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          現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電需要氮化鎵

          作者: 時(shí)間:2023-06-06 來源: 收藏

          戰(zhàn)術(shù)通信技術(shù)已經(jīng)走了很長(zhǎng)一段路,從在現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)電纜到在傳達(dá)命令時(shí)保持態(tài)勢(shì)感知。在這個(gè)以網(wǎng)絡(luò)為中心的沖突時(shí)代,IT基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場(chǎng)邊緣的移動(dòng)指揮所。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202306/447358.htm

          戰(zhàn)術(shù)通信技術(shù)已經(jīng)走了很長(zhǎng)一段路,從在現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)電纜到在傳達(dá)命令時(shí)保持態(tài)勢(shì)感知。在這個(gè)以網(wǎng)絡(luò)為中心的沖突時(shí)代,IT基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場(chǎng)邊緣的移動(dòng)指揮所。
          軍事現(xiàn)代化繼續(xù)無情地進(jìn)行。軍費(fèi)開支的增加正在推動(dòng)陸地、空中和海上平臺(tái)采購先進(jìn)的無線通信系統(tǒng)。全球戰(zhàn)術(shù)通信市場(chǎng)將在16-2019年期間以2025%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng),達(dá)到18.53億美元。1
          提高移動(dòng)性,例如小型、輕便的軍用手持,是該市場(chǎng)的一個(gè)關(guān)鍵增長(zhǎng)趨勢(shì),并且正在挑戰(zhàn)工程師與更小尺寸、更輕重量和更高功率相關(guān)的關(guān)鍵要求。
          現(xiàn)代化
          技術(shù)不斷發(fā)展,以應(yīng)對(duì)通信挑戰(zhàn)。例如,UHF信號(hào)作現(xiàn)場(chǎng)的障礙物(例如墻壁和建筑物)衰減。現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電通過使用多進(jìn)多出(MIMO)方法克服了這一挑戰(zhàn),將單個(gè)信號(hào)分成幾個(gè)占用更高帶寬的信號(hào)。
          然而,另一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)需求推動(dòng)了更高的帶寬 - 需要使用寬帶連接來發(fā)送視頻,而不僅僅是語音。此外,幾年來,網(wǎng)絡(luò)化操作一直要求支持多頻段和多標(biāo)準(zhǔn)操作的軟件定義無線電(SDR)架構(gòu)。
          這就要求射頻功率放大器具有新的規(guī)格,射頻功率放大器是戰(zhàn)術(shù)無線電設(shè)備的核心組件之一。例如,聯(lián)合戰(zhàn)術(shù)無線電系統(tǒng)(JTRS)要求它覆蓋VHF,UHF和L波段,同時(shí)提供高效率,小尺寸和重量,特別是對(duì)于手持無線電設(shè)備。
          關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)
          有助于減小軍用無線電的尺寸和重量,同時(shí)提供可靠通信所需的射頻功率。
          GaN是一種寬帶隙半導(dǎo)體。GaN的帶隙為3.4 eV,而Si的1.1 eV等技術(shù)意味著GaN具有近4 MV / cm的擊穿場(chǎng),而Si的0.2 MV / cm.2這有助于GaN的高溫可靠性和出色的功率密度能力,通常比硅LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)等舊技術(shù)高五倍。因此,3 GaN解決方案為戰(zhàn)術(shù)無線電提供了最佳的尺寸、重量和可靠性。
          舊的軍用無線電系統(tǒng)必須使用多個(gè)設(shè)備來滿足多頻段設(shè)計(jì)要求,而GaN則通過單個(gè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)視頻的寬帶和MIMO的多頻段傳輸。這直接轉(zhuǎn)化為尺寸、重量和系統(tǒng)復(fù)雜性的降低,以及通過減少組件數(shù)量來節(jié)省成本。仍然有一些無線電系統(tǒng)需要每個(gè)頻段的單獨(dú)解決方案,但GaN的特性肯定允許它在比其他功率放大器技術(shù)更寬的頻段上使用。
          GaN安裝在另一種寬帶隙材料碳化硅(SiC)上,通過利用SiC更好的熱特性,提供盡可能高的性能,遠(yuǎn)遠(yuǎn)彌補(bǔ)了Si上GaN的低成本。
          使用進(jìn)行設(shè)計(jì)
          Wolfspeed 的 CGHV27060MP 60 W 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 就是這樣一款高性能的 GaN SiC 器件。它采用該公司的 0.4 μm 工藝制造,功率密度為 8 W/mm,擊穿電壓為 >150 V,工作電壓為 50 V,可實(shí)現(xiàn)單級(jí)射頻器件的最高功率增益。
          它可用于 UHF、L 頻段或高達(dá) 2.7 GHz 的低 S 頻段的脈沖應(yīng)用,非常適合 A/B 類和 F 類等高效拓?fù)渲衅骄β蕿?10-15 W 的通信放大器。
          工程師可以在 CGHV27060MP-AMP27060 應(yīng)用夾具上評(píng)估 CGHV3MP。A/B 類電路專門設(shè)計(jì)用于滿足 800 MHz 至 2.7 GHz 的寬工作頻率和 50 V 工作電壓要求。
          在本電路中,CGHV27060MP在VDD 16 V、IDQ 5 mA和50dBm輸入功率P時(shí)提供120.0 dB的增益G。當(dāng)PIN增加到37 dBm時(shí),輸出功率POUT為48.5 dBm,漏極效率?為60%。
          Wolfspeed 在 CGHV27060MP 中使用了其專有的大信號(hào)晶體管模型,并對(duì)設(shè)計(jì)中的所有無源元件進(jìn)行了建模,以包括焊盤寄生效應(yīng)的影響。這導(dǎo)致仿真與測(cè)量之間的緊密對(duì)齊和高相關(guān)性,例如輸出功率、漏極效率和增益(如圖2所示),因此可以實(shí)現(xiàn)一次成功。

          現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電需要氮化鎵


          圖:CGHV27060MP-AMP3 在 37 dBm 固定輸入功率下的性能在飽和輸出功率下在 48 MHz — 800,2 MHz 頻段提供超過 700 dBm 的功率。

          滿足不斷變化的需求
          戰(zhàn)術(shù)通信市場(chǎng)體現(xiàn)了航空航天與國(guó)防(A&D)的SWaP-C概念 - 尺寸,重量,功率和成本之間的權(quán)衡。成本限制通常導(dǎo)致手持式戰(zhàn)術(shù)無線電的設(shè)計(jì)人員,有時(shí)甚至是便攜式系統(tǒng),尋找低成本塑料包裝的組件。
          雖然上述解決方案采用陶瓷封裝,可以滿足更高功率系統(tǒng)的熱要求,但 Wolfspeed 了解 SWaP-C 面臨的挑戰(zhàn),并繼續(xù)在這一領(lǐng)域以及 A?D 領(lǐng)域的許多相鄰市場(chǎng)進(jìn)行創(chuàng)新。



          關(guān)鍵詞: 氮化鎵 無線電

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