ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT^*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn)；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次，為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc. （以下簡稱“臺達電子”）的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.（以下簡稱“碇基半導體”）聯(lián)合開發(fā)而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)（R_DS（ON）×C_iss / R_DS（ON）×C_oss^*2）方面，達到了業(yè)界超高水平。因此，新產(chǎn)品可以大大降低開關(guān)損耗，從而能夠進一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外，新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD^*3保護器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此，新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關(guān)工作，從而有助于外圍元器件的小型化。

新產(chǎn)品已于2023年4月起投入量產(chǎn)（樣品價格 5,000日元/個，不含稅），并已開始網(wǎng)售，通過Ameya360、Sekorm等電商平臺均可購買。

ROHM將有助于應用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外，除了元器件的開發(fā)，ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動聯(lián)合開發(fā)，通過助力應用產(chǎn)品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。

＜什么是EcoGaN?＞ 

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。 

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。  

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應用示例＞

包括服務器和AC適配器在內(nèi)的各種工業(yè)設備和消費電子領(lǐng)域的電源系統(tǒng)

 ＜電商銷售信息＞

起售時間：2023年4月開始

電商平臺：Ameya360、Sekorm

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。 

＜關(guān)于Ancora Semiconductors Inc.（碇基半導體）＞

碇基半導體成立于2022年7月，是全球電源管理和變壓器廠商——臺灣臺達電子（Delta Electronics, Inc.）的子公司，主要從事GaN元器件的開發(fā)。  

＜術(shù)語解說＞

*1) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。 

*2) R_DS（ON）×C_iss / R_DS（ON）×C_oss

是用來評估器件性能的指標，其中C_iss是指從輸入端看的總電容，C_oss是指從輸出端看的總電容。

該值越低，開關(guān)速度越快，開關(guān)時的損耗越小。 

*3) ESD（Electro-Static Discharge：靜電放電）

當人體和電子設備等帶電物體相互接觸時會產(chǎn)生靜電。這種靜電會導致電路和設備發(fā)生誤動作甚至損壞。