手機(jī)芯片為啥這么燒錢
隨著互聯(lián)網(wǎng)的普及,手機(jī)逐漸成為我們的個(gè)人標(biāo)配。手機(jī)的關(guān)鍵在于芯片,芯片的質(zhì)量很大程度上決定了手機(jī)的性能,可是手機(jī)芯片為什么這么貴呢?
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202306/447281.htm芯片就像手機(jī)的大腦,我們將輸入信號作為原材料輸入手機(jī),通過改變芯片內(nèi)部的走線、邏輯,就能對輸入信號實(shí)現(xiàn)不同的處理方式。
也正因此,手機(jī)芯片是當(dāng)今集成度超高的元器件,別看它只有一個(gè)指甲蓋的大小,里面可是包含了數(shù)十億晶體管呢,蘋果的 A15 仿生芯片包含了 150 億個(gè)晶體管,每秒可執(zhí)行 15.8 萬億次操作。
因此,無論是研發(fā)還是制造難度,大家都可想而知。
經(jīng)常會(huì)有新聞講某某公司在芯片方面投了多少億,文檔君覺得好多好多錢呀,可是了解下去發(fā)現(xiàn),這么多錢竟然只夠公司燒一年?今天我們就從芯片的研發(fā)與生產(chǎn)兩個(gè)方面來看看,手機(jī)芯片是如何產(chǎn)生的?為啥那么貴?
一款芯片從無到有,要經(jīng)歷兩大階段:研發(fā)環(huán)節(jié)和制造環(huán)節(jié)。
芯片研發(fā)
芯片的研發(fā)流程大致可分為:
IP(知識產(chǎn)權(quán))采購
前端設(shè)計(jì)
驗(yàn)證
DFT(可測試性設(shè)計(jì))設(shè)計(jì)
后端設(shè)計(jì)
封裝設(shè)計(jì)
回片測試
其中,前端設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、DFT 設(shè)計(jì)、后端設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)等過程需要大量的研發(fā)人員的人力投入和不同團(tuán)隊(duì)的分工合作。
有粉絲知道這里面有哪些團(tuán)隊(duì)嘛,感興趣的可以在評論區(qū)留言哦~
芯片制造
比起芯片的研發(fā),芯片制造的難度更大,技術(shù)壁壘更高。
芯片的生產(chǎn)與制造可以大體分為晶圓制造、晶圓光刻顯影和刻蝕、摻加雜質(zhì)和封裝測試四個(gè)步驟。
晶圓制造
晶圓是制造芯片的物質(zhì)基礎(chǔ),由石英砂精煉得來,晶圓是從 99.99% 的純硅圓柱體(也叫“硅錠”)上切下來的(以半導(dǎo)體制造中最常用的尺寸 12 寸為例,由于芯片的尺寸各不相同,從 12 英寸的晶圓上可分割出來幾十個(gè)到數(shù)千個(gè)芯片),并被打磨得極為光滑,然后再根據(jù)結(jié)構(gòu)需求將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上。當(dāng)前我國具備一定的晶圓制造能力,基本上可以實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)自用。
晶圓光刻顯影和刻蝕
光刻技術(shù)決定了芯片上的晶體管可以做到多小。晶圓被放入光刻機(jī)中,暴露在深紫外光(DUV)下。光線通過掩模版投射到晶圓上,光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)(DUV 系統(tǒng)的透鏡)將掩模版上設(shè)計(jì)好的電路圖案縮小并聚焦到晶圓上的光刻膠。
光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。
當(dāng)光線照射到光刻膠上時(shí),會(huì)產(chǎn)生化學(xué)變化,將掩模版上的圖案印制到光刻膠涂層上。
刻蝕是為了去除退化的光刻膠,以顯示出預(yù)期的圖案。
在刻蝕過程中,晶圓被烘烤和顯影,光刻膠被洗掉,顯示出一個(gè)開放通道的 3D 圖案。
先進(jìn)的刻蝕技術(shù)使芯片制造商能夠使用雙倍、四倍和基于間隔的圖案來創(chuàng)造出現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)的微小尺寸。像 3D NAND 這種高達(dá) 175 層的空腔結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì),需要保證空腔深度完全正確,刻蝕過程格外困難。
通過光刻機(jī)對指定位置進(jìn)行刻蝕,這一過程極為精密和復(fù)雜,實(shí)際上世界上只有荷蘭 ASML 公司有能力制造昂貴的光刻機(jī),其 7nm 光刻機(jī)售價(jià)高達(dá) 1 億美元 。
摻加雜質(zhì)
摻加雜質(zhì)可以增加立體結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度,越是復(fù)雜的集成電路,其立體結(jié)構(gòu)就越復(fù)雜,摻加雜質(zhì)的步驟也就越復(fù)雜。集成電路的基礎(chǔ)是 PN 結(jié),要想形成 PN 結(jié),就必須在不同的晶圓里摻加不同的雜質(zhì)(本質(zhì)上而言是加入 P、N 型雜質(zhì),改變其導(dǎo)電性質(zhì))。
