SK海力士“狂飆”,HBM是“救命良藥”
最近,SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào),2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元(約合 2.6 億美元),而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著,SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202402/455505.htm相比之下,同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星,業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示,三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元(1.4 萬億元人民幣),同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響,三星電子全年?duì)I業(yè)利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元(544 億元人民幣)以下。
近一年來,SK 海力士的表現(xiàn)可謂可圈可點(diǎn),僅用了一年時間結(jié)束虧損,SK 海力士靠的是什么「救命良方」?
SK 海力士的業(yè)績情況
財(cái)報(bào)來看,SK 海力士去年 Q4 營收同比增長 47% 至 11.31 萬億韓元,高于分析師預(yù)期的 10.4 萬億韓元。
運(yùn)營利潤 3460.3 億韓元,好于分析師預(yù)期的虧損 1699.1 億韓元,好于 Q3 的虧損 1.79 萬億韓元;凈虧損 1.38 萬億韓元,超過了分析師預(yù)期的虧損 0.41 萬億韓元,但較前一季度虧損大幅縮窄。
另外,Q4 毛利潤為 2.23 億韓元,同比大增 9404%;毛利潤率為 20%,為連續(xù)第三個季度回升;EBITDA(稅息折舊及攤銷前利潤)為 3.58 億韓元,同比增長 99%。
對于財(cái)務(wù)的增長,SK 海力士解釋道,去年第四季度用于 AI 服務(wù)器和移動端的產(chǎn)品需求增長,平均售價(ASP,Average Selling Price)上升等存儲器市場環(huán)境有所改善。與此同時,公司持續(xù)實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營活動發(fā)揮了效果,僅時隔一年實(shí)現(xiàn)了季度業(yè)績扭虧為盈。
從產(chǎn)品方面,SK 海力士表示,公司的主力產(chǎn)品 DDR5 DRAM 和 HBM3 的收入同比分別增長 4 倍和 5 倍以上。
回顧 2023 全年的業(yè)績,SK 海力士前三季度營收可以說是一虧再虧。不過,虧損是在持續(xù)收斂的。
一季度財(cái)報(bào)顯示,公司收入為 5.0881 萬億韓元,營業(yè)虧損為 3.4023 萬億韓元,凈虧損為 2.5855 萬億韓元。2023 財(cái)年第一季度營業(yè)虧損率為 67%,凈虧損率為 51%。
當(dāng)時,SK 海力士表示:「第一季度存儲器半導(dǎo)體市場持續(xù)低迷,需求疲軟和產(chǎn)品價格不斷下跌導(dǎo)致公司本季度的營業(yè)收入環(huán)比減少,營業(yè)虧損加大。但預(yù)計(jì)以第一季度為低點(diǎn),銷量逐漸遞增,第二季度業(yè)績將有所回升?!?/span>
在一季度,SK 海力士就決定加大對 DDR5 和 HBM 的投入。官方表示,決定注重于以 DDR5 服務(wù)器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM、采用 176 層 NAND 的 SSD、uMCP 產(chǎn)品為中心的銷售,以此提升營業(yè)收入。
到了二季度,SK 海力士的財(cái)報(bào)還是處于虧損。
第二季度收入為 7.3059 萬億韓元,營業(yè)虧損為 2.8821 萬億韓元,凈虧損為 2.9879 萬億韓元。2023 財(cái)年第二季度營業(yè)虧損率為 39%,凈虧損率為 41%。但可以看到,相較于第一季度,虧損率有所收斂,從第一季度的 67% 下滑為第二季度的 39%。
對此,SK 海力士解釋道:「隨著以 ChatGPT 為中心的生成式 AI 市場的擴(kuò)大,面向 AI 服務(wù)器的存儲器需求劇增。因此 HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端產(chǎn)品銷售增加,第二季度營業(yè)收入比第一季度增加 44%,營業(yè)虧損減少 15%?!?/span>
三季度財(cái)報(bào)顯示,公司的收入為 9.0662 萬億韓元,營業(yè)虧損為 1.7920 萬億韓元,凈虧損為 2.1847 萬億韓元。2023 財(cái)年第三季度營業(yè)虧損率為 20%,凈虧損率為 24%。持續(xù)減少營業(yè)損失規(guī)模。
可以看到,自從一季度開始陷入虧損后,靠著 HBM 和 DDR5,SK 海力士持續(xù)向好。
誰是「救命良藥」?
