（1）半導(dǎo)體加工是指在一個(gè)晶圓上完整構(gòu)造多層集成電路（Integrated Circuit，IC） 的過(guò)程。通過(guò)一系列特定的工藝，晶體管、二極管、電容器、電阻器等一系列元器件被按照 一定的電路互聯(lián)并集成在半導(dǎo)體晶片上，封裝在一個(gè)外殼里，使之能夠執(zhí)行特定功能，這也 就是人們常說(shuō)的芯片。一般來(lái)說(shuō)，集成電路上可容納的元器件數(shù)目越多，芯片性能就越好。 一個(gè)先進(jìn)的集成電路器件通常包含幾十層的復(fù)雜微觀結(jié)構(gòu)，加工時(shí)需要一層一層地建造，總 計(jì)可以達(dá)到數(shù)百至上千個(gè)步驟，復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和步驟需求對(duì)半導(dǎo)體加工設(shè)備的成功率提出了極 高的要求。

（2）薄膜沉積、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造的三大核心工藝。薄膜沉積工藝系在晶圓上 沉積一層待處理的薄膜，勻膠工藝系把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝系把光罩上的 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝是把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從 光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。一片晶圓的制造需要數(shù)十層光罩，通過(guò)不斷循環(huán)這三個(gè)步驟，所有光罩 表面的圖形被逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上，使其具備所需要的結(jié)構(gòu)和功能，由此可用于后續(xù)封裝測(cè)試。 在每一層的加工過(guò)程中，刻蝕工藝、被刻蝕的材料、以及操作深度等都可能有所不同。

1.2.刻蝕工藝方法多樣，多種技術(shù)路線并行

（1）刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體器件加工的上游核心環(huán)節(jié)之一，上游零組件逐步國(guó)產(chǎn)化，下游 晶圓擴(kuò)產(chǎn)逐步帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備技術(shù)進(jìn)步與占有率提升。1）刻蝕機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈的上游為各類零件及 系統(tǒng)的生產(chǎn)供應(yīng)商，主要分為預(yù)真空室、刻蝕腔體、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)四大部分，各個(gè)環(huán) 節(jié)均涉及一定的核心零部件。目前國(guó)內(nèi)已有多家廠商涉足相關(guān)核心零件的生產(chǎn)，未來(lái)有望實(shí) 現(xiàn)全方位的國(guó)產(chǎn)替代。2）產(chǎn)業(yè)鏈下游則為半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商，根據(jù)其經(jīng)營(yíng)模式可分為 Fabless 模式下的晶圓制造商，及垂直整合模式下的制造商。前者受芯片設(shè)計(jì)廠商的委托， 提供晶圓制造服務(wù)，如臺(tái)積電、中芯國(guó)際等。后者則獨(dú)立完成集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封 測(cè)等全部環(huán)節(jié)，只有如英特爾、三星等少數(shù)大型企業(yè)采取此模式。

（2）當(dāng)前，干法刻蝕占據(jù)市場(chǎng)規(guī)模的 90%左右，在圖形轉(zhuǎn)移中占據(jù)主導(dǎo)地位，濕法刻 蝕獨(dú)具成本優(yōu)勢(shì)，二者各有用途、長(zhǎng)期并存?？涛g技術(shù)可分為干法等離子刻蝕與濕法化學(xué)浴 刻蝕兩大類。1）干法刻蝕通常是通過(guò)等離子體或高能離子束對(duì)晶圓表面進(jìn)行轟擊，包括化 學(xué)性的等離子刻蝕、物理性的濺射刻蝕、以及物理化學(xué)性的反應(yīng)離子刻蝕。干法刻蝕能實(shí)現(xiàn) 各向異性刻蝕，保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的高保真性，因此一個(gè)完整的干法處理流程通常是器件 設(shè)計(jì)者的首要選擇。2）濕法刻蝕則通過(guò)化學(xué)試劑與晶圓的接觸進(jìn)行腐蝕，在集成電路的加 工中對(duì)小于 3μm 的尺寸難以精確控制刻蝕的形貌，會(huì)對(duì)設(shè)定的線寬造成影響，但濕法刻蝕 在成本、速度等方面更具優(yōu)勢(shì)，常用于特殊材料層的去除和殘留物的清洗。濕法刻蝕還可以 用于制造光學(xué)器件和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等領(lǐng)域。

（3）根據(jù)被刻蝕的材料不同，刻蝕工藝又可分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕。在晶 圓加工的流程中，不同的材料被應(yīng)用于不同部位。對(duì)一片晶圓的加工同時(shí)涉及到針對(duì)多種材 料的刻蝕工藝。對(duì)刻蝕設(shè)備的選擇需要對(duì)材料及加工目的進(jìn)行綜合考慮。

在當(dāng)前的應(yīng)用中，電容性等離子刻蝕 CCP 與電感性等離子刻蝕 ICP 是最常見的刻蝕技 術(shù)，在不同材料領(lǐng)域都有所覆蓋。

CCP：能量高、精度低，常用于介質(zhì)材料刻蝕，諸如邏輯芯片的柵側(cè)墻、硬掩 膜刻蝕、中段的接觸孔刻蝕、后端的鑲嵌式和鋁墊刻蝕等，以及 3D 閃存芯片 工藝（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和連線接觸孔的刻蝕等。

ICP：能量低、精度高，主要用于硅刻蝕和金屬刻蝕，如硅淺槽隔離（STI）、鍺 （Ge）、多晶硅柵結(jié)構(gòu)、金屬柵結(jié)構(gòu)、應(yīng)變硅（Strained-Si）、金屬導(dǎo)線、金屬 焊墊（Pad）、鑲嵌式刻蝕金屬硬掩模和多重成像技術(shù)中的多道刻蝕工藝。

