存儲芯片,果真回暖了
受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響,存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/451392.htm根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示,DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均價跌幅收斂至 13%~18%,Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。
與 DRAM 市況相似,NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%,今年 Q1 NAND Flash 均價跌幅收斂至 10%-15%,Q2 NAND Flash 均價續(xù)跌 10%~15%。
可以看到,今年 Q1、Q2 存儲市場的跌幅正在逐漸放緩。眾所周知,存儲價格具有很強的周期性,在這一輪市場下滑到底部后,伴隨著經(jīng)濟和需求面的改善,存儲市場復(fù)蘇跡象正在出現(xiàn)并日益明顯。
9 月,市場回暖跡象愈發(fā)明顯
根據(jù) TrendForce 統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,今年 Q3 預(yù)估 DRAM 均價跌幅收斂至 0~5%。NAND Flash 均價跌幅收斂至 3~8%。跌幅的收斂得益于三星、美光科技、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等一眾廠商的減產(chǎn)策略。如今存儲市場的供需關(guān)系正在加速回歸平衡。
三井住友信托銀行的山上隼人以三星電子、SK 海力士、美光等廠商的存貨資產(chǎn)等為依據(jù),計算出「庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)」,在 2023 年 4-6 月時平均為 151 天、較近期最高紀錄的 2022 年 10-12 月(158 天、過去 10 年來最長)縮短 4%。因銷售出現(xiàn)改善,市場也傳出「DRAM 價格應(yīng)該不會再往下跌」的聲音。
同時在市場的現(xiàn)貨價格上,也不斷有好消息傳來。從 2023 年 4 月,存儲芯片的現(xiàn)貨報價跌幅開始收斂,6 月有市場消息稱,存儲芯片三巨頭集體醞釀漲價,目標漲幅最高 8%,8 月,指標性產(chǎn)品 8GB DDR4 價格為每塊 1.48 美元左右,已是連續(xù)第四個月環(huán)比持平。
存儲芯片在經(jīng)過史上最長的庫存調(diào)整期后,近期屬合約市場下游的廠商,已被原廠通知第四季度合約價要調(diào)漲,比如據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》引述業(yè)界消息報道稱,日前三星已與小米、OPPO、谷歌等智能手機品牌客戶簽署了 DRAM 和 NAND Flash 芯片供應(yīng)協(xié)議,價格比現(xiàn)有的合約價高出了 10%~20%。上游漲價合約價格信息的調(diào)整帶動,這一波漲價由 8-9 月現(xiàn)貨市場開始反彈。
存儲產(chǎn)品全線漲價
首先看 DRAM。在供應(yīng)端,自今年年初起,三大 DRAM 龍頭陸續(xù)啟動減產(chǎn)措施,以因應(yīng)市場需求不振,且進入下半年后,業(yè)界再度傳出三星將再度減產(chǎn),且累計各大 DRAM 廠的減產(chǎn)后,將可望讓第四季度的 DRAM 市場供給量再比第三季減少兩成。早在今年 4 月,美光消費零部件相關(guān)部門就正式向經(jīng)銷商發(fā)出通知稱,自 5 月起,DRAM 及 NAND Flash 將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢價——換言之,美光認為現(xiàn)階段價格已是最低行情,不再響應(yīng)降價要求。
在需求端,PC、智能手機等終端電子裝置搭載容量都呈現(xiàn)大幅成長趨勢,這也成為下半年有效去化庫存的關(guān)鍵。
在三大 DRAM 原廠的市場供給量持續(xù)減少,以及終端電子裝置搭載容量年成長五成情況下,下半年 DRAM 價格也有望迎來上漲。業(yè)內(nèi)預(yù)計,DRAM 將于今年四季度開始上漲,標志著新一輪增長周期的開始。并且,DRAM 價格上漲不僅是由于減產(chǎn)和庫存清倉等因素,還與人工智能市場有關(guān)。
再看 NAND。本月韓媒 Business Korea 報道,三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應(yīng)價格過低,公司計劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格,漲幅在 10% 以上,預(yù)計最快本月新合約便將采用新價格。
自今年年初以來,三星一直采取減產(chǎn)措施,晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%。只是最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,但隨著下半年開始,三星著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量。當前,三星正試圖推動 NAND 價格正?;?,以實現(xiàn)公司的盈利目標。在三星的減產(chǎn)戰(zhàn)略下,DRAM 領(lǐng)域已出現(xiàn)價格反彈,而 NAND 產(chǎn)品仍存在突破空間。三星的目標是進一步擴大減產(chǎn)規(guī)模,以降低供應(yīng)量,并逐步提高產(chǎn)品價格,從而實現(xiàn)公司的反轉(zhuǎn)目標。
