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          意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管

          —— 優(yōu)值系數(shù)提高 40%
          作者: 時間:2023-05-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          2023 年 5 月 24 日,中國—— 的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on), (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。 

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202305/446899.htm

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          新推出的MOSFET利用ST的STPOWER 先進技術,引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身,實現(xiàn)高效的開關性能。因此,STL120N10F8的最大導通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ(在 VGS = 10V 時),高效運行頻率達到600kHz。 

          技術還確保輸出電容值可以減輕漏源電壓尖峰,最大程度地減少充放電能量浪費。此外,這款MOSFET的體漏二極管的軟度特性更高。這些改進之處可以減少電磁輻射,簡化最終系統(tǒng)的合規(guī)性測試,確保電磁兼容性 (EMC)符合適用的產(chǎn)品標準。 

          STL120N10F8擁有卓越的能效和較低的電磁輻射,可以增強硬開關和軟開關拓撲的電源轉(zhuǎn)換性能。此外,這款產(chǎn)品還是首款完全符合工業(yè)級規(guī)格的 STPOWER 100V MOSFET,非常適合電機控制、電信和計算機系統(tǒng)的電源及轉(zhuǎn)換器、LED 和低壓照明,以及消費類電器和電池供電設備。 

          新款MOSFET還有其他優(yōu)勢,其中包括柵極閾值電壓(VGS(th))差很小,這個優(yōu)勢在強電流應用中很有用,可簡化多個功率開關管的并聯(lián)設計。新產(chǎn)品的魯棒性非常強,能夠承受 10μs的800A短路脈沖電流沖擊。 

          STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封裝,現(xiàn)已全面投產(chǎn)。




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