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          NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%

          作者: 時間:2023-09-04 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          近期,受晶圓合約價格成功上漲的推動, 芯片現(xiàn)貨市場部分產(chǎn)品的詢價活躍度有所上升。TrendForce 報告稱,這一增長主要源于 8 月底 供應(yīng)商與中國主要模塊制造商之間的談判。這些談判促成了一份新的晶圓合同,成功地將 512Gb 晶圓的價格提高了約 10%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202309/450212.htm

          其他供應(yīng)商也提高了同類產(chǎn)品的價格,這表明供應(yīng)商情緒發(fā)生了轉(zhuǎn)變:他們現(xiàn)在不太愿意以較低的價格完成交易。這一變化促成了晶圓現(xiàn)貨市場的短期飆升。然而,這種采購激增是否得到實際終端用戶需求的支持仍不確定,因為這些訂單是對供應(yīng)方定價調(diào)整的反應(yīng)。

          供應(yīng)商對定價保持堅挺,并尋求通過減產(chǎn)加速觸底反彈

          從 2022 年第 2 季度開始,鎧俠和美光率先減產(chǎn),2023 年第 2 季度三星緊隨其后。然而,這些削減的效果要到 2023 年下半年才能完全實現(xiàn)。TrendForce 報道稱,三星最初將產(chǎn)量削減了 25%,預(yù)計到 2023 年第 4 季度這一數(shù)字將增至 35%。這表明市場持續(xù)存在供應(yīng)過剩壓力。如果沒有供應(yīng)商的積極干預(yù),即使需求在 2023 年下半年略有復(fù)蘇, 相關(guān)產(chǎn)品價格的觸底反彈也將面臨挑戰(zhàn)。因此,目前各大 NAND Flash 供應(yīng)商都在積極減產(chǎn)來控制供應(yīng),以阻止價格進一步下跌,防止價格再創(chuàng)新低。

          隨著近期 NAND Flash 晶圓價格的上漲,金士頓、群聯(lián)等模組廠商的成本壓力加大。作為回應(yīng),這些公司越來越多地宣布打算提高最終產(chǎn)品的價格,特別是在 SSD 領(lǐng)域。最近,這些供應(yīng)商已恢復(fù)官方交易定價,不再允許客戶協(xié)商更低的價格。

          首先是大型科技公司和傳統(tǒng)企業(yè)原始設(shè)備制造商 (OEM) 對企業(yè)級固態(tài)硬盤 (SSD) 的需求增加。這些企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲的要求越來越高,因此采用更多的企業(yè)級 SSD 來滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)處理和存儲的需求。其次,SSD 在 PC 和游戲機中的普及也是推動市場增長的因素之一。隨著人們對快速啟動和高效數(shù)據(jù)讀寫的需求增加,SSD 在個人電腦和游戲機中的應(yīng)用越來越廣泛。智能手機和其他移動設(shè)備存儲容量的增加也是推動市場增長的因素之一。隨著用戶在手機中存儲大量照片、視頻和應(yīng)用程序的需求增加,手機制造商需要提供更大容量的存儲解決方案,這將推動 NAND Flash 市場的增長。

          TrendForce 認為,由于供應(yīng)商繼續(xù)掌握晶圓及相關(guān) NAND Flash 產(chǎn)品價格的決定權(quán),短期市場價格波動在意料之中。韓國供應(yīng)商可能會在第四季度進一步削減 NAND Flash 產(chǎn)量,以穩(wěn)定價格。然而,與實際的最終用戶需求相比,買家對未來的需求前景仍然保持謹(jǐn)慎甚至悲觀。因此,即使采購成本增加,也不太可能刺激訂單量激增。因此,當(dāng)前硅片現(xiàn)貨市場價格上漲趨勢的可持續(xù)性仍值得觀察。

          6 月?lián)娮訒r報報道,消息人士透露,三星計劃提高 NAND 晶圓價格。此外,如果消費電子市場需求在下半年改善,NAND 晶圓合約報價或?qū)⒒厣?/p>

          之前三星和 SK 海力士已在尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5%,并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下,一些品牌 SSD 價格已接近 HDD 價格。

          另據(jù) TrendForce 本周調(diào)查報告顯示,5 月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高 NAND 晶圓報價,對于中國市場報價均已略高于 3-4 月成交價。

          因此,該機構(gòu)預(yù)估 6 月模組廠啟動備貨下,主流容量 512Gb NAND 閃存晶圓有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自 2022 年 5 月以來的猛烈跌勢,預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約 0-5%,第四季漲幅將再擴大至 8%-13%。臺積電先進制程擬明年漲價 3%-6%

          據(jù)臺媒報道,IC 設(shè)計廠商表示,臺積電計劃從明年 1 月起將調(diào)漲先進制程的報價,漲幅達 3%-6%。

          IC 設(shè)計廠商稱,按照制程、訂單規(guī)模與合作緊密程度,眾廠漲幅不一,目前臺積電已陸續(xù)與與蘋果、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、高通及博通等多家客戶進行溝通漲價事宜。對于臺積電逆勢漲價的原因,廠商表示,主要是因為價格一旦下調(diào)就回不去,此外臺積電面對海外擴產(chǎn)成本、電費上漲等多方面壓力。

          展望 2024 年,TrendForce 另一篇研報表示,預(yù)期 2024 年存儲器原廠對于 DRAM 與 NAND Flash 的減產(chǎn)策略仍將延續(xù),尤其以虧損嚴(yán)重的 NAND Flash 更為明確。預(yù)估 2024 上半年,消費電子市場需求能見度仍不明朗,通用型服務(wù)器的資本支出仍受到 AI 服務(wù)器排擠、顯得相對需求疲弱,有鑒于 2023 年基期已低,加上部分存儲器產(chǎn)品價格已來到相對低點,預(yù)估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元同比增幅分別有 13.0% 及 16.0%。



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