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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

          用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

          作者: 時(shí)間:2023-06-08 來(lái)源:安森美 收藏

          隨著電動(dòng)汽車的 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC 已經(jīng)上市,工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是,PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC 的無(wú)橋 PFC 拓?fù)洌驗(yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知,使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202306/447480.htm

          (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽車模塊設(shè)計(jì)領(lǐng)域表現(xiàn)出色,現(xiàn)在推出了一系列 SiC MOSFET 模塊以改進(jìn) OBC 設(shè)計(jì),包括使用 1200 V SiC 器件的 PFC 和 DC/DC 模塊。本應(yīng)用筆記將介紹這些模塊,并提供這些新模塊的使用指南。

          模塊介紹

          圖 1 和圖 2 顯示了單向和雙向 OBC 電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在 EV 市場(chǎng)中受到廣泛關(guān)注。推出了全新的壓鑄模、高壓隔離多芯片模塊系列,該系列最初的三款產(chǎn)品是:

          ●   NVXK2KR80WDT Vienna 整流器模塊搭載 1200 V 80 mΩ SiC MOSFET,SiC 和 Si 二極管貼裝在 Al2O3 陶瓷基板上;

          ●   NVXK2TR80WDT 雙半橋模塊搭載 1200 V 80 mΩ SiC MOSFET,貼裝在 Al2O3 陶瓷基板上;

          ●   NVXK2TR40WXT 雙半橋模塊搭載 1200 V 40 mΩ SiC MOSFET,貼裝在 AlN 陶瓷基板上,用于提高電流處理能力。

          圖 3 和圖 4 給出了這三個(gè)模塊的封裝信息摘要和原理圖。

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          圖 1. 典型模塊應(yīng)用:帶 Vienna 整流器 PFC 級(jí)的單向

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          圖 2. 替代模塊應(yīng)用:使用多個(gè)半橋的雙向

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          圖 3. 1200 V SiC MOSFET模塊封裝外形圖

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          圖 4. 模塊設(shè)計(jì)變化

          應(yīng)用信息

          和公開的技術(shù)文獻(xiàn)提供了重要的設(shè)計(jì)資源,有助于汽車 OBC 設(shè)計(jì)人員在各種電路拓?fù)渲姓_使用 SiC MOSFET。其中包括可從 www.onsemi.cn 獲得的以下資源:

          ●   AND90103/D 安森美 M1 1200 V SiC MOSFET 和模塊:特性和驅(qū)動(dòng)建議

          ●   HDBK853/D 功率因數(shù)校正手冊(cè)

          ●   使用 NCP4390/NCV4390 的 AND90061/D 半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

          ●   TND6318/D 車載充電器 (OBC) LLC 轉(zhuǎn)換器

          ●   AND9957/D 車載充電器 (OBC) 三相 PFC 轉(zhuǎn)換器

          ●   EVBUM2731/D 6.6 kW 車載 EV 充電器(SiC 型號(hào))評(píng)估板用戶手冊(cè)

          ●   EVBUM2784/D 6.6 kW 圖騰柱演示板用戶手冊(cè)

          另有相關(guān)的指南可為工程師在開發(fā)復(fù)雜系統(tǒng)(例如汽車 OBC)的建模方面提供幫助:

          ●   AND9783/D 如何將物理和可擴(kuò)展模型與 SIMetrix、OrCAD 和 LTSpice 結(jié)合使用

          ●   AND90096/D 使用 SIMetrix 研究散熱片上 MOSFET 的熱行為

          讀者還可查看安森美的應(yīng)用筆記,它們提供了相關(guān)產(chǎn)品在機(jī)械貼裝和 PCB 設(shè)計(jì)方面的有用信息:

          ●   AND9922/D ASPM27 系列封裝組裝指南

          ●   AND90036/D DIP?26 系列:用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的新型壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM)(第 8 頁(yè)及以后)

          參考文獻(xiàn)中引用了 Thangavela 等人關(guān)于 PFC 的 Vienna 拓?fù)涞膬?yōu)秀論文 [1],以及威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的 Yutong Zhu 的碩士論文 [2]

          本文將重點(diǎn)介紹安森美 1200 V SiC MOSFET 模塊的技術(shù)細(xì)節(jié),可用于實(shí)施上述參考文獻(xiàn)中詳細(xì)探討的 OBC 功率級(jí)。

