國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展
近年來,汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域?qū)μ蓟璋雽w產(chǎn)品需求不斷增長,并推動新興半導體材料的發(fā)展。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202306/447959.htm在碳化硅襯底上,國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代,實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā),晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當,今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn);天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn),同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期,科友半導體傳來了新消息。
6月22日,科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。此前4月,科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產(chǎn),打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。
具體來看,在尺寸、厚度方面,科友半導體實現(xiàn)了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備,在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上,8英寸晶體直徑超過210mm,厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。
缺陷密度方面,科友半導體6英寸晶體位錯缺陷密度<3000個cm-2,8英寸晶體微管密度<0.1個cm-2,位錯缺陷密度<5000個cm-2,晶體質(zhì)量處于行業(yè)領先水平。
生長速率方面,科友半導體基于高熱場穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性,突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術(shù),長晶速率已達到170μm/h以上,長晶周期約為4-5天,單臺長晶爐設備每月運轉(zhuǎn)約6-7爐次。
產(chǎn)品良率方面,科友半導體基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗,開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù),大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。
資料顯示,科友半導體成立于2018年5月,是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設計、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè),研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域,已形成自主知識產(chǎn)權(quán),實現(xiàn)先進技術(shù)自主可控。
科友半導體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學、研一體化的第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū),實現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合,致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。
目前,科友半導體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關鍵技術(shù),8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%,晶體厚度15mm以上,有望粉碎國際封鎖,成為我國大尺寸低成本碳化硅規(guī)?;慨a(chǎn)制造技術(shù)的領跑者。
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