（4）在等離子刻蝕的基礎(chǔ)上，業(yè)內(nèi)新熱點(diǎn)原子層刻蝕（Atomic Layer Etching，ALE） 在先進(jìn)制程中應(yīng)用場(chǎng)景廣闊，有望成為未來(lái)趨勢(shì)。ALE 是一種新的刻蝕工藝技術(shù)，能夠?qū)⒖?蝕精確到一個(gè)原子層（0.4nm），要求刻蝕過(guò)程均勻地、逐個(gè)原子層地進(jìn)行，并停止在適當(dāng)?shù)?時(shí)間或位置。其優(yōu)點(diǎn)在于刻蝕選擇性極高，且可以將對(duì)晶圓表面的損傷控制到最小。ALE 可 能的應(yīng)用范圍非常廣泛，包括要求對(duì)硅表面零損壞的界面氧化物刻蝕及鰭狀柵（FinFET）相 關(guān)刻蝕，要求去除極少量材料的鰭結(jié)構(gòu)和淺槽隔離（STI）結(jié)構(gòu)的修正，要求零殘留物的側(cè) 墻式多次成像工藝中的刻蝕等。以 FinFET 為例，隨著行業(yè)從 10nm 向 7nmFinFET 發(fā)展， 鰭片之間的溝槽或間隙將縮小到 10 至 15 ?；?5 個(gè)原子寬。較現(xiàn)有技術(shù)而言，ALE 可以更 有選擇性地去除部分原子，而不損傷周圍結(jié)構(gòu)。然而，目前的 ALE 設(shè)備距離理想應(yīng)用仍有 一定距離，并不能完全實(shí)現(xiàn)零損壞。此外，其多轉(zhuǎn)換步驟的循環(huán)方式造成刻蝕速率極低，這 在生產(chǎn)應(yīng)用上也是一大弱點(diǎn)。更精確的調(diào)控能力、更低的等離子體流能量、更少的循環(huán)步驟 等都是 ALE 當(dāng)前的發(fā)展方向。

1.3.先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)芯片技術(shù)對(duì)刻蝕性能與數(shù)量均有提升

（1）邏輯芯片領(lǐng)域，隨著先進(jìn)制程不斷發(fā)展，柵極寬度越小，加工過(guò)程中對(duì)刻蝕步驟 的數(shù)量需求越高。更小的制程是集成電路研發(fā)生產(chǎn)的不懈追求。工藝越先進(jìn)，晶體管柵極寬度納米數(shù)越小，芯片的性能也將隨之提升。當(dāng)前國(guó)際上高端量產(chǎn)芯片從 7nm 向 5nm、3nm 甚至更小的尺寸發(fā)展，其核心工藝必須借助刻蝕機(jī)的多次刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié) 會(huì)測(cè)算，一片 7nm 集成電路所經(jīng)歷刻蝕工藝 140 次，較 28nm 生產(chǎn)所需的 40 次增加 2.5 倍。此外，更多的步驟、更小的尺寸以及不同的材料對(duì)刻蝕機(jī)的數(shù)量、精度、重復(fù)性等都提 出更高的要求。

（2）3D NAND 存儲(chǔ)芯片堆疊層數(shù)不斷增長(zhǎng)，涉及的刻蝕步驟繁多，對(duì)設(shè)備的性能及數(shù) 量都提出需求。1）基于 NAND 閃存芯片的產(chǎn)品能夠快速處理數(shù)據(jù)，是當(dāng)今存儲(chǔ)卡、USB、 固態(tài)硬盤等數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)方式背后的核心元件。當(dāng)下主流的 3D NAND 存儲(chǔ)是在垂直層面上 增加存儲(chǔ)單元，從而倍數(shù)擴(kuò)張晶圓上的單元數(shù)量，增大存儲(chǔ)容量；2）3D NAND 的構(gòu)建極大 程度上依賴沉積和刻蝕工藝，無(wú)論是已經(jīng)投入量產(chǎn)的 64 層和 128 層，還是正在研發(fā)中的超 300 層 3D NAND，都是增加了堆疊的層數(shù)，這對(duì)刻蝕設(shè)備的深寬比提出了要求；3）在現(xiàn)有 技術(shù)下，堆疊層數(shù)越高，重復(fù)工藝次數(shù)越多，溝道孔洞等非重復(fù)性節(jié)點(diǎn)單次操作耗時(shí)更長(zhǎng)， 導(dǎo)致部分加工節(jié)點(diǎn)對(duì)刻蝕設(shè)備的需求可隨堆疊層數(shù)的增加而同比例增長(zhǎng)。3D NAND 的技術(shù) 發(fā)展將為刻蝕設(shè)備的需求帶來(lái)新的增長(zhǎng)動(dòng)力。

（3）高深寬比刻蝕是 3D NAND 生產(chǎn)中的核心難點(diǎn)。在晶圓上交替沉積多層不同材料 形成的薄膜后，刻蝕設(shè)備要在其上蝕刻出狹長(zhǎng)的垂直孔狀結(jié)構(gòu)，形成溝道孔。一片 3D NAND 晶圓上包含數(shù)十億的溝道孔，每個(gè)孔的深寬比超過(guò) 40：1，即高度約為寬度的 40 倍。在實(shí) 際加工過(guò)程中，深度不足、上下寬度不一致、通道扭曲等都是常見的技術(shù)難點(diǎn)。要實(shí)現(xiàn)均勻 一致的溝道孔，生產(chǎn)層數(shù)更多的 3D NAND 產(chǎn)品，除芯片設(shè)計(jì)及加工流程上的改進(jìn)外，也要 求刻蝕設(shè)備在高深寬比（High Aspect Ratio, HAR）特征上的不斷提升。階梯刻蝕則是在整 個(gè) 3D 堆疊上的每對(duì)介質(zhì)膜邊緣制造出等寬的“階梯”，是將存儲(chǔ)單元連接到器件底部的關(guān)鍵步驟。由于這一過(guò)程具有廣泛的重復(fù)性，所以按嚴(yán)格的工藝控制和高吞吐率進(jìn)行刻蝕至關(guān) 重要。