          電流和電壓額定值

          所有 SiC MOSFET 模塊的漏極-源極擊穿電壓額定值為 BVDSS = 1200 V,保證在 ?40℃ 到 175℃ 的工作結(jié)溫范圍內(nèi),最小擊穿電壓為 1200 V。

          柵極-源極電壓的最大安全范圍為 +25 V/-15 V,而推薦的工作電壓范圍為 +20 V(開啟)和 -5 V(關(guān)斷)。這些值在所有三個(gè)產(chǎn)品型號(hào)中都是一致的。

          數(shù)據(jù)表的最大額定值表中提供的電流額定值反映了這些模塊符合 ECPE 指南 AQG 324 [3]。這個(gè)值往往比傳統(tǒng)的分立 MOSFET ID 連續(xù)額定值更保守一點(diǎn),ID 是根據(jù)公式 1 中給定的 RDS(on) 和 TJ(max) 以及熱阻值 RΘJC 通過(guò)純代數(shù)方法確定的結(jié)果。

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          (公式1)

          在相關(guān)的數(shù)據(jù)表中,用戶可以參考圖 10 以查看作為外殼溫度函數(shù)的最大漏極電流,如公式 1 所示。由于數(shù)據(jù)表提供的電流額定值信息僅代表數(shù)據(jù)表編寫時(shí)所基于的條件,建議用戶使用特定于自身系統(tǒng)設(shè)計(jì)的電路仿真來(lái)更仔細(xì)地評(píng)估模塊在特定應(yīng)用下的熱性能和損耗性能。

          封裝熱性能

          安森美利用計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)軟件來(lái)分析模塊和散熱片組件在各種邊界條件下的熱響應(yīng),并通過(guò)測(cè)試來(lái)驗(yàn)證結(jié)果。圖 5 顯示了分析 ZΘJC 和 ZψJS 熱阻抗特性的概念思路。對(duì)于 ZΘJC,模塊底面在 100°C 下保持等溫,而對(duì)于 ZψJS 特性,邊界條件如圖 5 所示,即特定 TIM 厚度和電導(dǎo)率、鋁散熱片和等溫面。模塊數(shù)據(jù)表中提供的熱特性反映了這種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的組合測(cè)試和分析過(guò)程的結(jié)果。

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          圖 5.熱系統(tǒng)概念和示例結(jié)果

          對(duì)于 MOSFET 的 5 引腳裸片型號(hào),可以通過(guò)在一端使用連接到 TC 端子的 Cauer 熱網(wǎng)絡(luò),并將基準(zhǔn)電源設(shè)置為系統(tǒng)變量 {temp} 來(lái)表示環(huán)境溫度或散熱片溫度,從而在仿真中觀察熱性能。數(shù)據(jù)表提供了熱等效電路的 Foster 網(wǎng)絡(luò) RC 值;表 1 提供了 Cauer 網(wǎng)絡(luò)等效 RC 值。

          例如,圖 6 中的電路在 SIMetrix 中用于模擬 80 mΩ 裸片,通過(guò)簡(jiǎn)單的激勵(lì)引起發(fā)熱,并使用上述的 Cauer 網(wǎng)絡(luò)來(lái)模擬 NVXK2TR40WXT 模塊的熱性能。其中顯示了接近封裝熱極限時(shí)的恒定直流漏極電流,柵極電壓 VGS = 20 V。這展示了與 Cauer 網(wǎng)絡(luò)的連接,并驗(yàn)證了數(shù)據(jù)表的圖 10 中所示的數(shù)據(jù)表 ID 限制,外殼溫度為 25°C。

          表 1.熱阻抗 ZΘJC 的 CAUER 網(wǎng)絡(luò)

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          圖 7 所示的溫度響應(yīng)結(jié)果顯示直流電流值為 65、66、67、68 和 69 安培。電壓響應(yīng)以 °C 為單位表示結(jié)溫。這可以直接與 NVXK2TR40WXT 的數(shù)據(jù)表的圖 10 進(jìn)行比較,可以看出 68 A 的限制與仿真結(jié)果一致。

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          圖 6. 具有 40 mΩ 管芯的示例 Cauer 網(wǎng)絡(luò)

