鉆石,顛覆傳統(tǒng)芯片
「鉆石恒永久,一顆永流傳。」這一句廣告詞,引起了諸多女人的瘋狂,也讓鉆石成為了昂貴的愛情代表。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202312/454233.htm最近,「鉆石」也開始走入半導(dǎo)體,華為和哈爾濱工業(yè)大學(xué)的專利《一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法》被公開,引起了業(yè)內(nèi)的「瘋狂」。這金剛石,指的就是還未經(jīng)打磨的鉆石原石。
「鉆石」芯片,究竟有何種魅力?
華為的「鉆石」專利
如前文所述,華為與哈爾濱工業(yè)大學(xué)聯(lián)合申請的一項(xiàng)專利,這項(xiàng)專利涉及一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法。
具體來看,就是通過 Cu/SiO2 混合鍵合技術(shù)將硅基與金剛石襯底材料進(jìn)行三維集成。華為希望通過兩者的結(jié)合,充分利用硅基半導(dǎo)體和金剛石的不同優(yōu)勢。
來源:華為與哈爾濱大學(xué)提交《一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法》專利
硅基半導(dǎo)體的優(yōu)勢不用多說,有成熟的工藝及產(chǎn)線、生產(chǎn)效率高并且成本較低。金剛石則是已知天然物質(zhì)中熱導(dǎo)率最高的材料,室溫下金剛石的熱導(dǎo)率高達(dá) 2000Wm?1K?1,同時(shí)金剛石是寬禁帶半導(dǎo)體,具備擊穿場強(qiáng)高、載流子遷移率高、抗輻照等優(yōu)點(diǎn),在熱沉、大功率、高頻器件、光學(xué)窗口、量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。
在專利書中提及,本次結(jié)合利用的就是金剛石極高的發(fā)展?jié)摿?,想要為三維集成的硅基器件提供散熱通道以提高器件的可靠性。
受到華為專利的影響,當(dāng)天國內(nèi) A 股培育鉆石概念板塊猛漲。實(shí)際上,引發(fā)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)「瘋狂」的「鉆石」芯片在國際上并非只有華為一家。近年來,「鉆石」芯片的研發(fā)消息頻頻傳來。
抓住「鉆石芯片」
國際上最新的消息,是一家由麻省理工、斯坦福大學(xué)、普林斯頓大學(xué)的工程師創(chuàng)立的企業(yè)在金剛石晶片方面的進(jìn)展。
這家企業(yè)的名字叫做 Diamond Foundry,企業(yè)主要的研究方向也是金剛石方向。從官網(wǎng)上來看,這家企業(yè)希望使用單晶金剛石晶圓解決,限制人工智能、云計(jì)算芯片、電動(dòng)汽車電力電子器件和無線通信芯片的熱挑戰(zhàn)。
今年 10 月份 Diamond Foundry 培育出了世界上第一個(gè)單晶金剛石晶片,具體的數(shù)據(jù)上,這個(gè)金剛石晶片直徑 100 毫米、重量 100 克拉。
Diamond Foundry 在接受采訪時(shí)表示,已經(jīng)可以在反應(yīng)爐中培育出 4 英寸長寬、小于 3 毫米厚度的鉆石晶圓,而這些晶圓可以和硅芯片一同使用,快速傳導(dǎo)并釋放芯片所產(chǎn)生的熱量。
怎么一同使用呢?Diamond Foundry 開發(fā)了一套技術(shù),為每個(gè)芯片植入鉆石。以原子的方式直接連接金剛石,將半導(dǎo)體芯片粘合到金剛石晶圓基板上,以消除限制其性能的散熱瓶頸。
熱量情況對比 來源:Diamond Foundry
按照其首席執(zhí)行官 Martin Roscheisen 的說法,這可以使得芯片的運(yùn)行速度至少是額定速度的兩倍,并且 Diamond Foundry 工程師在英偉達(dá)最強(qiáng)大的芯片之一上使用這種方法,在實(shí)驗(yàn)條件下甚至能夠?qū)⑵漕~定的速度增加到三倍。
同時(shí),Diamond Foundry 公司的官方計(jì)劃中還表示,希望能夠在 2023 年后,引入單金剛石晶片,并在每個(gè)芯片后面放置一顆金剛石;在 2033 年前后,將金剛石引入半導(dǎo)體。
美國不止這一家企業(yè)在推動(dòng)「鉆石」芯片的產(chǎn)業(yè)化。美國的 AKHAN、阿貢國家實(shí)驗(yàn)室,日本的 NTT、NIMS 等,都投身于此。其中,AKHAN 公司專門從事實(shí)驗(yàn)室制造合成電子級金剛石材料,在 2021 年時(shí),他們宣布能夠制造 300mm 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 金剛石晶圓。
