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          良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

          作者:故淵 時(shí)間:2023-10-27 來(lái)源:IT之家 收藏

          IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,公司克服了量產(chǎn)碳化硅()晶圓的重重技術(shù)難關(guān),已經(jīng)將 晶圓推進(jìn)至 8 英寸,和國(guó)際大廠保持同步。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/452161.htm

          徐秀蘭預(yù)估將會(huì)在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 產(chǎn)品,2025 年大幅增長(zhǎng),到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。

          環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經(jīng)超過(guò) 50%,而且有進(jìn)一步改善的空間,明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。

          良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

          IT之家從報(bào)道中獲悉,徐秀蘭表示客戶(hù)都希望環(huán)球晶圓教書(shū)從 6 英寸到 8 英寸 SiC 量產(chǎn)的過(guò)渡,主要客戶(hù)來(lái)自汽車(chē)領(lǐng)域。

          環(huán)球晶圓設(shè)計(jì)并開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)的碳化硅晶體生長(zhǎng)爐(Crystal Growth Furnace),增強(qiáng)了材料質(zhì)量控制并降低了晶體生長(zhǎng)成本。

          SiC 的高硬度和脆性使得晶圓加工具有挑戰(zhàn)性,但環(huán)球晶圓采用更高的工藝精度和更高效的晶圓處理方法,從而實(shí)現(xiàn)超薄 SiC 晶圓加工。



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