          如果用戶有一個(gè)類似于圖 5 所示的結(jié)-散熱片的熱堆棧,則表 2 中給出了 NVXK2xx80WDT 和 NVXK2TR40WXT 模塊的“歸一化”結(jié)-散熱片 Cauer 網(wǎng)絡(luò)熱阻 (Rn) 和熱電容 (Cn)。要將此 Cauer 網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換為“去歸一化”網(wǎng)絡(luò)來(lái)表示 RψJS 的數(shù)據(jù)表值或客戶指定的值,只需將 Rn 值乘以所需的 RψJS,并將 Cn 值除以相同的 RψJS,如公式 2 所示。由此產(chǎn)生的 RC 值將產(chǎn)生具有適當(dāng)時(shí)間常數(shù)和所需穩(wěn)態(tài)值 RψJS 的瞬態(tài)熱阻抗曲線。

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          (公式2)

          要將去歸一化的 ZψJS 網(wǎng)絡(luò)正確連接到 SiC MOSFET 型號(hào),只需使用公式 2 計(jì)算出的值,替換圖 6 中所示的 ZΘJC 特性的梯形網(wǎng)絡(luò)值,系統(tǒng)將根據(jù) ZψJS 產(chǎn)生熱響應(yīng)。

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          圖 7. 對(duì)直流電流范圍的溫度響應(yīng)

          表 2. 用于歸一化熱阻抗 ZψJS 的 CAUER 網(wǎng)絡(luò)

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          表 2 的 Cauer 網(wǎng)絡(luò) RC 值對(duì)應(yīng)于圖 8 中所示的兩條歸一化瞬態(tài)熱阻抗曲線。請(qǐng)注意,歸一化過(guò)程強(qiáng)制這些曲線具有 1.0°C/W 的穩(wěn)態(tài)值。當(dāng)根據(jù)公式 2 執(zhí)行“去歸一化”時(shí),用戶將獲得所需的穩(wěn)態(tài)值(例如,根據(jù)數(shù)據(jù)表,NVXK2TR40WXT 的 RψJS 為 0.95°C/W)和正確的動(dòng)態(tài)行為。

          這些模塊包括一個(gè) NTC 熱敏電阻(TDK 部件編號(hào) B57342V5103H060 [7]),其電阻與溫度特性如圖 9 所示??梢愿鶕?jù)公式 3 通過(guò)電阻值來(lái)計(jì)算溫度(以攝氏度為單位)。

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          圖 8. 歸一化瞬態(tài)熱阻抗 ZψJS

          NTC 電阻可以通過(guò)使用帶有外部電壓源和外部電阻器的分壓器來(lái)測(cè)量。

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          (公式3)

          其中,T0 = 298,B 值從數(shù)據(jù)表 [7] 中獲?。ǖ湫椭禐?3650),R0 = 10 kΩ,而 R 是測(cè)量得到的取決于溫度的電阻值。在這些模塊中,T(R) 可取等于外殼溫度的值,表 1 中的 Cauer 網(wǎng)絡(luò)可用于實(shí)時(shí)估算結(jié)溫。

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          圖 9. NTC R?T 特性和從 R 計(jì)算出的溫度(B = 3950)

          模塊和系統(tǒng)性能仿真

          這些器件的用戶可以通過(guò) www.onsemi.cn獲得模塊中使用的 SiC MOSFET 裸片的仿真模型。這些 SIMetrix、pSpice 和 LTSpice 模型可以與封裝的等效電路模型相結(jié)合,以生成非常準(zhǔn)確的電路行為仿真。這使設(shè)計(jì)人員能夠在與柵極驅(qū)動(dòng)電路和構(gòu)成完整 OBC 系統(tǒng)的任何其他相關(guān)電路相結(jié)合時(shí),以非常切合實(shí)際的方式評(píng)估模塊的性能。

          表 3 提供了芯片模型的交叉對(duì)照,應(yīng)從 www.onsemi.cn下載這些模型以填充模塊模型。圖 10 和圖 11 分別顯示了雙半橋模塊和 VIENNA 模塊的外部引腳和芯片端子之間模塊中每條路徑的等效串聯(lián)電感和電阻值。這些等效封裝模型源自 Spice 模型,該模型是從 ANSYS Q3D [4] 表示模塊的完整 3D 幾何結(jié)構(gòu)和材料屬性生成的。