PN 結(jié):采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將 P 型半導(dǎo)體與 N 型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為 PN 結(jié)。PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦?,是電子技術(shù)中許多器件所利用的特性,例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。
封裝測試
在封裝過程中,為了把芯片從晶圓上取出來,要用金剛石鋸將其切成單個(gè)芯片。從晶圓上分割出來的芯片又稱為“裸晶”,隨后會(huì)被放置在“基板”上 —— 這種基板使用金屬箔將裸晶的輸入和輸出信號引導(dǎo)到系統(tǒng)的其他部分。然后我們會(huì)為它蓋上具有“均熱片”的蓋子,均熱片是一種小的扁平狀金屬保護(hù)容器,里面裝有冷卻液,確保芯片可以在運(yùn)行中保持冷卻。
經(jīng)過上述流程,芯片制造商就完成了從版圖到芯片實(shí)體的流程,但芯片能否具體工作,其電氣性能是否達(dá)標(biāo),還需要完成測試才能確定。因此,芯片制造廠商均需要一批后端測試人員對芯片的性能進(jìn)行測試。
當(dāng)然,半導(dǎo)體制造涉及到的步驟遠(yuǎn)不止這些,芯片還要經(jīng)過測量檢驗(yàn)、電鍍、測試等更多環(huán)節(jié),每塊芯片在成為電子設(shè)備的一部分之前都要經(jīng)過數(shù)百次這樣的過程。
研發(fā)成本
了解了芯片的研發(fā)和制造過程,文檔君帶大家繼續(xù)了解一下芯片為啥這么燒錢呢?
芯片的研發(fā)成本主要包含 IP 采購、前端設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、DFT 設(shè)計(jì)、后端設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、回片測試等部分費(fèi)用。
IP 采購
IP 采購是芯片研發(fā)中不可忽視的一個(gè)環(huán)節(jié)。
費(fèi)用模式通常分為一次性授權(quán)、產(chǎn)品單獨(dú)授權(quán),或者兩者疊加起來。
例如,手機(jī)處理器芯片、AI 芯片等都需要集成 CPU 模塊,目前國內(nèi)大部分芯片設(shè)計(jì)公司都采購 ARM 的 CPU 核。
IP 核,全稱知識產(chǎn)權(quán)核 (intellectual property core),是指某一方提供的、形式為邏輯單元、芯片設(shè)計(jì)的可重用模塊。
回片測試
回片測試包含測試硬件、RA(Reliability Test,可靠性測試)實(shí)驗(yàn)、ATE(Automatic Test Equipment,集成電路自動(dòng)測試設(shè)備)機(jī)臺使用以及研發(fā)人力投入等成本。
其他
前端設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、DFT 設(shè)計(jì)、后端設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)支出主要以研發(fā)人員的人力投入為主,此外還包含 EDA 軟件的使用費(fèi)、FPGA 和 Zebu 等驗(yàn)證平臺的硬件費(fèi)用。
生產(chǎn)成本
芯片生產(chǎn)成本主要包括流片、晶圓、CP(Chip Probe,晶圓)測試、封裝、FT(Final Test,最終測試)、SLT(System Level Test,系統(tǒng)級測試)等,其中大部分集中在流片和晶圓。
流片成本
流片,是指像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片,在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,“流片”指的是“試生產(chǎn)”。
一次性費(fèi)用,按照掩膜版層數(shù)計(jì)算。
在芯片設(shè)計(jì)完成后,會(huì)生產(chǎn)復(fù)雜的圖形文件,一般來說會(huì)有幾十層到上百層。這些圖形文件需要在光罩廠做掩膜版。
工藝節(jié)點(diǎn)越高,流片價(jià)格越貴,因?yàn)楦吖に囆枰嗟难谀ぐ?。?16 nm 制程上,需要大約 60 張,而 7nm 可能就需要上百張。
目前最便宜的 ASIC 流片成本也需要幾十萬一次,180nm 的流片成本大概是 50 萬元,55nm 的成本約 200 萬元。但是 16nm 的成本就飆升到了 3000 萬-5000 萬元,到了 7nm 最低也要過億。但到了量產(chǎn)階段,尤其是產(chǎn)品的出貨量比較大,一次性流片費(fèi)用平攤到數(shù)十萬顆芯片上時(shí),相對成本就低了很多。
晶圓成本
按照出貨片數(shù)每片計(jì)算。
晶圓價(jià)格也是按照工藝節(jié)點(diǎn)區(qū)分的。臺積電 12 寸晶圓 40nm 成本每片大約在 1500~2000 美元,16nm 成本每片大約在 4000~5000 美元之間,7nm 成本每片大約在 9300 美元左右,5nm 代工價(jià)格約為 17000 美元,3nm 價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到 30000 美元左右。
說了這么多,終于明白了芯片為啥這么燒錢啦!
不過,文檔君認(rèn)為,這是挑戰(zhàn),也是一種機(jī)遇。2023 年,手機(jī)芯片行業(yè)隨著智能手機(jī)需求的增加,會(huì)有更好的前景。
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