三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存，速率可達 3.2GB/s

IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學術界和企業界公認的集成電路設計領域最高級別會議。

根據會議公開內容：屆時三星將展示其 GDDR7 內存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關報道，而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數據密度最高的新型 NAND 閃存技術。

從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”來看，其 280 層 1Tb QLC  閃存具有如下特征：

• 280 層 1Tb 4b / cell 3D-NAND 閃存：

• ——280 層：指該閃存芯片由 280 層存儲單元垂直堆疊而成，從而提高了存儲密度。

• ——1Tb：指該閃存芯片的存儲容量密度為 1024 G bit。

• ——4b / cell：指每個存儲單元可以存儲 4 個二進制位，即每比特數據占用 0.25 個存儲單元，進一步提高了存儲密度。

• ——3D-NAND：指該閃存采用 3D 堆疊技術，通過垂直堆疊存儲單元來增加存儲密度。

• 28.5Gb / mm2 面密度：指每平方毫米存儲單元可存儲 28.5Gb 數據，表明其存儲密度極高。

• 3.2GB/s High-Speed 10 Rate：指該閃存芯片讀取數據的最高速度為 3.2GB/s，High-Speed 10 Rate 可能指的是某種特定的接口或傳輸協議。

IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是密度單位，與 GB（G Byte）不同。就目前已公開技術來看，三星 280 層 1Tb QLC  閃存的密度和速率均處于領先位置，但量產時間未知。

根據三星 PPT 來看，QLC NAND V9 閃存可以實現最高 8TB 的 M.2 硬盤，IO 速度超過 2.4Gbps（單個芯片），原始性能可與當今 TLC 閃存直接競爭，但具體上市產品表現如何仍待觀察。