          圖 10 表示雙半橋模塊 NVXK2TR80WDT 和 NVXK2TR40DXT 的簡(jiǎn)化集總分布參數(shù)模型。圖 10 中所示的 MOSFET 是 80 mΩ 1200 V SiC MOSFET 的裸片模型,用于填充模塊中的四個(gè)芯片位置。

          表 3. 模塊芯片模型對(duì)應(yīng)關(guān)系

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          *詳細(xì)型號(hào)未列

          請(qǐng)注意,在圖 10 中,如果出現(xiàn)此類問(wèn)題,可以向每個(gè)串聯(lián)電感添加一個(gè)高值并聯(lián)電阻器以幫助收斂。對(duì)于 40 mΩ NXVK2TR40WXT 和 80 mΩ NVXK2TR80WDT,可以認(rèn)為這些寄生 R 和 L 值相同。

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          圖 10. 雙半橋的簡(jiǎn)化封裝模型

          同樣,已使用NVXK2KR80WDT封裝的Q3D模型來(lái)確定Vienna模塊的集總參數(shù)模型,如圖11所示。功率器件和端子的標(biāo)記與數(shù)據(jù)表中的原理圖相同。請(qǐng)注意,所有電感均以nH為單位,電阻值(NTC除外)以μΩ或mΩ為單位。請(qǐng)注意,此電路是Q3D模型的簡(jiǎn)化版,明顯缺少電容效應(yīng),因此不會(huì)產(chǎn)生與真實(shí)器件甚至Q3D模型完全相同的波形動(dòng)態(tài)。如果需要完整的Q3D模型,請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)匕采冷N售辦事處進(jìn)行咨詢。

          讀者可以將這些原理圖放在整個(gè) OBC 系統(tǒng)的 Spice 或 SIMetrix 仿真中,或者可以將這些模型與簡(jiǎn)單測(cè)試臺(tái)的表示相結(jié)合,以測(cè)試模型的性能。從 www.onsemi.cn 獲得的 MOSFET 模型可以填充為 5 引腳模型以包括 TJ 和 TC 端子。這將使仿真成為耦合的電熱仿真,并為評(píng)估系統(tǒng)的電氣性能和熱性能提供盡可能高的準(zhǔn)確性。

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          圖 11. Vienna 模塊的簡(jiǎn)化封裝模型

          使用 SiC MOSFET 芯片、模塊電氣寄生效應(yīng)結(jié)合模塊熱阻抗模型進(jìn)行仿真演示,請(qǐng)考慮在圖 12 所示的 n-脈沖測(cè)試電路中配置的 NVXK2TR80WDT 模型。在這里,我們截取了原理圖的部分視圖,僅顯示模塊的一半,例如,兩個(gè)半橋之一,以使圖片更具可讀性。外部 800 V 直流電源用于通過(guò)經(jīng)典 2-脈沖配置中的半橋?yàn)殡姼胸?fù)載提供電流。使用了帶有 TJ 和 TC 端子的 NCV08N120SC1_5P 裸片模型,并為每個(gè)裸片包含了一個(gè)單獨(dú)的 Cauer 網(wǎng)絡(luò),代表結(jié)至外殼熱阻。

          開關(guān)結(jié)果如圖 13 - 15 所示,基準(zhǔn)溫度為 25°C。圖 13 顯示了三組開關(guān)事件(10 A、20 A 和 30 A)期間的溫度曲線,很容易看出在 11、23 和 35 μs 開始的開關(guān)事件期間的 EOFF 和 EON 效應(yīng),以及高邊開關(guān) (U2) 體二極管在其電流再循環(huán)關(guān)斷期間的損耗。

          圖 14 顯示了 Q2(低邊 MOSFET)的 20 A 關(guān)斷事件的詳細(xì)視圖,而圖 15 顯示了隨后的 20 A 開啟事件。可以看到柵極和漏極波形在受到雜散電感的影響時(shí)的動(dòng)態(tài)變化。

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          圖 12. n?脈沖電路 - NVXK2TR80WXT 的一半