（4）堆疊層數(shù)的增加同時(shí)帶來(lái)了對(duì)刻蝕設(shè)備數(shù)量需求的增長(zhǎng)，在溝道孔洞等加工節(jié)點(diǎn)， 刻蝕設(shè)備用量與堆疊層數(shù)呈同比例增加?？涛g設(shè)備的數(shù)量在 3D NAND 的生產(chǎn)所需設(shè)備中占 比較高，并且隨著堆疊層數(shù)的增加，刻蝕設(shè)備用量不斷攀升。以某種 3D NAND 技術(shù)路線為 例，在 150 k/月假定產(chǎn)能下堆疊層數(shù)由 32 層增加至 128 層，刻蝕設(shè)備占比由 34.90%升至 48.40%。就加工節(jié)點(diǎn)而言，溝道孔洞、階梯、狹縫對(duì)刻蝕設(shè)備的需求受層數(shù)影響最大，階梯 刻蝕的設(shè)備用量與堆疊層數(shù)完全呈同比例增長(zhǎng)關(guān)系。除堆疊層升高帶來(lái)的重復(fù)性步驟增加外， 待刻蝕膜厚增加帶來(lái)的單次刻蝕加工時(shí)間延長(zhǎng)也迫使工廠采購(gòu)更多的刻蝕設(shè)備以維持產(chǎn)能。

2.受晶圓代工產(chǎn)業(yè)波動(dòng)影響，需求恢復(fù)可期

2.1.半導(dǎo)體行業(yè)快速增長(zhǎng)帶動(dòng)刻蝕設(shè)備需求

（1）半導(dǎo)體行業(yè)雖具有一定的周期性，但整體仍呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，以 AI 和 5G 為代 表的技術(shù)創(chuàng)新將帶來(lái)新需求，為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的增長(zhǎng)動(dòng)力。根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)，中國(guó)半 導(dǎo)體市場(chǎng)銷售規(guī)模從 2014 年的 913.75 億美元增長(zhǎng)至 2021 年的 1925 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng) 率為 11.23%。我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體的需求隨著信息技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)水平的不斷提高而同步 增長(zhǎng)。2021 年，中國(guó)市場(chǎng)的半導(dǎo)體銷售額占據(jù)全球市場(chǎng)總額的 34.6%。在以互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù) 據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G 等為代表的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā) 展下，中國(guó)及世界范圍內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體器件的需求仍將不斷擴(kuò)張。

（2）中國(guó)刻蝕設(shè)備未來(lái)市場(chǎng)規(guī)模依然可期，短期內(nèi)面臨增速放緩壓力。據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研 究院統(tǒng)計(jì)，刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在各類半導(dǎo)體設(shè)備中增速最高，2011-2021 年年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 16.39%，2022 年中國(guó)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為 375.28 億元，預(yù)計(jì) 2023 年有望達(dá)到 500 億元， 在全球刻蝕設(shè)備增長(zhǎng)遇冷的環(huán)境下，我國(guó) 2023 年刻蝕設(shè)備市場(chǎng)增速也有所放緩。根據(jù) Gartner 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在 2020-2025 年期間發(fā)生一定 波動(dòng)，預(yù)計(jì) 2025 年市場(chǎng)規(guī)模約為 181.85 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 5.84%。但隨著集成 電路技術(shù)不斷發(fā)展，對(duì)刻蝕設(shè)備的性能和數(shù)量要求不斷提高，以及當(dāng)下核心設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的主 流趨勢(shì)，刻蝕行業(yè)前景依然可期。

2.2.當(dāng)前晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)張放緩，大陸市場(chǎng)有望迎來(lái)升溫

（1）全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一定程度的增速放緩時(shí)期，預(yù)計(jì) 2024、2025 兩年資本支 出增長(zhǎng)率為-2.1%和-9.2%。據(jù) Gartner 統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了一段 時(shí)間的快速增長(zhǎng)后，迎來(lái)一定程度的周期波動(dòng)，產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張減緩，資本開支投入呈下降態(tài) 勢(shì)，預(yù)計(jì) 2026 年可能出現(xiàn)溫和回升。2022 年，行業(yè)內(nèi)貢獻(xiàn)了超半數(shù)以上資本開支的臺(tái)積電 兩次宣布下調(diào)對(duì)當(dāng)年資本開支的預(yù)算，由年初的 440 億美元減到最終的 360 億美元。

（2）中國(guó)大陸晶圓廠仍處于產(chǎn)能擴(kuò)張階段，12 英寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)空間較大，保障刻蝕設(shè)備 需求。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，大陸預(yù)計(jì)至 2024 年底將建立 32 座大型晶圓廠，包 括正在建設(shè)中的晶圓廠 22 座，以及未來(lái)中芯國(guó)際、晶合集成、合肥長(zhǎng)鑫、士蘭微等廠商計(jì) 劃建設(shè) 10 座，其中在建或計(jì)劃中 12 英寸晶圓廠共計(jì) 24 座，占擴(kuò)產(chǎn)比例的 75%。具體產(chǎn)能 方面，大陸目前 12 英寸晶圓月產(chǎn)能 160.7 萬(wàn)片，規(guī)劃月產(chǎn)能 423.3 萬(wàn)片，現(xiàn)有產(chǎn)能占比 37.96%，8 英寸月產(chǎn)能 99.1 萬(wàn)片，規(guī)劃月產(chǎn)能 155 萬(wàn)片，現(xiàn)有產(chǎn)能占比 63.94%。長(zhǎng)期來(lái) 看，12 英寸產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張空間可觀。大陸晶圓代工巨頭中芯國(guó)際、華虹公司均于三季度宣 布產(chǎn)能擴(kuò)建計(jì)劃，體現(xiàn)國(guó)內(nèi)晶圓廠在當(dāng)前國(guó)際環(huán)境下逆勢(shì)擴(kuò)張的強(qiáng)勁信心。晶圓代工行業(yè)擴(kuò) 產(chǎn)計(jì)劃的不斷推進(jìn)也為刻蝕設(shè)備的需求增長(zhǎng)保證了充足空間。