HBM 成為「印鈔機(jī)」
正如前文所述,HBM 是 SK 海力士業(yè)績大增的關(guān)鍵之一。
簡單介紹一下 HBM。HBM 的全稱是 High Bandwidth Memory,意為高帶寬存儲器,是一種面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的 DRAM,HBM 的作用類似于數(shù)據(jù)的「中轉(zhuǎn)站」,就是將使用的每一幀,每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中,等待 GPU 調(diào)用。
正如其名,HBM 與其他 DRAM 最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的 HBM3E,最高每秒可以處理 1.15TB(太字節(jié))的數(shù)據(jù)。而最新的 GDDR6 的帶寬最高只有 96GB/s,CPU 和硬件處理單元的常用外掛存儲設(shè)備 DDR4 的帶寬更是只有 HBM 的 1/10??梢哉f,HBM 是當(dāng)下數(shù)據(jù)處理速度最快的 DRAM 產(chǎn)品。
AI 服務(wù)器 GPU 市場以 NVIDIA H100、A100、A800 以及 AMD MI250、MI250X 系列為主,基本都配備了 HBM。HBM 成本在 AI 服務(wù)器成本中占比排名第三,約占 9%,單機(jī) ASP(單機(jī)平均售價)高達(dá) 18,000 美元。
在 2013 年,SK 海力士與 AMD 合作開發(fā)了世界上的第一個 HBM。
與 SK 海力士率先入局有關(guān),之后 SK 海力士在 HBM 的路上走得穩(wěn)穩(wěn)當(dāng)當(dāng)。2018 年 SK 海力士發(fā)布第二代 HBM 產(chǎn)品 HBM2;隨后 2020 年 SK 海力士發(fā)布第三代 HBM——HBM2E,作為 HBM2 的擴(kuò)展版本,性能與容量進(jìn)一步提升;2021 年 10 月 SK 海力士成功開發(fā)出第四代產(chǎn)品 HBM3,并于 2022 年 6 月開始量產(chǎn)。2023 年,SK 海力士成功開發(fā)出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 HBM3E。
可以說從 HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E,SK 海力士持續(xù)領(lǐng)先。SK 海力士占據(jù) HBM 市場 50% 的份額,三星占比 40%,美光占比 10%。
在很長一段時間內(nèi),SK 海力士都是英偉達(dá) HBM 的獨(dú)家供應(yīng)商。2023 年 SK 海力士基本壟斷了 HBM3 供應(yīng),今年其 HBM3 與 HBM3E 的訂單也已售罄。作為英偉達(dá)高帶寬內(nèi)存 (HBM)的主要供應(yīng)商,SK 海力士過去一年股價飆升超過 50%,市值達(dá)到 97.27 萬億韓元(約合 738.40 億美元)。
也正因此,SK 海力士首席執(zhí)行官 Kwak Noh-Jung 才敢放出豪言:「市場上只有三家 HBM 供應(yīng)商。我可以肯定地說,SK 海力士在 HBM 領(lǐng)域是明確的領(lǐng)導(dǎo)者?!?/span>
分析師 Hwang Min-sung 指出:「從 2023 年第二季度和第四季度開始,SK 海力士的 HBM 就與競爭對手形成顯著差異化,第三季度和第四季度差距進(jìn)一步擴(kuò)大。與通常的存儲器世代需要 1.5 到 2 年的時間過渡不同,HBM 只需 1 年的時間即可完成過渡,這為市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士帶來了優(yōu)勢?!?/span>
