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          英特爾 CEO:18A 制程優(yōu)于臺(tái)積電的 2nm

          作者: 時(shí)間:2024-01-08 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          據(jù)報(bào)道,英特爾(Intel)CEO Pat Gelsinger 在接受采訪時(shí)信心滿滿,相信該公司的工藝將擊敗臺(tái)積電。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202401/454551.htm

          Gelsinger 指出,英特爾的 18A 和臺(tái)積電的 N2(2nm)制程的晶體管似乎差不多,沒(méi)有哪家具備顯著優(yōu)勢(shì),但每個(gè)人都說(shuō)英特爾的背面供電(backside power delivery)更加優(yōu)秀。他說(shuō),這讓硅芯片擁有更好的面積效率(area efficiency),這意味著成本降低,供電較佳則代表表現(xiàn)效能更高。

          Gelsinger 表示,不錯(cuò)的晶體管、極佳的供電讓 18A 制程稍稍領(lǐng)先 N2。此外,臺(tái)積電的封裝成本非常高,英特爾毛利則可望緩步增加。

          被問(wèn)到未來(lái) 10 年中美 AI 競(jìng)賽將如何演變?Gelsinger 回答,人們一提到 AI,就想到算力、數(shù)據(jù)供給及創(chuàng)新研究算法。美國(guó)的算力顯然是領(lǐng)先的。大家以為中國(guó)在數(shù)據(jù)方面有優(yōu)勢(shì),但實(shí)際上,美國(guó)的開(kāi)放讓許多數(shù)據(jù)集(data set)唾手可得。第三就是美國(guó)人已將創(chuàng)新融入生活,擁有開(kāi)放、喜愛(ài)挑戰(zhàn)的性格,中國(guó)難以跟上。

          英國(guó)金融時(shí)報(bào)日前引述未具名消息人士報(bào)道,臺(tái)積電已將 N2 制程原型對(duì)蘋果(Apple)、英偉達(dá)(Nvidia)等大客戶進(jìn)行了展演。

          報(bào)道指出,三星電子雖然提供價(jià)格較具競(jìng)爭(zhēng)力的 2nm 制程原型,試圖吸引英偉達(dá)等大戶,但對(duì)部分人士而言,臺(tái)積電的表現(xiàn)似乎更佳。Dalton Investments 分析師 James Lim 表示,三星相信 2nm 將改變整個(gè)賽局,但人們質(zhì)疑三星導(dǎo)入新制程的執(zhí)行力能否優(yōu)于臺(tái)積電。

          據(jù)報(bào)道,英特爾也大膽宣示將在 2024 年底前投產(chǎn)新一代 18A 制程芯片,領(lǐng)先亞洲競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,但市場(chǎng)對(duì)該公司的表現(xiàn)感到懷疑。

          爭(zhēng)奪戰(zhàn)

          先進(jìn)制造工藝(包括 16/14nm 及更先進(jìn)技術(shù))方面,中國(guó)臺(tái)灣在 2023 年以 68% 的全球產(chǎn)能份額處于領(lǐng)先地位,其次是美國(guó)(12%)、韓國(guó)(11%)和中國(guó)大陸(8%)。與此同時(shí),中國(guó)臺(tái)灣在 EUV 生成工藝方面占據(jù)近 80% 的份額。

          領(lǐng)域,中國(guó)臺(tái)灣仍由臺(tái)積電支撐,美國(guó)扶持臺(tái)積電、三星、英特爾等廠商,在境內(nèi)大舉投資先進(jìn)制程晶圓廠,預(yù)估至 2027 年,美國(guó)的先進(jìn)制程產(chǎn)能占比,將由目前的 12% 增至 17%,臺(tái)積電及三星尚占逾半數(shù)產(chǎn)能,仍有關(guān)鍵地位。

          在最先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)方面,行業(yè)三強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)越來(lái)越激烈。

          據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電近期在 IEEE 國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)首次揭露,將繼 2nm 后推出 1.4nm 制程。雖然臺(tái)積電尚未明確揭露 1.4nm 制程正式量產(chǎn)時(shí)程,但以目前 2nm 預(yù)定 2025 年量產(chǎn),是全球第一家提供 2nm 制程代工服務(wù)的晶圓廠,預(yù)料 1.4nm 也將會(huì)是世界第一家提供最先進(jìn)代工服務(wù)的晶圓廠。

          值得注意的是,為了延續(xù)設(shè)備共通使用,有效節(jié)省資本支出,臺(tái)積電內(nèi)部?jī)A向仍將延用于 2nm 采用的環(huán)繞閘極(GAA-FET)的晶體管設(shè)計(jì)架構(gòu),而不是被密集討論的疊層互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管(CFET)結(jié)構(gòu)。 但臺(tái)積電未在 IEDM 透露 1.4nm 制程是否將延用 GAA-FET。

          供應(yīng)鏈分析,臺(tái)積電 2nm 和 1.4nm 會(huì)做出設(shè)備支出最適化的考慮,且因臺(tái)積電未來(lái) 2nm 量產(chǎn),擁有其他同業(yè)欠缺的經(jīng)驗(yàn)曲線,預(yù)料在晶體管的 PPA(效能、功耗、面積),仍將會(huì)是業(yè)界領(lǐng)先并獲得 AI 加速芯片及繪圖處理器、CPU 等高效能運(yùn)算芯片廠首選制程。

          三星緊追臺(tái)積電不放,對(duì)外宣布計(jì)劃 2027 年推出 1.4nm,讓臺(tái)積電也不敢松懈。

          至于另一勁敵英特爾,是臺(tái)積電在 2nm 制程后列入鎖定雷達(dá)區(qū)內(nèi); 英特爾 CEO 基辛格稍早強(qiáng)調(diào),在他上任后揭露英特爾將在 4 年內(nèi)推出 5 個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn),目前進(jìn)展一切如預(yù)期。

          基辛格日前主持英特爾創(chuàng)新日時(shí)重申,Intel 7 已進(jìn)入量產(chǎn)階段,Intel 4 現(xiàn)已量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒、Intel 3 也會(huì)按計(jì)劃于今年底推出。 他并現(xiàn)場(chǎng)展示以 Intel 20A 試產(chǎn)出的晶圓,一般預(yù)料是用于生產(chǎn)明年推出的 Arrow Lake 處理器; Intel 18A 也將在 2024 下半年量產(chǎn)。

          值得留意的是,除了吸引臺(tái)積電設(shè)廠外,日本更積極扶持本地企業(yè) Rapidus,目標(biāo)直指最先進(jìn) 2nm 制程,同步祭出補(bǔ)貼政策,包含臺(tái)積電熊本廠和力積電仙臺(tái)廠雙管齊下,預(yù)估 2027 年先進(jìn)制程產(chǎn)能占比,將近乎零大幅拉升至 4%,日本精密工業(yè)與材料科學(xué)技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)不容小覷。



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