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          3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

          作者:肖瘦人 時間:2023-05-05 來源:中關村在線 收藏

          5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 設備以及具有超過 300 條字線的 IC。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202305/446244.htm

          根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。

          此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向結晶(MILC)技術提高通道的結晶質量,再利用尖端的鎳鑄方法來消除硅材料中的雜質和缺陷。



          關鍵詞: 3D NAND

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