          模塊電氣隔離和貼裝指南

          爬電距離和間隙

          電氣隔離與模塊在應(yīng)用中的安全性和可靠性密切相關(guān)。IEC60664-1 [5] 是公認(rèn)的準(zhǔn)則,用于確定不同材料等級(jí)、污染程度、海拔和工作電壓下的爬電距離和間隙距離的最小安全值,以確保適當(dāng)?shù)碾姎飧綦x。爬電距離是指連續(xù)絕緣表面上兩個(gè)導(dǎo)電材料之間的距離,而間隙是指處于不同電位的兩個(gè)表面之間的線性隔空距離。確定爬電距離的依據(jù)是兩個(gè)導(dǎo)電部件之間的工作電壓的 rms 值。

          請(qǐng)參閱 [5] 中的表 F.2、F.4 和 A.2 來(lái)確定瞬態(tài)過(guò)電壓的間隙、避免跟蹤故障的爬電距離,以及間隙的高度校正系數(shù)。

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          圖 13. Q1 和 Q2 的溫度響應(yīng)

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          圖 14. 20 A Q2 關(guān)斷波形

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          圖 15. 20 A Q2 開啟波形

          為了在這些表中選擇適當(dāng)?shù)臈l目,我們將工作電壓定義為 1000 V,瞬態(tài)過(guò)電壓定義為 2500 V,材料組 I(相對(duì)漏電起痕指數(shù) CTI > 600 的環(huán)氧樹脂模制混合物)和污染度 2,使用案例 A(非均勻場(chǎng))。這些條件產(chǎn)生了 IEC60664-1 中的以下參數(shù):

          ●   最小爬電距離 (F.4) = 5.0 mm

          ●   最小間隙(2000m ASL,F(xiàn).2)= 1.5 mm

          ●   高度修正系數(shù)(5000m ASL,A.2)= 1.48

          ●   所需總間隙 = 1.5 mm x 1.48 = 2.22 mm

          OBC 模塊旨在實(shí)現(xiàn)足夠的爬電距離,如圖 16 所示。觀察環(huán)氧樹脂模制混合物 (EMC) 的紅色表面,可以看到至少可以實(shí)現(xiàn) 12.1 毫米的爬電距離,從而允許散熱片的產(chǎn)生位置發(fā)生變化,如藍(lán)色箭頭所示。

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          圖 16. 可實(shí)現(xiàn)的爬電距離圖示

          圖 17 說(shuō)明了模塊設(shè)計(jì)的固有間隙。從引腳肩部到 EMC 頂面的最小間隙為 3.3 mm,這與任何散熱片表面可能達(dá)到的距離一樣近。這用藍(lán)色實(shí)線箭頭表示。在如圖 16 所示的帶有肩部的實(shí)際散熱片設(shè)計(jì)中,為了實(shí)現(xiàn)更高的爬電距離,大于 3.3 mm 的間隙是可能的,如藍(lán)色虛線箭頭所示。

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          圖 17. 可實(shí)現(xiàn)的間隙圖示

          貼裝指南

          通常,將模塊貼裝到用戶系統(tǒng)中的兩種方法如圖 18 所示。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),模塊可以先貼裝到散熱片上,然后裝到 PCB 上,或者先裝到 PCB 上,然后再貼裝到散熱片上。建議遵循方法 1,先裝到 PCB,然后再貼裝到散熱片,以便使用標(biāo)準(zhǔn)焊接工藝并避免選擇性焊接操作。

          將模塊貼裝到散熱片時(shí),用戶應(yīng)遵循表 4 中的建議,以避免對(duì)模塊造成機(jī)械損壞,尤其是因?qū)Π惭b螺釘施加過(guò)大扭矩而造成損壞。施加規(guī)定的扭矩時(shí),散熱片上的鉆孔尺寸應(yīng)與螺釘規(guī)格完全匹配,散熱片表面應(yīng)通過(guò)去除毛刺和突起來(lái)實(shí)現(xiàn)平滑,以滿足平整度和粗糙度要求。散熱片表面平整度和粗糙度的定義如圖 20 所示。表 4 顯示了有關(guān)貼裝扭矩(假設(shè)是帶墊圈的 SEMS 型 M3 螺釘)、散熱片表面和 DBC 表面的平整度及散熱片表面的粗糙度的準(zhǔn)則。

          表 4. 貼裝扭矩和平整度準(zhǔn)則

          1686138374643141.png

          模塊貼裝順序如下所述,如圖 19 所示。

          ●   應(yīng)用熱界面材料 (TIM)

          ●   預(yù)擰 A 側(cè)(~30% 扭矩)

