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          SOI芯片熱潮再起,中國市場信心大增

          作者: 時間:2023-10-26 來源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          受到美國政府的干擾,中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難,同時也給原來沒有得到足夠關注的技術或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇,(絕緣體上硅)制程工藝就是其中之一。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/452112.htm

          2019 年之前,當先進制程工藝演進到 10nm 時,當時昂貴的價格,以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題,一直是業(yè)界關注的難題, 正是看到了 FinFET 的這些缺點,才引起人們關注的,它最大的特點就是成本可控,且漏電流非常小,功耗低。

          在實際應用中, 主要分為 FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)和 RF-SOI(射頻絕緣體上硅)。

          FD-SOI 主要用于處理器等邏輯芯片制造,因此,與 FinFET 對標的就是 FD-SOI。從目前的發(fā)展情況來看,F(xiàn)D-SOI 主要與 10nm 之前的 FinFET 工藝競爭,而目前已經(jīng)量產(chǎn)的 5nm、3nm 制程,則不在 FD-SOI 競爭范圍之內。在 10nm 制程之前時代,F(xiàn)inFET 技術路線的先進工藝具有工藝復雜、工序繁多、良率下降等問題,使得在 28 nm 以下制程的每門成本不降反升,而 FD-SOI 卻在低功耗、防輻射、低軟錯誤率、耐高溫和 EMC 等方面具備明顯優(yōu)勢。

          FD-SOI 有兩大技術亮點:一是在體硅中引入了超薄的埋氧(BOX)層,作為絕緣層;二是用超薄的頂硅層制造出全耗盡的晶體管溝道。從結構上看,F(xiàn)D-SOI 晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容,還能有效抑制電子從源極流向漏極,大幅降低了導致性能下降的漏電流。



          在相同條件下,12nm FD-SOI 的制造成本比 16nm FinFET 低 22.4%,比 10nm FinFET 低 23.4%。設計成本方面,12nm FD-SOI 大概在 5000 萬-5500 萬美元之間,而 16nm FinFET 達到了 7200 萬美元。

          RF-SOI 主要用于射頻芯片,如低噪聲放大器(LNA)、射頻開關以及天線調諧器等,在毫米波應用中,RF-SOI 可以用來制造功放。與傳統(tǒng)的 GaAs 和 SOS 工藝相比,RF-SOI 不僅成本更低、集成度更高,還發(fā)揮了 SOI 材料結構的優(yōu)勢,所實現(xiàn)的器件具有高品質、低損耗、低噪聲等射頻性能,主要用于制造智能手機和無線通信設備上的射頻前端芯片。

          目前,RF-SOI 應用非常廣泛,相對而言,F(xiàn)D-SOI 應用發(fā)展較為緩慢。

          產(chǎn)業(yè)鏈構成

          SOI 產(chǎn)業(yè)鏈涉及晶圓、襯底、晶圓廠,以及相關芯片設計公司和 IDM 廠商。

          SOI 晶圓制造廠商主要分布在歐洲、日本和中國臺灣地區(qū),晶圓代工廠則在歐洲、韓國、美國和中國大陸地區(qū)。

          SOI 晶圓制造廠商主要包括法國 SOITEC、芬蘭 Okmetic、日本信越 (Shin-Etsu)、勝高 (SUMCO)、中國臺灣環(huán)球晶,以及中國大陸的上海新傲(SIMGUI)。

          在 SOI 晶圓和襯底材料方面投入較多資源的廠商主要有信越、Okmetic 和環(huán)球晶,特別是在 SOI 發(fā)展前期,這些廠商在 FD-SOI 方面投入較多,近些年,更加側重對 RF-SOI 的投入。

          SOI 晶圓代工廠主要包括格芯(GlobalFoundries)、三星電子、意法半導體(STM)、聯(lián)電、TowerJazz,以及華虹宏力和中芯國際。其中,格芯是 SOI 技術和相關芯片制造的領頭羊,該公司 SOI 晶圓廠大多集中在德國和新加坡。

          據(jù) QYResearch 統(tǒng)計,全球前四大 SOI 晶圓廠商格芯、三星電子、STM 和中芯國際約占全球 98% 的市場份額。

          SOI 制程技術和應用

          先看一下 FD-SOI 的應用情況:

          在工藝技術和應用層面,總的來說,F(xiàn)inFET 的目標市場是中高端的高性能芯片,而 FD-SOI 則是面向中端的、要求低功耗和高性價比的應用。

          手機市場不斷變化,但有些需求是始終不變的,比如手機必須在有需要的時候提供非常高的性能,但是它的耗電又必須很低。AR 和 AI 技術越來越成熟,越來越多的可穿戴設備進入市場和人們的生活,這些設備必須小而輕,它既要具備高算力,耗電還要低。這些都是 FD-SOI 的應用市場。

