英飛凌高壓超結MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設計，同時以低成本實現(xiàn)高質量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和（混動）電動汽車車載充電器等應用。                                                                      

該產(chǎn)品組合進行了重要擴充，新增了創(chuàng)新的 QDPAK頂部冷卻（TSC）封裝，能夠在較小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)豐富的功能。這些特性使得該器件在低頻開關應用中極具優(yōu)勢，同時還可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封裝，這款器件的導通電阻值僅為 10 mΩ，在市場上同電壓等級產(chǎn)品中以及采用SMD 封裝的產(chǎn)品中屬于最低值。CoolMOS S7/S7A 解決方案通過最大程度地降低 MOSFET 產(chǎn)品的導通損耗，提高了整體效率，并提供了一種簡單易用且經(jīng)濟高效的方式來提高系統(tǒng)性能。

CoolMOS S7 電源開關還借助已改進的熱阻來有效管理散熱，通過采用創(chuàng)新、高效的 QDPAK 封裝，減少甚至消除了固態(tài)設計中對散熱器的需求，從而使系統(tǒng)變得更加緊湊和輕便。該系列 MOSFET產(chǎn)品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式，均能夠抵御高脈沖電流，并應對突然的浪涌電流。此外，該系列 MOSFET產(chǎn)品還具有體二極管的穩(wěn)健性，能夠確保在交流線路換向期間可靠運行。

由于所需的元器件較少，CoolMOS? S7系列高壓超結（SJ）MOSFET能夠減少零部件的數(shù)量，進而實現(xiàn)靈活的系統(tǒng)集成，降低BOM（材料清單）成本和總體擁有成本（TCO）。同時，該系列MOSFET 產(chǎn)品還能縮短反應時間，尤其在斷開電流時，能夠更加平穩(wěn)、高效地運行。

供貨情況 

用于靜態(tài)開關的全新 600 V 工業(yè)級 CoolMOS S7 和車規(guī)級 CoolMOS S7A 超結MOSFET ，均提供頂部冷卻（TSC）和底部冷卻（BSC）QDPAK封裝（PG-HDSOP-22）兩種封裝形式可供選擇，新產(chǎn)品現(xiàn)已開放訂購。