          ●   預(yù)擰 B 側(cè)(~30% 扭矩)

          ●   擰緊 B 側(cè)(全扭矩)

          ●   擰緊 A 側(cè)(全扭矩)

          25.jpg

          圖 18. 貼裝方法

          26.jpg

          圖 19. 樣品貼裝流程和 SEMS 螺釘

          1686138346847338.png

          圖 20. 散熱片的平整度 (a) 和粗糙度 (b)

          熱界面材料 (TIM) 應(yīng)用

          TIM 應(yīng)用于散熱片和模塊之間,以降低接觸熱阻。用戶應(yīng)確保根據(jù) TIM 數(shù)據(jù)表(包括厚度 [m] 和熱導(dǎo)率 [W/mK])薄而均勻地應(yīng)用 TIM。只需使用少量的化合物來(lái)填充金屬觸點(diǎn)之間的間隙空間,從而增加有效的導(dǎo)熱表面積。由于接觸面不是完全平整的,因此兩個(gè)固體接觸面之間會(huì)形成多個(gè)氣隙??諝獾膶?dǎo)熱性差,會(huì)阻礙熱傳遞并限制有效接觸面積。熱界面材料 (TIM) 需要應(yīng)用于散熱片和模塊表面之間,以填充任何氣隙并實(shí)現(xiàn)低熱阻。以下是為特定應(yīng)用選擇 TIM 時(shí)的一般注意事項(xiàng)。選擇合適的 TIM 時(shí),除了導(dǎo)熱性外,處理性能和返工性能也是重要的考慮因素。

          ●   高導(dǎo)熱性

          ●   接觸壓力低,易于分配

          ●   厚度極小

          ●   特性隨時(shí)間退化

          ●   對(duì)環(huán)境造成的影響

          ●   在應(yīng)用或移除過(guò)程中易于處理

          雖然現(xiàn)在有許多不同性質(zhì)的熱界面材料可供選擇,但業(yè)界最常用的仍然是導(dǎo)熱膏。導(dǎo)熱膏由含有各種填料的硅油或烴油組成,這些填料具有良好的表面潤(rùn)濕特性,即使在低安裝壓力下也能輕松流動(dòng)以填充空隙。標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)熱化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在 2.0 - 4.0 W/m-K 之間,而高端導(dǎo)熱化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在 5.0 至 9.0 W/m-K 范圍內(nèi)甚至更高。作為替代方案,高導(dǎo)熱性石墨片可提供更高的可靠性和更高的熱性能,并且由于簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程而降低了總體成本。然而,熱阻取決于石墨片的厚度,選擇前應(yīng)檢查厚度和導(dǎo)熱系數(shù)。一種具有代表性的 TIM 是 Electrolube HTCP 導(dǎo)熱膏 [6]。

          HTCP 是一種非固化、非硅酮導(dǎo)熱膏,適用于禁止使用硅酮的應(yīng)用,從而避免硅酮和低分子量硅氧烷遷移問(wèn)題。它符合 RoHS?2 標(biāo)準(zhǔn)。表 5 顯示了 HTCP 的物理性質(zhì)。

          表 5. ELECTROLUBE HTCP 的物理性質(zhì)

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          參考文獻(xiàn)

          [1] Thandapani Thangavelu, Paramasivam Shanmugam, Karpagam Raj, “Modelling and control of VIENNA rectifier a single phase approach.” IET Power Electronics, 2015, Vol. 8, Iss. 12, pp. 2471?2482.

          [2] Zhu, Yutong, “Vienna Rectifier with Gallium Nitride (GaN) Devices,” MS?ECE Thesis, University of Wisconsin?Madison, 2016.

          [3] ECPE Guideline AQG 324, “Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units in Motor Vehicles,” European Center for Power Electronics e.V.

          [4] Ansys Q3D Extractor Multiphysics Parasitic Extraction and Analysis Software, https://www.ansys.com/products/electronics/ansys?q3d?extractor

          [5] IEC60664?1, “Insulation coordination for equipment within low?voltage systems ? Part 1: Principles, requirements, and tests.” 2nd Edition, 2004.

          [6] HTCP Technical Bulletin, Issue: 11 January 2022. www.electrolube.com

          [7] TDK Electronics, AG, “NTC thermistors for temperature measurement,” Data Sheet B573**V5, 2019.



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