稍早一些消息的還來自日本,依據(jù)已經(jīng)宣布的研究成果來看,日本對于金剛石芯片的產(chǎn)業(yè)化探索更加全面。
從去年開始,日本生成了可用于量子計(jì)算項(xiàng)目純度的金剛石晶圓;再到今年年初,日本校企合作,研發(fā)了一個(gè)金剛石制成的功率半導(dǎo)體;到今年 8 月,日本千葉大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)提出關(guān)于「毫不費(fèi)力地切割」金剛石的方法。從種種動(dòng)向來看,日本對于金剛石芯片的研究也是比較重視的。
我們分別來看看日本這三個(gè)關(guān)于「鉆石」芯片的研究。
直徑 55mm 超高純金剛石晶片和 4mm×4mm 晶體對比
去年 4 月,日本 Adamant Namiki Precision Jewel 和佐賀大學(xué)聯(lián)合宣布,已經(jīng)于 4 月 19 日成功實(shí)現(xiàn)「鉆石」晶圓量產(chǎn),這種「鉆石」晶圓的純度是可以用在量子計(jì)算機(jī)、量子存儲器和量子傳感設(shè)備中。
這里日本解決的是如何實(shí)現(xiàn)少氮含量,更大尺寸金剛石的生成。在此之前,能夠達(dá)到量子應(yīng)用的超高純度金剛石是只有 4mm×4mm 的晶體,而這次日本生成了直徑 2 英寸(大概 55mm)的晶體。
實(shí)際上,從生成的方式來看,之前市場往往利用氮?dú)膺m合大規(guī)模生產(chǎn)的高生長速率,但這也會留下幾 ppm(百萬分之一)的氮雜質(zhì)。通過技術(shù)方式的改進(jìn),目前可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)氮含量不超過 3 ppb 的超高純度 2 英寸金剛石。
Adamant Namiki 表示:「理論上,一塊 2 英寸的金剛石晶圓可以提供足夠的量子存儲器來記錄 10 億張藍(lán)光光盤,這相當(dāng)于一天內(nèi)分布在全球的所有移動(dòng)數(shù)據(jù)。」
2022 年宣布這個(gè)消息時(shí),Adamant Namiki Precision Jewelry 還表示計(jì)劃 2023 年將 Kenzan 鉆石晶片商業(yè)化,并且公司已經(jīng)開始開發(fā) 4 英寸鉆石晶片。不過,到了現(xiàn)在(2023 年年底)該公司的 4 英寸鉆石晶片,還沒有傳來新的消息。
年初,同樣是日本,佐賀大學(xué)的教授和日本精密零部件制造商 Orbray,合作開發(fā)了一個(gè)金剛石制成的功率半導(dǎo)體。這個(gè)功率半導(dǎo)體可以以 1 平方厘米 875 兆瓦的電力運(yùn)行,在金剛石半導(dǎo)體中,輸出功率值為全球最高,在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品。
這個(gè)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)主要利用金剛石的高耐壓性。采用向金剛石基板吹送二氧化氮?dú)怏w的方式,使得金剛石基板具備半導(dǎo)體的性質(zhì)。再通過用氧化鋁膜進(jìn)行保護(hù),特殊的研磨方法將基板表面磨平,設(shè)法降低了電阻,最終實(shí)現(xiàn)了高性能半導(dǎo)體器件。
今年 8 月,日本的千葉大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)提出了一種新的激光技術(shù)可以沿著最佳晶體平面「毫不費(fèi)力地切割」鉆石。
千葉大學(xué)的 Hirofumi Hidai 教授和他的團(tuán)隊(duì)提出了解決該問題的方案:基于激光的切割工藝,可以干凈地切割鉆石而不破壞鉆石。研究人員表示,新技術(shù)通過將短激光脈沖聚焦到材料內(nèi)狹窄的錐形體積上,防止激光切割過程中不良裂紋的傳播。
千葉大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)切割方式
激光脈沖將金剛石轉(zhuǎn)變?yōu)槊芏容^低的無定形碳,用激光照射的區(qū)域會出現(xiàn)密度降低和裂紋形成的情況。據(jù)介紹,研究人員創(chuàng)建了一個(gè)網(wǎng)格狀圖案來引導(dǎo)裂紋沿著指定的切割路徑傳播,同時(shí)使用鋒利的鎢針「輕松」地將光滑的晶片與金剛石塊的其余部分分開。
千葉大學(xué)表示,這項(xiàng)新提出的技術(shù)可能是將鉆石轉(zhuǎn)變?yōu)椤高m合未來更高效技術(shù)的半導(dǎo)體材料」的關(guān)鍵一步。Hidai 教授表示,用激光切割鉆石「能夠以低成本生產(chǎn)高質(zhì)量的晶圓」,并且對于制造鉆石半導(dǎo)體器件是必不可少的。
「鉆石芯片」恒永久,如何永流傳?