美光也宣布將自 9 月起提高 NAND Flash 晶圓合約價約 10%,這一舉措被認為有望改善美光下半年的盈利狀況。不僅如此,隨后,SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等廠商也紛紛跟進,將價格上調(diào)了約 10%。為了確保此次漲價取得預(yù)期效果,三星、美光甚至內(nèi)部下達了一個明確的指令:絕不虧本賣 NAND 芯片,必須盈利才能出貨。
在國內(nèi)存儲市場,漲價行情也正自上而下傳導,據(jù)中國閃存市場信息顯示,由于 NAND 晶圓顆粒的價格上漲,以及貿(mào)易商出貨報價抬高的影響,國產(chǎn) SSD、eMMC/UFS、卡和 U 盤等成品端現(xiàn)貨價格全線走高。
其中 SSD 成本價格大概已上漲 20% 左右,國產(chǎn)二三線 SSD 品牌廠家近期已經(jīng)陸續(xù)開始執(zhí)行漲價。有些品牌在 8 月底已小漲,有的品牌已從 9 月份開始執(zhí)行漲價,首次成本價格上漲預(yù)計約達到 10% 左右,整體上漲幅度可以達到 15% 以上。預(yù)計多數(shù)品牌可能選擇幾輪的漲價策略陸續(xù)執(zhí)行,主要看市場需求以及終端的接受度而定,如果市場需求過差持續(xù)上漲可能受阻。
國內(nèi)不少存儲模組大廠最近已經(jīng)向客戶宣布暫停低價接單。從 9 月 12 日最新情況來看,上游方面,1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer 連續(xù)數(shù)周調(diào)漲,當周上漲至 3.35/1.65 美元;而在 DDR 方面,DDR4 16Gb/4Gb eTT 價格分別上漲 2.38%/5.88%;在渠道市場,SSD 和內(nèi)存條價格也出現(xiàn)普漲行情。
三星、鎧俠、SK 海力士等上游 NAND Flash 原廠開始拉高晶圓合約價,由于下游系統(tǒng)模組廠手中庫存低于正常季節(jié)水準,引發(fā)終端搶貨,消費性 SSD、存儲卡,手機相關(guān)零組件如 eMMC、eMCP 價格全面走揚。供應(yīng)鏈傳出,目前平均漲幅約在個位數(shù)左右,由于部分存儲產(chǎn)品庫存水位相對較低,因此四季度漲幅有望上看雙位數(shù)。
五大廠商 8、9 月最新營收,多家創(chuàng)新高
歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后,已有多家存儲廠商在最近兩個月的營收出現(xiàn)了環(huán)比增長的跡象,預(yù)示著需求正在緩慢回升。
南亞科:8 月營收 25.75 億新臺幣,較 2022 年同期減少 24.69%,較 7 月增加 5.65%,為九個月來新紀錄;9 月營收為 27.24 億元新臺幣,月增 5.8%,年減 15.03%,業(yè)績再創(chuàng)新高。
群聯(lián)電子:8 月營收 39.90 億新臺幣,環(huán)比增長 17.56%;9 月營收為 50.04 億元新臺幣,月增 25.38%,年增 4.05%,重返 50 億元新臺幣大關(guān),創(chuàng) 14 個月新高。群聯(lián)電子表示 8 月 SSD 模組出貨量已逐漸回溫,其中 PCle SSD 模組同比增長約 60%,整體 NAND 位元數(shù)同比增長近 50%。部分 NAND 控制芯片開始出現(xiàn)客戶端庫存不足的狀況。隨后在 9 月份 SSD 模組出貨量持續(xù)出現(xiàn)逐漸回溫狀況。其中,PCIe SSD 模組出貨量成長更是將近 60%,而整體 NAND 儲存位元數(shù)的年成長率(BitGrowth Rate)也超過 75%。
華邦電子:8 月營收 64.24 億新臺幣,環(huán)比增長 1.74%;9 月營收為 67.66 億元新臺幣,月增 5.32%,年減 7.96%。華邦電子表示 8 月 DRAM 市場略有回溫。
旺宏:8 月營收 26.01 億新臺幣,環(huán)比增長 19.23%;9 月營收為 25.01 億元新臺幣,月減 3.8%,年減 39.6%。旺宏表示 2023 年下半年汽車 NOR Flash 有望逐季回升。
威剛:8 月營收 29.71 億新臺幣,環(huán)比增長 30.40%,創(chuàng)近 11 個月單月新高。9 月業(yè)績暫未公布。不過威剛指出,其 8 月 DRAM 模組營收較上個月大幅成長五成,不僅一舉超過 14 億元,也達到 2022 年 5 月以來單月新高,占整體營收比重則拉高至 47.57%。SSD 單月營收同步回升至 9.98 億元,月增 19.89%,營收比重為 33.6%;閃存卡、U 盤及其他產(chǎn)品占比 18.83%。
10 月初,威剛董事長陳立白表示,存儲芯片產(chǎn)業(yè)苦熬兩年,黑暗將過,2024 年下半年更可能出現(xiàn)短缺。他認為,由于三大存儲芯片巨頭積極減產(chǎn),效益開始顯現(xiàn),NAND 及 DRAM 近期現(xiàn)貨價皆從低谷處呈現(xiàn)雙位數(shù)反彈。
眼看市場回暖在即,2024 年存儲市場的發(fā)展趨勢將會如何?