（3）在產(chǎn)能分布方面，成熟制程芯片占七成以上，關(guān)注 28nm 及以上刻蝕設(shè)備的需求 增長(zhǎng)。據(jù) TrendForce 集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023-2027 年全球晶圓代工成熟制程（28nm 及以上） 及先進(jìn)制程（16nm 及以下）產(chǎn)能比重大約維持在 3：1 左右。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土 化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能全球占比將從今年的 29%成長(zhǎng)至 2027 年的 33%。在此背景下，值得關(guān)注對(duì) 28nm 及以上刻蝕設(shè)備的需求增長(zhǎng)。

3.寡頭壟斷格局，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊

3.1.海外龍頭主導(dǎo)刻蝕市場(chǎng)

刻蝕設(shè)備市場(chǎng)格局高度集中，海外三大廠商占據(jù)總市場(chǎng)份額的 90.24%，呈寡頭壟斷格 局。2020 年，刻蝕行業(yè)前三大廠商 Lam Research（LRCX）、東京電子(TEL)及應(yīng)用材料 （AMAT）的市場(chǎng)份額分別為 46.71%，26.57%，16.96%。占據(jù)前十地位的中國(guó)企業(yè)包括中 微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份，占比分別為 1.37%，0.89%和 0.1%。就我國(guó)本土市場(chǎng)而言， 據(jù)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，現(xiàn)階段中國(guó)刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約在 20%左右，較全球份額相比有所提升。 究其原因，海外廠商普遍成立時(shí)間較早，在技術(shù)經(jīng)驗(yàn)、客戶資源、生態(tài)體系等方面均有較深 積累，國(guó)產(chǎn)廠商均在千禧年后成立，且主要客戶均為國(guó)內(nèi)晶圓廠，經(jīng)驗(yàn)資源仍然欠缺。但在 當(dāng)前國(guó)內(nèi)廠商技術(shù)研發(fā)不斷突破、國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)不斷深入，這一寡頭壟斷格局終將迎來(lái)變革。 中國(guó)海關(guān)進(jìn)口數(shù)據(jù)顯示，自 2022 年起我國(guó)進(jìn)口刻蝕設(shè)備數(shù)量有所下降，設(shè)備單價(jià)逐漸升高， 側(cè)面反應(yīng)國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備逐漸滿足我國(guó)晶圓廠的生產(chǎn)需求，在出廠數(shù)量和技術(shù)水平上均有所提 升。

3.2.高技術(shù)壁壘決定高行業(yè)集中度

刻蝕設(shè)備工藝復(fù)雜，行業(yè)技術(shù)壁壘較高，我國(guó)廠商仍有追趕空間?？涛g設(shè)備的研發(fā)涉及 等離子體物理、射頻及微波學(xué)、結(jié)構(gòu)化學(xué)、微觀分子動(dòng)力學(xué)、光譜及能譜學(xué)、真空機(jī)械傳輸 等多種科學(xué)技術(shù)及工程領(lǐng)域?qū)W科知識(shí)的綜合應(yīng)用。在高水平刻蝕機(jī)的研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程中，核心 know-how 掌握、持續(xù)的研發(fā)投入與人才積累、多年的實(shí)驗(yàn)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)積累、上游優(yōu)質(zhì)零部 件供給、下游頭部客戶評(píng)價(jià)反饋等因素缺一不可。我國(guó)刻蝕設(shè)備企業(yè)相對(duì)創(chuàng)立較晚，面對(duì)海 外寡頭廠商的技術(shù)、經(jīng)驗(yàn)、資源積累，仍有一定的追趕空間。

（1）刻蝕設(shè)備的研發(fā)需要持續(xù)的資金投入和研究積累。龍頭地位的背后往往是持續(xù)多 年的研發(fā)投入積累。2022 財(cái)年，Lam Research 的研發(fā)費(fèi)用為 16.04 億美元，應(yīng)用材料的研 發(fā)及工程費(fèi)用為 27.71 億美元。2022 年度，中微公司的研發(fā)費(fèi)用為 6.05 億元人民幣，總研 發(fā)投入（包含資本化支出）9.29 億元人民幣，北方華創(chuàng)的研發(fā)費(fèi)用為 18.45 億元，總研發(fā)投 入（包含資本化支出）35. 66 億元人民幣。對(duì)比來(lái)看，我國(guó)刻蝕設(shè)備企業(yè)無(wú)論在歷史投入積 累還是當(dāng)下研發(fā)費(fèi)用上，都還和海外龍頭企業(yè)有一定差距。

（2）在先進(jìn)制程領(lǐng)域，我國(guó)刻蝕設(shè)備廠商仍有追趕空間。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的核 心環(huán)節(jié)之一，刻蝕設(shè)備的研發(fā)設(shè)計(jì)需要超前于芯片生產(chǎn)。1）邏輯芯片方面，中微公司自 CCP 發(fā)家，正處于追趕研發(fā) 5nm-3nm ICP 刻蝕設(shè)備的階段，北方華創(chuàng)則專注 ICP 刻蝕，目前 14nm 刻蝕設(shè)備已在客戶端得到驗(yàn)證并量產(chǎn)，同時(shí)于 2022 年首次推出 CCP 刻蝕設(shè)備，完善 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)；2）存儲(chǔ)器刻蝕方面，國(guó)內(nèi)當(dāng)前僅有中微公司針對(duì) 128 層 3D NAND 進(jìn)行相關(guān)研 發(fā)，相比之下，國(guó)際存儲(chǔ)廠商已開發(fā)出超 200 層的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，東京電子（TEL）于 2023 年 6 月宣布已成功開發(fā) 400 層堆疊 3D NAND 閃存芯片通孔技術(shù)。在長(zhǎng)江存儲(chǔ)等芯片公司 被列入實(shí)體清單的大背景下，國(guó)內(nèi)先進(jìn)存儲(chǔ)刻蝕設(shè)備的研發(fā)更顯得尤為重要。

