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案，以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。

西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存技術(shù)展現(xiàn)了我們與鎧俠強(qiáng)有力的協(xié)作以及雙方在技術(shù)創(chuàng)新上的地位。通過堅(jiān)持共同的創(chuàng)新研發(fā)路線，并持續(xù)研發(fā)投資，我們已能夠提前將這一基礎(chǔ)性技術(shù)產(chǎn)品化，并提供高性能、高性價(jià)比的解決方案。”

西部數(shù)據(jù)公司和鎧俠通過引入一系列獨(dú)特的工藝和架構(gòu)來降低成本，從而實(shí)現(xiàn)持續(xù)的橫向進(jìn)展。全新的3D閃存技術(shù)在縱向和橫向上取得了縮放平衡，讓層數(shù)更少、體積更小的晶圓實(shí)現(xiàn)更大的容量，并在成本方面實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化。雙方還開發(fā)了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)，使每個(gè)外圍電路晶圓和單元存儲(chǔ)陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨(dú)制造，并通過鍵合來提供更高的位密度和更快的NAND I/O速度。

鎧俠公司首席技術(shù)官Masaki Momodomi表示：“基于雙方在技術(shù)工程領(lǐng)域獨(dú)特的合作關(guān)系，我們成功推出了目前具有業(yè)界最高位密度^[1]的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。通過應(yīng)用 CBA和縮放技術(shù)創(chuàng)新，我們?cè)?/span>3D閃存技術(shù)組合上再度取得進(jìn)展，可支持包括智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等一系列以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用場(chǎng)景?！?/span>

此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D閃存技術(shù)利用具有四個(gè)平面的1Tb TLC（三級(jí)單元）和QLC（四級(jí)單元），采用創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了約50%。其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，同時(shí)寫入性能和讀取延遲方面改善了約20%，為用戶提供更高的性能和可用性。

[1] 來源：鎧俠公司數(shù)據(jù)調(diào)研，2023年3月30日