2024 年,中國市場 DRAM、NAND 芯片供應(yīng)將出現(xiàn)短缺
近日,三星電子對其全球主要客戶的半導體需求進行了調(diào)查。結(jié)果表明,各領(lǐng)域客戶的存儲庫存調(diào)整已接近完成,半導體行業(yè)將從 2024 年起全面反彈。三星預(yù)計從 2024 年開始將會有部分地區(qū)的 DRAM 和 NAND Flash 供應(yīng)出現(xiàn)短缺,特別是在中國市場。
三星的一位高級管理人員提到,越來越多的半導體公司已經(jīng)完成庫存調(diào)整,特別是在與最大客戶蘋果公司成功進行價格談判之后。預(yù)計 NAND 業(yè)務(wù)的虧損將大幅減少。
在服務(wù)器 DRAM 業(yè)務(wù)方面,針對北美大客戶的半導體庫存調(diào)整也進入最后階段。數(shù)據(jù)中心運營商為了應(yīng)對人工智能需求,正在擴大基礎(chǔ)設(shè)施投資。
那么未來存儲市場的需求驅(qū)動力又有哪些?
未來哪些存儲芯片將變得更加火熱?
據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計,智能手機對 DRAM 和 NAND 的需求量均接近 40%。此外,服務(wù)器和 PC 對 DRAM 的需求分別達到 34% 和 13%。
手機:對大容量 LPDDR、3D NAND 組件等需求越來越大。
國內(nèi)智能手機市場正掀起一場大內(nèi)存普及戰(zhàn)役。過去一兩年,低端手機 NAND Flash 容量由 32GB 逐漸升至 64GB;中端手機已經(jīng)逐漸取消 RAM 8GB 和 ROM 128GB 容量配置,完全普及 256GB;支持 RAM 12/16/18GB 和 ROM 512GB/1TB 容量的機型越來越多,并逐漸向中低端滲透。反映到全球存儲容量規(guī)模上,2022 年全球 NAND Flash 容量增長 6% 至 6100 億 GB,全球 DRAM 容量將增長 2% 至 1900 億 GB??梢砸姷茫磥韺Υ笕萘?LPDDR、3D NAND 組件等需求會越來越大。
PC:DDR5/LPDDR5 滲透率提高,512GB SSD 成為主流。
PC 及平板電腦的出貨量大漲,對于 DDR 內(nèi)存的需求也顯著增大,DDR5 已經(jīng)開始被推向市場的風口。英特爾及 AMD 均已發(fā)布支持 DDR5 的處理器,AMD 在 2022 年 8 月發(fā)布其銳龍 7000 系列處理器,首發(fā)包括 R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X 四個型號,已在 9 月 27 日正式上市,7000 系列處理器全面支持 DDR5,且不再支持 DDR4 內(nèi)存,足以看出 AMD 對于未來搭載 DDR5 內(nèi)存平臺的信心。
另外在 PC 領(lǐng)域,固態(tài)硬盤已經(jīng)完全取代了機械硬盤,目前筆記本電腦中配備 512GB SSD 成為主流,搭載 1TB/2TB 的 SSD 的 PC 也在逐漸增多。
AI 服務(wù)器:DDR5 滲透率快速增長,HBM 需求激增。
服務(wù)器需求的增長正在成為存儲芯片市場的新能動,超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的高性能服務(wù)器更是離不開 DDR5 的加持,疊加 AI 效應(yīng)的持續(xù)發(fā)酵,HBM 產(chǎn)品需求暴增。據(jù)悉,2023 年開年后三星、SK 海力士兩家存儲大廠 HBM 訂單快速增加,價格也水漲船高,近期 HBM3 規(guī)格 DRAM 價格已上漲 5 倍。
根據(jù) TrendForce,目前高端 AI 服務(wù)器 GPU 搭載 HBM 已成主流,預(yù)估 2023 年全球 HBM 需求容量將達 2.9 億 GB,同比增長近 60%。TrendForce 測算,2023 年 HBM 市場規(guī)模預(yù)計為 31.6 億美金,到 2025 年市場規(guī)模有望突破 100 億美金。
從目前各原廠規(guī)劃來看,TrendForce 預(yù)估 2024 年 HBM 供給位元量將同比增長 105%。
汽車等新興領(lǐng)域驅(qū)動存儲市場增長。
隨著智能汽車的不斷發(fā)展也給主流和利基型存儲帶來新的增長點。據(jù)悉,全自動駕駛車輛所需的 DRAM、NAND 將分別是傳統(tǒng)汽車的 30 倍與 100 倍。另外在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續(xù)引領(lǐng)市場增長。
在經(jīng)歷了一年的價格波動之后,存儲芯片市場終于開始走向回暖。結(jié)合幾大原廠最新財報數(shù)據(jù)及市場動態(tài)顯示,庫存調(diào)整有所成效,預(yù)計存儲芯片行業(yè)有望最晚在 2024 年步入量價齊升的上行通道。
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