（3）中國(guó)等離子刻蝕設(shè)備已打破海外壟斷，具備一定的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。2015 年 2 月，美 國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局評(píng)估中國(guó)已有企業(yè)有能力量產(chǎn)同等水平的干法等離子刻蝕設(shè)備，原出口 管制條例不再具有實(shí)際意義，由此取消相關(guān)限制。中微公司的介質(zhì)刻蝕設(shè)備已進(jìn)入臺(tái)積電 7nm-5nm 生產(chǎn)線，是唯一一家進(jìn)入臺(tái)積電產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商。兩個(gè)案例均側(cè)面證 明我國(guó)部分刻蝕機(jī)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，可以和海外龍頭企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技。

3.3.Lam Research ：專注刻蝕的海外龍頭

（1）專注刻蝕設(shè)備研發(fā)，外延并購(gòu)?fù)卣巩a(chǎn)品平臺(tái)。Lam Research 成立于 1980 年，次 年推出首款支持 1.5μm 制程的刻蝕設(shè)備 AutoEtch，是歷史上第一款單晶圓片的等離子刻蝕 機(jī)。1997 年前后，公司曾試圖拓展產(chǎn)品線，發(fā)展 CVD 和 FPD 領(lǐng)域，但由于業(yè)務(wù)過(guò)度分散 化，并未收獲預(yù)期效果。1998 年，公司將注意力轉(zhuǎn)回到刻蝕領(lǐng)域，至今已先后推出 Kiyo 系 列，F(xiàn)lex 系列，Syndion 系列等行業(yè)領(lǐng)先產(chǎn)品。自 2006 年起，Lam Research 多次通過(guò)外 延并購(gòu)方式擴(kuò)充產(chǎn)品布局，最終奠定其半導(dǎo)體設(shè)備龍頭地位。公司于 2006 年收購(gòu)全球最大 高純度硅元件和組件供應(yīng)商 Bullen Semiconductor（現(xiàn)為 Silfex, Inc.），2008 年收購(gòu)全球領(lǐng) 先晶圓清潔和干刻設(shè)備供應(yīng)商 SEZ AG（現(xiàn)為 Lam Research AG），2012 年與以 33 億美金 與表面沉積公司 Novellus Systems 合并，自此布局薄膜沉積與表面加工業(yè)務(wù)，2017 年收購(gòu) MEMS 自動(dòng)化軟件供應(yīng)商 Conventor，依靠仿真技術(shù)助力設(shè)備研發(fā)與創(chuàng)新，2022 年公司收 購(gòu) SEMSYSCO，拓展其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的清洗和電鍍?cè)O(shè)備組合。

（2）快速布局海外市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)全球龍頭地位。公司自 1985 至 2000 年期間，先后在歐 洲、韓國(guó)、中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、新加坡、日本及印度設(shè)立辦事處或研發(fā)中心，實(shí)現(xiàn)美、歐、 亞三洲布局，基本覆蓋半導(dǎo)體設(shè)備主要市場(chǎng)。如今，亞洲市場(chǎng)已成為 Lam Research 的核心 收入來(lái)源。自 2020 年起，中國(guó)大陸及中國(guó)臺(tái)灣的收入貢獻(xiàn)占比快速增長(zhǎng)，超越韓國(guó)和日本 成為公司的頭號(hào)客戶市場(chǎng)。受國(guó)產(chǎn)替代和地緣政治影響，2023 財(cái)年中國(guó)大陸收入占比在過(guò) 往三年中由 35.13%下降至 25.61%，收入金額也由 2021 財(cái)年的 51.38 億美元下降至 2023 財(cái)年的 44.62 億美元。中國(guó)臺(tái)灣、日本以及美國(guó)本土的收入提升使得公司在 2023 財(cái)年收入 仍有 1.2%的增長(zhǎng)。地域上的多元布局確保公司不必過(guò)分依賴單一市場(chǎng)，更有助于公司樹立 全球范圍內(nèi)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

（3）存儲(chǔ)器件相關(guān)設(shè)備占據(jù)主導(dǎo)地位。2019 年，存儲(chǔ)相關(guān)設(shè)備帶來(lái)的收入占公司總營(yíng) 收高達(dá) 70%，后雖有所回落，但仍占據(jù)過(guò)半比例。這一方面得益于先進(jìn)存儲(chǔ)器對(duì)薄膜、刻蝕 用量較大，且對(duì)刻蝕設(shè)備的要求越來(lái)越高，另一方面也體現(xiàn)公司在存儲(chǔ)領(lǐng)域逐步確立的市場(chǎng) 領(lǐng)導(dǎo)地位。

（4）總結(jié) Lam Research 的歷史經(jīng)驗(yàn)可知，注重產(chǎn)品研發(fā)，外延并購(gòu)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品互補(bǔ)， 關(guān)注海外市場(chǎng)布局，以及對(duì)下游應(yīng)用趨勢(shì)的判斷是刻蝕設(shè)備公司成功的關(guān)鍵。對(duì)于我國(guó)刻蝕 企業(yè)而言，1）可加大研發(fā)投入以不斷推陳出新；2）通過(guò)外延并購(gòu)尋求新的增長(zhǎng)動(dòng)力，關(guān)注 可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品互補(bǔ)與協(xié)同的表面處理、沉積行業(yè)，以及可以提升設(shè)備水平的工藝流程細(xì)分領(lǐng)域； 3）關(guān)注全球半導(dǎo)體晶圓代工產(chǎn)業(yè)分布，實(shí)現(xiàn)多國(guó)家布局；4）關(guān)注邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、先 進(jìn)制程、成熟制程等細(xì)分應(yīng)用場(chǎng)景，根據(jù)下游需求及時(shí)調(diào)整產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)的重點(diǎn)方向。

4.公司介紹

4.1.中微公司：國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)者

（1）中國(guó)半導(dǎo)體刻蝕、MOCVD 設(shè)備龍頭，客戶覆蓋海內(nèi)外知名廠商。中微公司成立 于 2004 年，2019 年成功登陸科創(chuàng)板。公司主要業(yè)務(wù)是開發(fā)加工微觀器件的大型真空工藝設(shè) 備，包括等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備，其產(chǎn)品覆蓋了半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、 LED 生產(chǎn)、MEMS 制造等領(lǐng)域。

