沖刺 1nm 制程，日本 Rapidus、東京大學(xué)與法國(guó)研究機(jī)構(gòu)合作開發(fā)尖端半導(dǎo)體

IT之家 11 月 17 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日凌晨報(bào)道，日本芯片制造商 Rapidus、東京大學(xué)將與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) Leti 合作，共同開發(fā)電路線寬為 1nm 級(jí)的新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù)。

報(bào)道稱，雙方將從明年開始展開人員交流、技術(shù)共享，法國(guó)研究機(jī)構(gòu) Leti 將貢獻(xiàn)其在芯片元件方面的專業(yè)技術(shù)，以構(gòu)建供應(yīng) 1nm 產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。

雙方的目標(biāo)是確立設(shè)計(jì)開發(fā)線寬為 1.4nm-1nm 的半導(dǎo)體所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。制造 1nm 產(chǎn)品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，Leti 在該領(lǐng)域的成膜等關(guān)鍵技術(shù)上具備較為雄厚的實(shí)力。

與 2nm 相比，1nm 技術(shù)可將計(jì)算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已經(jīng)與 IBM 和比利時(shí)研發(fā)集團(tuán) Imec 合作，以實(shí)現(xiàn) 2027 年量產(chǎn) 2nm 芯片的目標(biāo)，預(yù)計(jì) 1nm 半導(dǎo)體最快在 2030 年代進(jìn)入主流。同時(shí)，IBM 也考慮在 1nm 領(lǐng)域與 Rapidus 進(jìn)行合作。

另?yè)?jù)IT之家此前報(bào)道，荷蘭大型半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商 ASML 將在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技術(shù)支持基地。Rapidus 公司正在力爭(zhēng)量產(chǎn)最先進(jìn)半導(dǎo)體，ASML 將為 Rapidus 提供工廠建設(shè)和維護(hù)檢查等協(xié)助，到 2028 年前后將日本國(guó)內(nèi)人員增加 40%。