目標(biāo) 2029 年量產(chǎn) MRAM 內(nèi)存，力積電將與日企 Power Spin 合作

IT之家 2 月 8 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞近日報(bào)道，晶圓代工企業(yè)力積電計(jì)劃今年上半年與日企 Power Spin 達(dá)成合作，目標(biāo) 2029 年實(shí)現(xiàn) MRAM 內(nèi)存量產(chǎn)。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關(guān) IP 授權(quán)，力積電進(jìn)行進(jìn)一步的量產(chǎn)化研發(fā)和試產(chǎn)，最終達(dá)到量產(chǎn)目標(biāo)。

▲ 力積電商標(biāo)

據(jù)了解，Power Spin 由日本東北大學(xué)于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關(guān)技術(shù)。

▲ Power Spin 商標(biāo)

MRAM 內(nèi)存是一種非易失性內(nèi)存，其在擁有高速讀寫性能的同時(shí)可在斷電下保存數(shù)據(jù)；而且 MRAM 的耗電量相較現(xiàn)有內(nèi)存也更少，理論上可低至 1/100。不過 MRAM 也面臨多重自身問題：成本過高、耐用性與可靠性仍需進(jìn)一步驗(yàn)證。

在生成式 AI 浪潮來襲的今天，數(shù)據(jù)中心需求大量內(nèi)存，能耗優(yōu)異的 MRAM 因此成為密切關(guān)注對象，相關(guān)需求增加。日經(jīng)認(rèn)為，這是力積電找上 Power Spin 合作的重要背景原因。

力積電計(jì)劃使用在日合資公司的二期生產(chǎn)線生產(chǎn) MRAM 內(nèi)存，以推動這一新型內(nèi)存的普及。該合資公司由力積電與日本 SBI 控股于去年成立，計(jì)劃總投資 8000 億日元（IT之家注：約合 388 億人民幣）在日本建設(shè)兩期生產(chǎn)線，首期將于 2027 年建成投產(chǎn)，二期則預(yù)估 2029 年投入使用。

MRAM 現(xiàn)已成為半導(dǎo)體代工業(yè)界的前沿?zé)狳c(diǎn)：三星之前宣布計(jì)劃 2026 年量產(chǎn) 8nm 車用 eMRAM；臺積電近期也表示下一代 SOT-MRAM 內(nèi)存研發(fā)成功。Ever Spin 首席技術(shù)官遠(yuǎn)藤哲郎稱，MRAM 內(nèi)存市場規(guī)模已于 2022 年達(dá)到 300 億日元（約合 14.6 億人民幣）。