英飛凌擴展集成ECC的抗輻射異步靜態RAM產品線
【2024年1月15日，德國慕尼黑訊】衛星上的邊緣計算和推理可實現近乎實時的數據分析和決策制定。隨著聯網設備的數量及其產生的數據量不斷增長，這一點變得愈發重要。為滿足太空應用中的這些高性能計算需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專利技術RADSTOP?設計的最新抗輻射（rad hard）異步靜態隨機存取存儲器。全新產品專為高可靠性和高性能極為關鍵的太空及其它惡劣環境應用而設計。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202401/454823.htm
在高性能太空計算中，數據緩沖所需要的內存比MCU或 FPGA片上存儲器所能提供的內存更多。存儲器必須為實時處理應用提供更高的性能并具有卓越的抗輻射性能，以滿足在惡劣環境中的任務要求。英飛凌的全新抗輻射靜態隨機存取存儲器（SRAM）有8位、16位和32位寬配置，并帶有能進行單比特錯誤糾正的嵌入式糾錯碼（ECC）。這項先進技術使得糾錯碼（ECC）邏輯能夠在讀取周期內檢測并糾正任何讀取數據字中的單比特錯誤。
英飛凌科技航空航天與國防業務副總裁兼研究員Helmut Puchner博士表示：“輻射效應會導致靜態隨機存取存儲器（SRAM）中不可避免的比特錯誤，而使用系統級糾錯碼（ECC）會增加設計復雜性和延遲。英飛凌的RADSTOP異步靜態隨機存取存儲器（SRAM）提供了一種極其可靠的單芯片解決方案，可以在解決這些問題的同時，滿足航天工業對抗輻射性能的要求。”
英飛凌領先的RADSTOP技術通過自主設計和工藝強化技術實現了抗輻射性能，可滿足極端環境下的所有抗輻射要求。這款全新抗輻射存儲器獲得了QML-V認證，能夠確保在極端環境下的可靠性和生命周期要求。這些半導體器件的存取時間短至10 ns，是目前速度最快的選擇。此外，它們還為最高的密度和最低的靜態電流提供了最小的占板面積。RADSTOP存儲器解決方案擴展了整個系統的計算極限，同時具備尺寸、重量和功耗優勢以及更大的設計靈活性。
供貨情況
英飛凌的抗輻射靜態隨機存取存儲器（SRAM）現已上市。
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