1）刻蝕設(shè)備方面，公司主要產(chǎn)品關(guān)注 CCP 與 ICP 兩大技術(shù)路線。在邏輯集成電路制 造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的 12 英寸高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際國(guó)內(nèi)知名客戶 65 nm 到 5 nm 及下 一代更先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線上；同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，持續(xù)開發(fā) 5 nm 及 更先進(jìn)刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單。在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于 64 層和 128 層的量產(chǎn)，滿足更高 深寬比的刻蝕設(shè)備正在研發(fā)中。公司主要客戶包括臺(tái)積電、英特爾、聯(lián)華電子、格羅方德、 海力士、意法半導(dǎo)體、華力、華虹、中芯國(guó)際、博世、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等。

2）MOCVD 方面，設(shè)備主要應(yīng)用于 LED 外延片及功率器件的生產(chǎn)。 用于藍(lán)光 LED 的 Prismo A7?設(shè)備已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。用于 Mini-LED 生產(chǎn)的 MOCVD 設(shè)備 Prismo UniMax?，具有行業(yè)領(lǐng)先的高產(chǎn)能和高靈活性的特點(diǎn)，已在領(lǐng) 先客戶端開始進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)。公司 MOCVD 設(shè)備的主要客戶包括三安光電、晶元光電、華 燦光電、乾照光電、三星、兆馳股份等知名 LED 企業(yè)。

（2）充足訂單保證短期增長(zhǎng)空間，積極擴(kuò)張產(chǎn)能以填補(bǔ)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)需求。自 2020 年起，中 微公司合同負(fù)債快速增長(zhǎng)，2023 上半年度預(yù)收銷售商品款金額 18.05 億元，已接近 2022 全 年的 21.95 億元水平，公司在手訂單充足，側(cè)面反應(yīng)晶圓廠需求旺盛。2020-2022 年，公司 產(chǎn)品生產(chǎn)數(shù)量分別為 295 腔、491 腔、708 腔，2021 年增長(zhǎng)率為 66.44%，2022 年增長(zhǎng)率 為 44.20%。2023 年七月，用于生產(chǎn) MOCVD 設(shè)備的中微公司南昌新廠正式落成啟用。預(yù) 計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)，公司將建成共計(jì) 45 萬(wàn)平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地，面積是當(dāng)前上海總部的 15 倍。

（3）業(yè)績(jī)穩(wěn)步增長(zhǎng)，盈利能力可觀。得益于公司產(chǎn)品打磨成熟，市場(chǎng)認(rèn)可度不斷提升， 2018-2022 年間，中微公司營(yíng)業(yè)收入逐年快速增長(zhǎng)，增速水平穩(wěn)步提升。2022 年，公司營(yíng) 業(yè)收入達(dá) 47.4 億元，同比增長(zhǎng) 52.51%。利潤(rùn)端方面，公司 2022 年歸母凈利潤(rùn) 11.7 億元， 同比增長(zhǎng) 15.73%。增速較往年有所下降，主要系 2022 年非經(jīng)常性損益上年同期減少約 4.37 億元所致。非經(jīng)常性損益變動(dòng)主要包括政府補(bǔ)助減少，以及因股權(quán)投資產(chǎn)生的公允價(jià) 值變動(dòng)收益和處置收益較去年有所下降。2022 年扣非后歸母凈利潤(rùn)為 9.19 億元，同比增 加約 183.44%，反應(yīng)公司產(chǎn)品良好的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

（4）盈利水平不斷提升，費(fèi)率控制成效顯著。2018-2022 年間，中微公司毛利率不斷 上升，2022 年達(dá)到 45.74%。公司凈利率水平總體呈上升態(tài)勢(shì)，在 2022 年的短暫波動(dòng)后， 2023 年有望繼續(xù)提升。各項(xiàng)費(fèi)用方面，公司的銷售費(fèi)用與管理費(fèi)用得到有效控制，在過(guò)去 五年間費(fèi)率呈不斷減少趨勢(shì)。此外，公司持續(xù)加強(qiáng)技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)投入，研發(fā)費(fèi)率（未計(jì)入 資本化研發(fā)投入）占比穩(wěn)定在 12%-13%之間，增強(qiáng)核心技術(shù)的積累和新產(chǎn)品的更新迭代的 同時(shí)，也提高了公司的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

（5）刻蝕設(shè)備仍是主要收入來(lái)源，MOCVD 設(shè)備收入逐步提升。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)按產(chǎn)品 可分為專用設(shè)備、備品備件、服務(wù)收入三大類。專用設(shè)備即為公司所生產(chǎn)的半導(dǎo)體加工設(shè)備， 其中刻蝕設(shè)備收入占比最高，且呈現(xiàn)逐年快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2022 年，公司刻蝕設(shè)備收入 31.47 億元，占總收入比重 66%，MOCVD 設(shè)備收入 7.00 億元，占總收入比重 15%。

（6）公司主要關(guān)注要素：1）邏輯芯片刻蝕領(lǐng)域，公司產(chǎn)品在 65nm-5nm 芯片生產(chǎn)線 上已得到廣泛應(yīng)用，公司的 CCP 刻蝕設(shè)備在國(guó)際先進(jìn) 5nm 芯片生產(chǎn)線及下一代更先進(jìn)的生 產(chǎn)線上也實(shí)現(xiàn)了多次批量銷售；2）存儲(chǔ)器件刻蝕領(lǐng)域，公司設(shè)備已在 64 層、128 層的 3D NAND 生產(chǎn)中得到廣泛使用，高深寬比刻蝕已在客戶端驗(yàn)證具有刻蝕 60:1 深寬比結(jié)構(gòu)的能 力；3）MOCVD 設(shè)備方面，公司 LED 相關(guān) MOCVD 設(shè)備已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，裝機(jī)量穩(wěn)步 提升。