          作為領頭羊,格芯于 2015 年提出了 22FDX(22nm FD-SOI 工藝)產(chǎn)品規(guī)劃,并于 2016 年發(fā)布了 12FDX(12nm FD-SOI 工藝)平臺計劃和路線圖。據(jù)悉,12FDX 的工作電壓將低于 0.4 伏,該技術的優(yōu)勢是能夠改變體偏壓,相比 16nm 和 14nm 的 FinFET 工藝,12FDX 的能耗降低了 50%。格芯稱 12FDX 可實現(xiàn)接近于 7LP 工藝的性能。

          格芯表示,22FDX 很好地整合了 RF,這也是它相對于 FinFET 工藝最大的優(yōu)勢所在,還有很重要的一點是能夠實現(xiàn)智能縮放,無需三重/四重曝光。對比 10nm 的 FinFET,它的掩膜成本降低了 40%,并且在模擬設計方面也更加靈活,這意味著降低了成本,并減少設計周期。

          近些年,F(xiàn)D-SOI 推廣的最大障礙是不完善的生態(tài)系統(tǒng)以及缺少相關 IP,因此,格芯在這些方面做了不少工作,據(jù)悉,22FDX 已經(jīng)有 30 個 IP 合作伙伴,包括 INVECAS、Synopsys、Verisilicon、Uniquify 等。

          隨著嵌入式 MRAM(eMRAM)的興起,SOI 又有了新的用武之地。22FDX eMRAM 是一個典型代表,其在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興應用方面,有著很不錯的發(fā)展前景。

          格芯推出了基于 22FDX 平臺的 eMRAM 技術,主要面向消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等應用的 MCU。FDX 平臺和 eMRAM 的能效連同 RF 連接功能和毫米波 IP,使得 22FDX 成為電池驅動的物聯(lián)網(wǎng)和自動駕駛汽車雷達 SoC 的優(yōu)選方案。

          2018 年,格芯投產(chǎn)的 12 nm FD-SOI 芯片幾乎擁有 10 nm FinFET 工藝芯片同等的性能,但功耗和生產(chǎn)成本卻比 16 nm FinFET 工藝產(chǎn)品還低。

          除了格芯,三星也是 FD-SOI 的重要推動力量,三星 LSI 推出了「28FDS」技術和產(chǎn)品,這是三星與意法半導體深度合作的結果,得到了后者的技術授權。

          三星晶圓代工業(yè)務部門的發(fā)展路徑主要分為兩條:從 28nm 節(jié)點開始,一條是按照摩爾定律繼續(xù)向下發(fā)展,不斷提升 FinFET 的工藝節(jié)點,從 14nm 到目前的 3nm;另一條線路就是 FD-SOI 工藝,該公司還利用其在存儲器制造方面的技術和規(guī)模優(yōu)勢,著力打造 eMRAM。

          實際上,三星在 MRAM 研發(fā)方面算是起步較早的廠商,2002 年就開始了這項工作,并于 2005 年開始進行 STT-MRAM 的研發(fā),之后不斷演進,2014 年就生產(chǎn)出了 8Mb 的 eMRAM。該公司還研制出了業(yè)界第一款采用 28FDS 工藝的 eMRAM 芯片。

          近些年,三星還在向 18FDS(18nm 的 FD-SOI)進發(fā)。

          2022 年 4 月,CEA(法國原子能和替代能源委員會)、SOITEC、格芯和意法半導體聯(lián)合制定了下一代 FD-SOI 技術發(fā)展規(guī)劃,以促進 FD-SOI 在汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動設備中的應用。意法半導體則重啟了向 1X 納米制程節(jié)點的演進計劃,在先進制程方面明確選擇了 FD-SOI 技術路線為突破重點。

          下面看一下 FD-SOI 在新興應用領域的發(fā)展情況:

          RISC-V 與 FD-SOI 搭配很值得關注。從 2011 年至今,加州大學伯克利分校電子工程和計算機科學系的 Borivoje Nikolic 教授帶領的研究團隊已經(jīng)設計了超過 10 款采用 28nm FD-SOI 工藝的芯片,其中 9 個完成了功能測試,6 款對外發(fā)布。

          近幾年,F(xiàn)D-SOI 在汽車上的應用也成熟起來,特別是雷達。傳統(tǒng)汽車雷達芯片主要采用模擬制造工藝,近些年,CMOS 工藝(如 40nm、28nm、22nm、16nm)越來越多地用于汽車雷達芯片,為電路提供了高集成度。

          在用于汽車雷達芯片的 CMOS 工藝中,22nm FD-SOI 技術明顯優(yōu)于 FinFET,該技術被多家雷達芯片廠商(如 Bosh 和 Arbe)視為最先進的雷達 CMOS 技術,能夠提供 ft >350Ghz 和 Fmax > 390Ghz 的晶體管性能,并具保持低功耗。

          在汽車雷達芯片中,F(xiàn)D-SOI 的體偏置優(yōu)勢得到了充分發(fā)揮。體偏置允許控制器件調整閾值電壓,通過在產(chǎn)品中實施體偏置,可以顯著減少芯片工藝、電壓、溫度變化帶來的老化問題,從而簡化汽車雷達產(chǎn)品工程師的工作。

          再看一下 RF-SOI 的應用情況:

