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          晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算

          作者: 時(shí)間:2023-07-04 來(lái)源:英飛凌 收藏

          功率廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對(duì)在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說(shuō)明,給廣大工程師在選型時(shí)提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算,請(qǐng)參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202307/448251.htm

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          晶閘管是半控型電力電子器件,可通過(guò)門極在晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),控制晶閘管導(dǎo)通,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管自行關(guān)斷。晶閘管一般處于工頻開關(guān)工作,所以在計(jì)算其損耗時(shí),忽略開關(guān)損耗,只計(jì)算其導(dǎo)通損耗。

          公式計(jì)算方法如下:

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          各參數(shù)定義如下:

          PVT是單個(gè)晶閘管的損耗

          VT0是閾值電壓 (threshold voltage)

          ITAV是單個(gè)晶閘管輸出電流平均值

          rT是斜率電阻 (slope resistance)

          F是波形因數(shù) (form factor),可由公式2獲得

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          其中ITRMS是單個(gè)晶閘管輸出電流均方根值,即有效值;對(duì)于UPS旁路應(yīng)用中的正弦半波電流,此時(shí) F取值1.571。(參考文后公式4~6)

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          上圖電路中I1是該相交流電流有效值,ITAV是單個(gè)晶閘管的電流平均值,U1為相電壓有效值。

          以600kW UPS,輸出電壓400 VAC旁路舉例,分別考慮下述過(guò)載規(guī)格,125%功率過(guò)載10分鐘以及150%功率過(guò)載1分鐘,并且以85%輸出電壓作為最惡劣條件。

          125%功率過(guò)載時(shí),對(duì)應(yīng)的最大相電流有效值為:

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          根據(jù)公式4計(jì)算該單個(gè)器件的電流平均值為:

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          選擇TT820N16KOF和TT600N16KOF作為方案?jìng)溥x,它們的參數(shù)如下:

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          由于只計(jì)算單個(gè)晶閘管的損耗,RthJC取單個(gè)晶閘管的結(jié)殼熱阻(per arm,θ=180° sin)。將上述參數(shù)代入公式1,并假定器件的殼溫Tcase=85°C,根據(jù)公式3即可計(jì)算出器件結(jié)溫。

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          對(duì)比這兩個(gè)方案的計(jì)算結(jié)溫,TT820N16KOF的結(jié)溫裕量有19,TT600N16KOF只有2.5。

          150%功率過(guò)載時(shí),對(duì)應(yīng)的最大相電流有效值為:

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          根據(jù)公式4計(jì)算該單個(gè)器件的電流平均值為:

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          同上述125%功率過(guò)載計(jì)算方法一樣,并且由于規(guī)格書中的瞬態(tài)熱阻在60S時(shí)已經(jīng)穩(wěn)定,我們可以使用上述表格中的最大RthJC值來(lái)計(jì)算結(jié)溫。

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          對(duì)比這兩個(gè)方案的計(jì)算結(jié)溫,TT820N16KOF的結(jié)溫裕量仍然有10℃,TT600N16KOF已經(jīng)超過(guò)最大結(jié)溫上限了。顯然,TT820N16KOF是最適合600kW UPS的旁路方案。此類壓接型的晶閘管外觀呈現(xiàn)黑色,有著更高的結(jié)溫規(guī)格以及更強(qiáng)的抗沖擊電流能力,適合UPS旁路應(yīng)用。

          我們?cè)偈褂肐POSIM來(lái)進(jìn)行仿真,然后同公式計(jì)算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。

          掃描下方二維碼或點(diǎn)擊文末“閱讀原文”,登陸官網(wǎng)上的IPOSIM頁(yè)面,選擇AC/AC Applications。

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          在器件選型中,選取TT820N16KOF和TT600N16KOF。

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          在Circuit & Control中輸入上文計(jì)算的I1,這里I1=Iout。

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          在Cooling Condition中設(shè)置固定殼溫(Fixed Case Temperature),最后運(yùn)行仿真(Run Simulation)。

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          仿真結(jié)果如下。其中Parm即是上文計(jì)算的PVT,TT系列晶閘管內(nèi)部是2顆芯片反向并聯(lián),Ptot=Parm*2。結(jié)果也顯示最大結(jié)溫Tvj max和單個(gè)晶閘管電流均方根值ITRMS。

          125%過(guò)載結(jié)果

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          150%過(guò)載結(jié)果

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          對(duì)比公式計(jì)算和IPOSIM仿真結(jié)果,基本一致。

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          當(dāng)然,IPOSIM的功能更強(qiáng)大,在Cooling Condition中還可以設(shè)置散熱片參數(shù),得到更準(zhǔn)確的結(jié)溫仿真結(jié)果。同時(shí),使用IPOSIM也更簡(jiǎn)單,只需要填入電流有效值即可,并能同時(shí)仿真多個(gè)方案進(jìn)行對(duì)比。

          以上,是晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗評(píng)估方法,請(qǐng)各位參考,謝謝。

          正弦半波電流的平均值和均方根有效值的計(jì)算。

          正弦半波電流的有效值

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          作者:周明

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