4.2.北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體加工一體化方案供應(yīng)商

（1）國(guó)內(nèi)主流高端電子工藝裝備供應(yīng)商，打造平臺(tái)式一體化布局。1）北方華創(chuàng)由七星 電子與北方微電子戰(zhàn)略合并而成，其前身涉及數(shù)座老牌國(guó)營(yíng)電子廠的資源整合。公司深耕于 芯片制造刻蝕領(lǐng)域、薄膜沉積領(lǐng)域近 20 年，現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體高端工藝裝備及一 站式解決方案的供應(yīng)商。2）通過(guò)內(nèi)生研發(fā)與外延并購(gòu)，公司業(yè)務(wù)版圖不斷擴(kuò)展。目前，公 司主營(yíng)半導(dǎo)體裝備、真空裝備及鋰電裝備，以及精密元器件業(yè)務(wù)，為半導(dǎo)體、新能源、新材 料等領(lǐng)域提供解決方案。

（2）半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)全平臺(tái)布局，刻蝕方面，公司在國(guó)產(chǎn) ICP 刻蝕技術(shù)方面具備領(lǐng)先 地位。1）在半導(dǎo)體工藝裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、 晶體生長(zhǎng)等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體、半 導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等工藝制造過(guò)程，覆蓋除光刻外 全部前道工藝；2）刻蝕設(shè)備方面，公司于 2005 年推出我國(guó)第一臺(tái)自主研發(fā)的干法刻蝕設(shè)備，如今在 ICP 領(lǐng)域已具備領(lǐng)先地位，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的硅刻蝕機(jī)已突破 14nm 技術(shù)， 進(jìn)入主流芯片代工廠。2022 年，公司首次推出 CCP 刻蝕產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)了對(duì)硅刻蝕、金屬刻 蝕、介質(zhì)刻蝕全領(lǐng)域覆蓋。

（3）半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備成公司核心收入來(lái)源，充足在手訂單反應(yīng)成熟制程擴(kuò)張趨勢(shì)。公 司年報(bào)顯示，2022 年，北方華創(chuàng) 77.99%的收入來(lái)自于全資子公司——北京北方華創(chuàng)微電子 裝備有限公司，其主要業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體設(shè)備。2019-2023H1 期間，公司預(yù)收銷售商品款穩(wěn)定增 長(zhǎng)，截止 2023 年 H1，公司有在手訂單 85.86 億元，較 2022 全年相比增長(zhǎng) 19.27%。旺盛 的訂單需求反應(yīng)下游晶圓廠擴(kuò)建預(yù)期，也保障了北方華創(chuàng)在短期內(nèi)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)動(dòng)力。作為應(yīng) 對(duì)，北方華創(chuàng)積極擴(kuò)產(chǎn)，其在建工程中的“半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（四期）”預(yù)計(jì) 將用于集成電路設(shè)備、新興半導(dǎo)體設(shè)備、LED 設(shè)備及光伏設(shè)備生產(chǎn)。

（4）營(yíng)收與利潤(rùn)水平快速增長(zhǎng)，跨入“百億級(jí)”發(fā)展新階段。2022 年，公司營(yíng)業(yè)收入 達(dá) 146.9 億元，首次邁入百億級(jí)階段。在當(dāng)前半導(dǎo)體周期波動(dòng)背景下，這一提升更體現(xiàn)公司產(chǎn)品實(shí)力及合理的產(chǎn)品布局。利潤(rùn)端方面，2022 年公司歸母凈利潤(rùn)為 23.53 億元，同比增 長(zhǎng) 118.37%，盈利能力增長(zhǎng)強(qiáng)勁。

（5）費(fèi)用把控成效明顯，規(guī)模效應(yīng)逐步體現(xiàn)。自 2018 年以來(lái)，北方華創(chuàng)毛利率在 36%- 43%之間波動(dòng)，凈利率自 8.5%穩(wěn)步提升至 20.39%，銷售費(fèi)率穩(wěn)定保持較低水平，管理費(fèi)率 與研發(fā)費(fèi)率持續(xù)下降。自并購(gòu)重組以來(lái)，得益于公司各項(xiàng)產(chǎn)品趨于成熟，管理水平不斷提升， 公司進(jìn)入低費(fèi)率、高增長(zhǎng)階段。

（6）公司主要關(guān)注因素：1）刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，公司實(shí)現(xiàn)硅刻蝕、金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕的 全覆蓋。其中硅刻蝕與金屬刻蝕設(shè)備均用于集成電路制造，在 200mm 硅片，90-40nm 集成 電路、40-14nm 集成電路、28-14nm 集成電路等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。介質(zhì)刻蝕主要應(yīng)用于 LED 半導(dǎo)體照明領(lǐng)域；2）在真空及鋰電裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)研發(fā)的晶體生長(zhǎng)設(shè)備、真空熱 處理設(shè)備、氣氛保護(hù)熱處理設(shè)備、連續(xù)式熱處理設(shè)備、磁控濺射鍍膜設(shè)備、多弧離子鍍膜設(shè) 備在材料熱處理、真空電子、新能源光伏、半導(dǎo)體材料、磁性材料、新能源汽車等領(lǐng)域取得 廣泛應(yīng)用；3）在精密電子元器件領(lǐng)域，北方華創(chuàng)研發(fā)的石英晶體器件、石英微機(jī)電傳感器、 高精密電阻器、鉭電容器、微波組件、模擬芯片、模塊電源等產(chǎn)品，應(yīng)用于高鐵、智能電網(wǎng)、 通信、醫(yī)療電子、精密儀器、自動(dòng)控制等領(lǐng)域，推動(dòng)元器件向小型化、輕量化、高精密方向 發(fā)展。

4.3.屹唐股份：關(guān)注刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)拓展及上市進(jìn)程