          如前文所述,RF-SOI 主要用于制造射頻芯片,特別是射頻開關,被 RF-SOI 占據(jù)了絕大部分市場份額。國際大廠 Qorvo、Peregrine、Skyworks 等,以及中國本土射頻芯片大廠,都提供基于 RF-SOI 的開關產(chǎn)品,制造通常交給代工廠格芯、意法半導體、TowerJazz、聯(lián)電等。

          基于 RF-SOI 工藝的射頻開關多采用 180nm-45nm 的制程,晶圓尺寸以 8 英寸為主,12 英寸的比較少,主要原因是成本,不過,從目前的發(fā)展形勢來看,采用 12 英寸晶圓產(chǎn)線制造 RF-SOI 芯片的案例會越來越多。

          目前,產(chǎn)業(yè)龍頭格芯面對用于 5G 手機的 RF-SOI 射頻芯片,主要采用 45nm RF-SOI 工藝,該工藝采用了高電阻率 trap-rich 的 SOI 襯底,可以集成 PA,LNA,開關,移相器。

          模擬芯片晶圓代工廠 TowerJazz 也很重視 RF-SOI 工藝技術的開發(fā),該公司制造的 RF-SOI 芯片在 RonCoff 特性方面具有比較突出的性能優(yōu)勢,能夠實現(xiàn)很低的插入損耗。

          中國的 SOI 發(fā)展機遇

          近些年,中國大陸企業(yè)在 SOI 晶圓、襯底、代工、IP 等方面也取得了進步。

          作為中國大陸硅片制造龍頭企業(yè),滬硅產(chǎn)業(yè)旗下子公司獲得了 SOITEC 的技術授權,公司于 2022 年 2 月完成 50 億元定增,其中 20 億元投入高端硅基材料研發(fā),SOI 就是重要組成部分。

          上海新傲是研發(fā)和制造 SOI 材料的公司,采用 SIMOX,BONDING,SIMBOND 和 Smart-Cut 等技術,可以提供一體化的 RF-SOI 材料服務,是國內 RF-SOI 產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán)。

          最近,中國在 12 英寸 RF-SOI 晶圓襯底制造技術方面取得了突破,中國科學院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊制備出了國內第一片 12 英寸 RF-SOI 晶圓。該團隊依次解決了 12 英寸 RF-SOI 晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題,實現(xiàn)了中國本土 12 英寸 SOI 制造技術從無到有的重大突破。

          為制備適用于 12 英寸 RF-SOI 的低氧高阻襯底,該團隊自主開發(fā)了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質模型,并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內對流和傳熱傳質的影響機制,以及結晶界面附近氧雜質的輸運機制?;诖四M結果指導拉晶工藝,最終成功制備出了適用于 12 英寸 RF-SOI 的低氧高阻襯底,氧含量小于 5 ppma,電阻率大于 5000 ohm.cm。

          晶圓代工方面,中芯國際一直在進行 RF-SOI 平臺的研發(fā)和升級工作,推出的 0.13um 制程 RF-SOI 具有諸多優(yōu)勢,如設計規(guī)則減少方面,可從 15% 提升到 29%,芯片尺寸減少了 30%。

          IP 方面,芯原微電子(VeriSilicon)與意法半導體、三星電子和格芯保持了多年的合作關系,先后推出了 28nm FD-SOI、22nm FD-SOI 產(chǎn)品,是第一個 PPA 數(shù)據(jù)提供商。芯原還在襯底偏置技術的探索及產(chǎn)品設計方面,投入了大量人力,取得了多個技術成果。

          據(jù) QYResearch 統(tǒng)計,預計 2029 年全球 FD-SOI 市場規(guī)模將達到 190.1 億美元,未來幾年的年復合增長率(CAGR)達到 28.4%。

          在這種發(fā)展態(tài)勢下,中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展又受到美國政府限制,發(fā)展 SOI 是一個很好的突破點。本周,中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長葉甜春指出,F(xiàn)D-SOI 給中國帶來了新的機會和發(fā)展空間。FD-SOI 工藝可以幫助本土半導體開辟新賽道,在 10nm 以下先進制程被限制的情況下,國產(chǎn)廠商可以通過 22nm FD-SOI 工藝來升級或替代相關技術需求,且 FD-SOI 在設計和制造成本上具有優(yōu)勢,開發(fā)周期更短。

          葉甜春強調,推動 FD-SOI 生態(tài)發(fā)展需要更多芯片設計公司和應用廠商加入進來。目前,國內一些企業(yè)在 FD-SOI 材料、設計和設計服務上做了很多工作,但全球 FD-SOI 產(chǎn)能嚴重不足,所以,中國市場要在前道和后道共同發(fā)力,推動本土制造平臺的建立。隨著越來越多的廠商和用戶參與進來,預計未來 5-10 年,中國 FD-SOI 生態(tài)會有一個全新的面貌。同時,由于中國的深度參與,全球 FD-SOI 產(chǎn)業(yè)也將迎來新的發(fā)展空間。



          關鍵詞: SOI

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