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          ?III-V族半導體在未來電子領域的意義

          作者:azom 時間:2023-09-18 來源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          在追求下一代電子器件的過程中,處于領先地位的不是硅,而是 III-V 族半導體。這些非凡的化合物由元素周期表中第 III 族和第 V 族的元素組成,具有區(qū)別于傳統(tǒng)硅基半導體的獨特特性。本文探討了 III-V 族半導體的組成、多樣化應用、最新研究和挑戰(zhàn),闡明了它們在未來電子學中的關鍵作用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202309/450634.htm

          幾十年來,硅一直主導著半導體行業(yè),作為常見元素,硅在地球上的儲量豐富,使其在半導體應用領域具有成本效益,再加上硅優(yōu)異的半導體特性,其對行業(yè)的統(tǒng)治力是無與倫比的。因此,推翻硅的王位被證明是一項艱巨的任務,盡管并非不可能。

          III-V 族半導體的組成

          III-V 族半導體是通過元素周期表中第 III 族(如鎵、鋁和銦)和第 V 族(包括磷、砷和氮)元素的組合而產(chǎn)生的,從而產(chǎn)生晶格結(jié)構(gòu)具有卓越的電子特性。與硅不同,III-V 族半導體提供直接帶隙特性,從而實現(xiàn)從光子到電子的高效能量轉(zhuǎn)換,這種獨特的屬性使 III-V 族半導體特別適合光電應用。

          III-V 族半導體的應用

          III-V 族半導體的特性促進了各行業(yè)尖端應用的發(fā)展,從而在晶體管和集成電路等高頻和高速電子器件的創(chuàng)建中發(fā)揮著至關重要的作用,從而為世界經(jīng)濟做出了貢獻。開發(fā)更快、更節(jié)能的電子系統(tǒng)。此外,III-V 族半導體是激光器、光電探測器和發(fā)光二極管 (LED) 等光電器件的基石,從而促進了電信、數(shù)據(jù)通信和固態(tài)照明領域的進步。

          此外,III-V 族半導體在光伏領域至關重要,有助于創(chuàng)建高效太陽能電池,有效地將陽光轉(zhuǎn)化為電能。III-V 族半導體的帶隙特性有利于有效的光子吸收,從而使 III-V 族半導體成為利用太陽能的理想選擇。

          最新研究和進展

          近年來,研究人員在提高 III-V 族半導體的性能和拓寬應用可能性方面投入了大量精力。在開發(fā)新型 III-V 半導體材料方面取得了重大進展,提高了效率并降低了生產(chǎn)成本。此外,外延生長技術(shù)的進步促進了 III-V 族半導體材料與硅襯底的集成,為結(jié)合 III-V 族化合物和硅的優(yōu)點的混合集成電路鋪平了道路。

          III-V 族納米線和量子點在下一代電子和光電器件的發(fā)展中也獲得了突出地位,這些納米級結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出量子限制效應,為針對特定應用定制 III-V 族半導體的特性提供了機會。

          2022 年,密歇根大學的一組研究人員報告了鐵電 III-V 半導體的突破。米澤田教授領導的團隊通過巧妙的方法,成功地為 III 族氮化物材料賦予了「鐵電性」的特殊性質(zhì),從而能夠精確控制和操縱特定的材料性質(zhì),釋放了超高效存儲器、強大的電子器件的新潛力,甚至革命性的量子技術(shù)應用。

          研究人員還在增強高頻和高功率設備中的材料性能方面取得了突破,從而為創(chuàng)造更快、更強大的電子設備鋪平了道路,特別是與快速發(fā)展的 5G 和 6G 通信技術(shù)相關。此外,通過戰(zhàn)略性地將「鎵」元素引入到材料成分中,該團隊顯著提高了其整體質(zhì)量,使其更適合各種電子和光電設備。

          III-V 族半導體的挑戰(zhàn)

          盡管 III-V 族半導體潛力巨大,但它確實面臨著某些挑戰(zhàn)。主要問題是生產(chǎn)成本,因為 III-V 族半導體中使用的元素與硅相比相對昂貴,這阻礙了它們在大眾市場消費電子產(chǎn)品中的廣泛采用。因此,對于 III-V 族技術(shù)的商業(yè)可行性,確保高器件良率和成本效益非常重要。

          此外,由于晶格結(jié)構(gòu)和熱膨脹系數(shù)的差異,將 III-V 族半導體材料與現(xiàn)有硅基技術(shù)集成也帶來了挑戰(zhàn)。解決這些兼容性問題仍然是研究和開發(fā)的一個重要重點。

          與傳統(tǒng)硅基制造相比,處理 III-V 族材料的復雜性也可能具有挑戰(zhàn)性,需要專門的設備和專業(yè)知識。這將增加 III-V 族半導體制造的復雜工藝和成本,從而阻礙 III-V 族半導體的商業(yè)可行性。

          此外,一些 III-V 族半導體含有有毒元素,引發(fā)人們對其在生產(chǎn)、使用和處置過程中潛在環(huán)境影響的擔憂。因此,必須制定可持續(xù)的做法和廢物管理戰(zhàn)略來解決這些問題。

          結(jié)論

          隨著技術(shù)的不斷進步,III-V 族半導體有望徹底改變電子領域的格局,其卓越的性能和多樣化的應用使其在高速、節(jié)能電子設備和先進光電系統(tǒng)的開發(fā)中不可或缺。盡管面臨挑戰(zhàn),持續(xù)的研究和進展正在穩(wěn)步克服障礙,預示著 III-V 族半導體將塑造電子產(chǎn)品發(fā)展的未來。



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