（1）收購(gòu)海外資產(chǎn)，面向全球經(jīng)營(yíng)的干法去膠與快速熱處理龍頭。屹唐股份成立于 2015 年，于 2016 年以約 3 億美元總價(jià)收購(gòu)總部位于美國(guó)硅谷的半導(dǎo)體設(shè)備公司 Mattson Technology, Inc.（MTI），由此形成總部位于中國(guó)北京，以中國(guó)、美國(guó)、德國(guó)三地作為研發(fā)、 制造基地，面向全球經(jīng)營(yíng)的半導(dǎo)體設(shè)備公司，主要從事集成電路制造過(guò)程中所需晶圓加工設(shè) 備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，面向全球集成電路制造廠商提供包括干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè) 備、干法刻蝕設(shè)備在內(nèi)的集成電路制造設(shè)備及配套工藝解決方案。2020 年，公司獲國(guó)家高 新技術(shù)企業(yè)稱號(hào)。2021 年，公司 IPO 過(guò)會(huì)并提交注冊(cè)，目前仍在排隊(duì)中。

1）Gartner 統(tǒng)計(jì)顯示公司 2020 年干法去膠設(shè)備市占率全球第一，高達(dá) 31.29%，國(guó)內(nèi) 市場(chǎng)依然占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球集成電路制造干法去膠設(shè)備領(lǐng)域呈現(xiàn)多寡頭競(jìng)爭(zhēng)的發(fā)展趨 勢(shì)，主要參與者包括屹唐股份、比思科、日立高新、Lam Research、泰仕半導(dǎo)體等，其 2020 年全球市場(chǎng)份額分別為 31.29%，25.90%，19.16%，11.93%，5.28%。在中國(guó)大陸的干法 去膠市場(chǎng)，屹唐股份依然占據(jù)領(lǐng)先地位。2020 年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)招投標(biāo)采購(gòu)的 27 臺(tái)去膠設(shè) 備中，屹唐股份產(chǎn)品占比為 88.89%；華虹集團(tuán)通過(guò)招投標(biāo)采購(gòu)的 11 臺(tái)去膠設(shè)備中，屹唐股 份的產(chǎn)品占比高達(dá) 90.91%。公司的去膠設(shè)備產(chǎn)品主要客戶包括臺(tái)積電、三星電子、中興國(guó) 際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、格羅方德、美光科技。

2）快速熱處理設(shè)備全球市場(chǎng)份額 11.50%，位列第二。根據(jù) Gartner 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球前 五大廠商占據(jù)快速熱處理設(shè)備的全球所有市場(chǎng)份額，應(yīng)用材料與屹唐股份占據(jù)其中前兩名的 位置，市占率分別為 69.72%和 11.50%。公司在該領(lǐng)域的主要客戶包括臺(tái)積電、三星電子、 中興國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等。

3）刻蝕設(shè)備占比較低，仍處于技術(shù)追趕階段，產(chǎn)品已進(jìn)入頭部晶圓廠生產(chǎn)線。公司刻 蝕設(shè)備生產(chǎn)銷售占比相對(duì)較低，2018 年-2021 年 H1 期間，公司刻蝕設(shè)備產(chǎn)量占比不足全部 產(chǎn)品產(chǎn)量的 10%，銷量占比不足 5%。2020 年，公司共售刻蝕設(shè)備 8 臺(tái)，為報(bào)告期內(nèi)數(shù)量最高點(diǎn)，當(dāng)年全球市占率為 0.10%。產(chǎn)品方面，屹唐股份現(xiàn)有兩款刻蝕設(shè)備，主要覆蓋存儲(chǔ) 芯片的制備。2007 年推出 ParadigmE 系列，2020 年推出高選擇比刻蝕和原子層級(jí)材料移 除設(shè)備 Novyka 系列，二者目前均已研發(fā)至先進(jìn) 10nmDRAM 芯片和 256 層 3D 閃存芯片制 造，公司在干法刻蝕領(lǐng)域仍處于追趕國(guó)際先進(jìn)水平階段。目前，公司刻蝕設(shè)備的主要客戶為 三星電子和長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

（2）境外收入占比過(guò)半，國(guó)內(nèi)收入不斷提升。2018-2020 年期間，隨著公司業(yè)務(wù)拓展效果 的顯現(xiàn)，中國(guó)大陸收入占比有所上升，由 21.12%上升至 42.12%，大陸晶圓廠商對(duì)公司產(chǎn)品 的認(rèn)可度不斷上升。

（3）營(yíng)收與利潤(rùn)增長(zhǎng)迅速，凈利潤(rùn)水平較行業(yè)龍頭相比仍有較大提升空間。公司 2020 年 營(yíng)業(yè)收入 23.13 億元，較去年同期相比增長(zhǎng) 46.96%。2021 年上半年度，公司歸母凈利潤(rùn) 0.95 億元，是報(bào)告期內(nèi)最高值。2019-2021H1 年間，公司歸母凈利潤(rùn)水平快速提升，轉(zhuǎn)負(fù) 為正，但其數(shù)值較中微公司、北方華創(chuàng)等國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)仍有一定差距。

（4）凈利率扭負(fù)為正，各項(xiàng)費(fèi)用把控穩(wěn)定。市場(chǎng)開拓過(guò)程中，公司毛利率下降至 33%上下， 但得益于各項(xiàng)費(fèi)用控制成果顯著，2019-2021H1 期間，公司凈利率由負(fù)轉(zhuǎn)正，達(dá) 6.72%。 公司管理費(fèi)用與銷售費(fèi)用均降至 10%以下，研發(fā)費(fèi)用相對(duì)較高，體現(xiàn)公司持續(xù)注重研發(fā)投 入，關(guān)注長(zhǎng)期研發(fā)技術(shù)積累優(yōu)勢(shì)。

（5）公司關(guān)注因素：1）屹唐股份仍處于 IPO 排隊(duì)狀態(tài)，關(guān)注上市動(dòng)態(tài)；2）干法去膠及快 速熱處理設(shè)備龍頭，產(chǎn)品可用于 90nm-5nm 邏輯芯片、10nm 系列 DRAM 芯片、 32 層到 128 層 3D 閃存芯片制造中若干關(guān)鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)；3）干法刻蝕領(lǐng)域，推出原子層表面 處理設(shè)備，并有相關(guān)技術(shù)改進(jìn)研發(fā)課題進(jìn)行中。