首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構建完整的存儲芯片垂直整合能力

江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設計領域，產品及服務獲得客戶高度認可。繼自研SLC NAND Flash系列產品實現規(guī)?；慨a后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上，為公司存儲產品組合帶來更多可能性。

隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導體存儲品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競爭力。

越過高門檻

NAND Flash芯片自主研發(fā)

江波龍近年來在存儲芯片的自主研發(fā)投入了大量的精力和資源。公司引進了一批具備超過20年存儲芯片設計經驗的高端人才。團隊不僅精通閃存芯片的設計技術，并且對于流片工藝制程、產品生產過程有著深入了解，對于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節(jié)點的產品實現擁有豐富的經驗。在此基礎上，公司能夠根據特定需求設計出不同容量和接口的閃存芯片，為客戶提供定制化服務。

在產品測試方面，江波龍自研NAND Flash產品通過內嵌片上DFT電路，配合公司自主開發(fā)的測試平臺，實現了高效的生產測試，以確保交付客戶的閃存芯片具有高度的一致性和可靠性。

上下求索

解決存儲芯片設計的每一步技術難題

存儲芯片設計的每個階段都有其獨特的挑戰(zhàn)和重要性，從邏輯功能、模擬電路設計、仿真驗證、物理設計等，都需要經過精心策劃和嚴格實施，才能確保最終產品的實現。

MLC NAND Flash芯片為了確保數據讀取和寫入的穩(wěn)定性，需要精確控制保存在存儲單元內的電荷數量。為達到該要求，一方面需要設計高精度的模擬電路，以精確產生讀寫存儲單元時所需的操作電壓；另一方面，需要精心設計算法來控制操作的時序和電壓，讓算法能夠適應工藝特性（尤其是新工藝），且實現盡可能低的能耗。通過在芯片內嵌入微控制器，能夠修改固件，從而實現更為靈活的算法控制。為了使得數據存儲更加可靠，芯片還內嵌了溫度傳感器，能夠搭配算法實現更加精準的控制。

此外，為了實現接口訪問的高帶寬，還需要設計高速數據讀寫通路。這一通路包括了高速讀出放大器、高速并-串/串-并轉換邏輯、冗余替換電路，并且需要在電路設計和物理版圖上精確匹配各個關鍵信號的延遲。

目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產品的設計能力，并將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產品系列。

雙管齊下

自研DRAM芯片測試平臺

除了在NAND Flash芯片領域持續(xù)發(fā)力，江波龍在DRAM芯片方面也進行了深入研究與探索。2023年，公司就已推出復合式存儲nMCP，該產品將自研SLC NAND Flash和通過自研測試平臺驗證的LPDDR4x進行合并封裝，實現高頻低耗、寬溫運行的優(yōu)異特性，可充分滿足5G網絡模塊的存儲需求。憑借對DRAM芯片的深厚技術積累和豐富的測試經驗，公司已成功構建完善的ATE測試平臺和SLT系統(tǒng)級測試平臺，能夠在芯片測試階段，高效地完成DRAM的單體測試，顯著縮短單項測試時間，從而降低成本。

布局封測制造

構建完整的存儲芯片垂直整合能力

從芯片設計、產品化到生產測試，江波龍已構建起存儲芯片完整的垂直整合能力。借助于元成蘇州、智憶巴西（Zilia）封測制造能力，不僅讓創(chuàng)新設計落地成實，更進一步增強了在存儲芯片領域的競爭力。

其中，元成蘇州已在國內率先實現了多款NAND Flash、DRAM、MCP產品的量產，并在芯片封裝及測試領域具備豐富的行業(yè)經驗，其通過引進SDBG、BSG、DB、WB、MD、FC等先進封裝測試設備，不斷提升信號仿真、工藝開發(fā)、SiP級、多芯片、高堆疊等專業(yè)能力，為車規(guī)級、工規(guī)級等高端自研存儲芯片提供了強大的技術支持。此外，元成蘇州還建立了MES、RMS、2DID等防呆體系，以確保柔性化高效的生產流程和產品實現，為客戶提供全方位的封裝測試服務。而智憶巴西（Zilia）則使江波龍能夠更好地聚焦自身主業(yè)的海外市場開拓，并為國內客戶的海外業(yè)務賦能。

未來，江波龍將繼續(xù)大力投入存儲芯片的自主研發(fā)，深入挖掘NAND Flash、DRAM存儲芯片的應用潛力，與公司既有的產品線形成協(xié)同效應，充分結合元成蘇州、智憶巴西（Zilia）的芯片封測制造能力，提高生產效率和產品品質，為客戶提供更高質量的存儲服務。持續(xù)提升一體化存儲方案的核心競爭力。