SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰(zhàn)
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我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：
● 電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。
例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。
● 數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本。
● 可再生能源：SiC 和GaN 可用于太陽能和風(fēng)能逆變器，以提高效率并降低系統(tǒng)成本。
與傳統(tǒng)的硅基解決方案相比，SiC 和GaN 具有許多優(yōu)勢，包括：
● 更高的功率密度：與硅器件相比，SiC 和GaN 器件每單位面積可以負(fù)載更高的功率。這允許實現(xiàn)更小、更輕的功率轉(zhuǎn)換器。
● 更高的效率：SiC 和GaN 器件比硅器件效率更高，可以降低能耗并延長電池壽命。
● 更低的系統(tǒng)成本：在許多應(yīng)用中，SiC 和GaN 器件的較高效率可以抵消器件較高的前期成本，從而降低整體系統(tǒng)成本。
王駿躍(安世半導(dǎo)體中國區(qū)SiC產(chǎn)品市場戰(zhàn)略副總監(jiān))
2 面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)安世
安世（Nexperia）認(rèn)為，寬禁帶功率器件正朝著大規(guī)模使用的方向發(fā)展，特別是在汽車行業(yè)（尤其是電動汽車領(lǐng)域）。
盡管寬禁帶材料正變得越來越成熟，但在實現(xiàn)高質(zhì)量和擴(kuò)大SiC 和GaN 晶圓和器件的生產(chǎn)能力方面仍然存在挑戰(zhàn)。需要不斷的研發(fā)努力來提高組件的性能、可靠性和良率。
然而，最大的挑戰(zhàn)主要與供應(yīng)鏈限制有關(guān)，這可能會影響寬禁帶材料被市場采用的速度。這些依賴于復(fù)雜的全球供應(yīng)鏈，包括原材料、設(shè)備和專業(yè)知識。供應(yīng)鏈中斷，例如基本要素的稀缺或地緣政治緊張局勢，以及未來相關(guān)人才的不足，可能會影響SiC 和GaN 的供應(yīng)和成本。為了商業(yè)上的可行性，并與現(xiàn)有技術(shù)競爭，寬禁帶半導(dǎo)體的制造成本仍需要進(jìn)一步降低，以使產(chǎn)品與硅基半導(dǎo)體相比具有商業(yè)競爭力。
3 封裝是克服性能挑戰(zhàn)的關(guān)鍵
克服性能挑戰(zhàn)的關(guān)鍵還在于封裝技術(shù)。在實現(xiàn)更高功率密度和優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換器封裝目標(biāo)的推動下，目前有一個明顯的設(shè)計趨勢，即在封裝中將To 封裝的熱優(yōu)勢與通過SMD 技術(shù)實現(xiàn)的電感優(yōu)勢相結(jié)合。例如，頂部冷卻SMD 封裝技術(shù)，例如銅夾CCPAK，或具有最大散熱器面積的無引腳SMD 封裝（例如PQFN 和LGA），以及嵌入式芯片技術(shù)。為了利用這些功能，硬件設(shè)計人員必須仔細(xì)設(shè)計和選擇外圍組件。這些新的解決方案需要特別注意保持足夠的爬電距離，并增加對熱界面材料和功率轉(zhuǎn)換器熱堆棧設(shè)計的要求。
（本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年10月期）
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