談了這么多國際和國內(nèi)的研究情況,我們已經(jīng)可以大概了解金剛石特點(diǎn),以及為什么會用在半導(dǎo)體領(lǐng)域了。其實(shí)主要利用金剛石的三大屬性。
第一,高熱導(dǎo)率。金剛石是自然界中熱導(dǎo)率最高的物質(zhì),比碳化硅(SiC)大 4 倍,比硅(Si)大 13 倍,比砷化鎵(GaAs)大 43 倍,是銅和銀的 4~5 倍。這就能解決目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遇到的一個(gè)問題——散熱。
目前,對于芯片性能的限制有一方面實(shí)際上是溫度,對于大部分硅制的芯片來說,一旦運(yùn)行溫度超過 105 攝氏度,那么芯片就會變得不可靠。在很多日常生活中都能夠感受到芯片的發(fā)熱,一臺使用很久的筆記本,放在腿上會發(fā)現(xiàn)底板在發(fā)燙、風(fēng)扇在瘋狂旋轉(zhuǎn)而筆記本的運(yùn)行速度下降。
這些熱量從哪里來,可以拿 CPU 舉例。一個(gè) CPU 是由數(shù)億個(gè)晶體管組成的,電流通過連接 CPU 中的微原件會產(chǎn)生熱量,這被稱為「焦耳熱」,之后電流通過 PN 結(jié)的時(shí)候釋放熱量。這個(gè)熱量通常和頻率成正比,和電流的平方程成正比。因此,電腦的運(yùn)算越快,處理器的工作量越大,那么產(chǎn)生的熱量就越多。
麻省理工學(xué)院納米工程實(shí)驗(yàn)室主任 Gang Chen 給出了具體數(shù)據(jù):「當(dāng)今,高性能芯片的功耗約為每平方厘米 100 瓦,這些因?yàn)樾酒\(yùn)行所產(chǎn)生的能量最終都轉(zhuǎn)化為了熱量,并且熱量必須散發(fā)出去?!?/span>
上文提到的華為金剛石專利,在專利申請中華為也解釋到:「隨著集成密度不斷升高以及特征尺寸不斷縮小,電子芯片的熱管理面臨極大的挑戰(zhàn)。芯片內(nèi)部熱積累難以向封裝表層散熱片傳遞,導(dǎo)致內(nèi)部節(jié)溫突升,嚴(yán)重威脅芯片性能、穩(wěn)定性和使用壽命。」華為專利主要就是利用金剛石的高散熱性。
第二,5.5eV 的禁帶寬度。金剛石是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度是 Si 的 5 倍;載流子遷移率也是 Si 材料的 3 倍,理論上金剛石的載流子遷移率比現(xiàn)有的寬禁帶半導(dǎo)體材料(GaN、SiC)也要高 2 倍以上。
優(yōu)秀的禁帶寬度也使得金剛石擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫等多重優(yōu)異性能參數(shù)。甚至被稱為「終極半導(dǎo)體」。前文中,日本開發(fā)的金剛石功率半導(dǎo)體利用的就是這一特性。
同時(shí),需要注意,在 2022 年,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)發(fā)布公告,稱出于國家安全考慮,將四項(xiàng)「新興和基礎(chǔ)技術(shù)」納入新的出口管制,其中之一就是能承受高溫高電壓的第四代半導(dǎo)體材料金剛石。
第三,金剛石的特殊的能量結(jié)構(gòu)。這個(gè)特性主要是關(guān)于金剛石用在量子存儲中。與傳統(tǒng)的存儲器相比,金剛石量子存儲器能將光子轉(zhuǎn)換成金剛石中碳原子的特定振動(dòng),適用于許多不同顏色光的這種轉(zhuǎn)換,將允許對光進(jìn)行廣譜操縱。金剛石的能量結(jié)構(gòu)允許其以很低的噪聲在室溫下實(shí)現(xiàn)。從理論上來說,金剛石半導(dǎo)體在室溫下工作,性能最高。前文提到日本 Adamant Namiki Precision Jewel 和佐賀大學(xué)研發(fā)出的可以用于量子計(jì)算機(jī)存儲器的金剛石晶圓,主要希望利用這一特性。
總而言之,金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)于其他半導(dǎo)體材料的出色特性,如高熱導(dǎo)率、寬禁帶、高載流子遷移率、高絕緣性、光學(xué)透過性、化學(xué)穩(wěn)定性與抗輻射性等。未來,隨著制造技術(shù)的進(jìn)步和對金剛石的更深入研究,金剛石可能會成為制造高效、穩(wěn)定、耐用的芯片的關(guān)鍵材料。
這時(shí)候,金剛石就將真正成為讓半導(dǎo)體業(yè)界「瘋狂的石頭」。
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