憑借著 HBM,SK 海力士不僅僅是業(yè)績增長,市場占有率也在迅速增長。據(jù) TrendForce 統(tǒng)計(jì),SK 海力士第三季度以 49.6% 的市場份額穩(wěn)居服務(wù)器 DRAM 市場第一,銷售額達(dá) 18.5 億美元,成功擠下三星電子。三星電子以 13.13 億美元的銷售額排名第二,占據(jù) 35.2% 的市場份額,第三名是美光,銷售額為 5.6 億美元,市場份額為 15.0%。
DDR5 成主流
成為 SK 海力士救命良藥的不只是 HBM,還有 DDR5。
根據(jù) Yole Developpement 的報(bào)告顯示,從 DDR4 到 DDR5 內(nèi)存過渡將會非常迅速。DDR5 內(nèi)存大規(guī)模應(yīng)用將在 2022 年從服務(wù)器和企業(yè)市場開始,到 2023 年,消費(fèi)級的主流市場將廣泛采用 DDR5 內(nèi)存,無論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機(jī),都會充分利用新一代內(nèi)存技術(shù)。
得益于服務(wù)器市場,2022 年 DDR5 內(nèi)存的使用率將增加 25%,到了 2023 年,DDR5 內(nèi)存的市場份額會超過 50%。2024 年至 2026 年,隨著 DDR5 內(nèi)存全面被各個市場采用,DDR4 內(nèi)存的市場份額將僅有 5%。
但是,對于 DDR5,雖然 SK 海力士是唯一一家全面生產(chǎn) 128GB 芯片的公司,三星剛剛開始生產(chǎn),美光則在去年 11 月才姍姍推出了 128GB DDR5。
業(yè)界相關(guān)人士分析道,SK 海力士 1a(第四代 10nm,屬于 14nm 級)DDR5 DRAM 產(chǎn)品良率高達(dá) 90%,遠(yuǎn)高于競爭對手。一位熟悉 SK 海力士的人士表示,「以 1a 標(biāo)準(zhǔn),SK 海力士的良率已經(jīng)達(dá)到了黃金良率。」
因此,在圍繞服務(wù)器用 128GB DDR5 等高容量產(chǎn)品的市場中,早期 SK 海力士在這一領(lǐng)域中供應(yīng)了 100% 的市場量。
搶占 HBM 先機(jī)
目前 HBM 已經(jīng)演變到了第五代,甚至第六代 HBM4 技術(shù)也初露頭角,但時至今日,HBM3e(第五代)仍舊沒有完全應(yīng)用于產(chǎn)品當(dāng)中。
既然 HBM 如此火熱,SK 海力士也想牢牢抓在手里。
在這一背景下,SK 海力士計(jì)劃在 2024 年增加資本支出,并將生產(chǎn)重心放在 HBM 等高端存儲產(chǎn)品上。之前公司曾預(yù)計(jì),到 2030 年其 HBM 出貨量將達(dá)到每年 1 億顆;并決定在 2024 年預(yù)留約 10 萬億韓元(約合 76 億美元)的設(shè)施資本支出——相較 2023 年 6 萬億-7 萬億韓元的預(yù)計(jì)設(shè)施投資,增幅高達(dá) 43%-67%。
不止 SK 海力士,HBM 的大蛋糕,存儲廠商都看著眼熱。
三星對 HBM 的布局從 HBM2 開始,目前,三星已經(jīng)向客戶提供了 HBM2 和 HBM2E 產(chǎn)品。2016 年三星量產(chǎn) HBM2;2020 年三星推出了 HBM2;2021 年 2 月,三星推出了 HBM-PIM(存算一體),將內(nèi)存半導(dǎo)體和 AI 處理器合二為一;2022 年三星表示 HBM3 已量產(chǎn)。
韓國日報(bào)稱,三星電子打破了 SK 海力士為英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng) HBM 3 的局面,該公司計(jì)劃從明年 1 月開始向英偉達(dá)提供 HBM3。此前,三星電子已成功向美國 AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存。
美光這邊,為了改善自己在 HBM 市場中的被動地位,美光選擇了直接跳過第四代 HBM 即 HBM3,直接升級到了第五代。
2023 年 9 月,美光宣布推出 HBM3 Gen2(即 HBM3E),后續(xù)表示計(jì)劃于 2024 年初開始大批量發(fā)貨 HBM3 Gen2 內(nèi)存,同時透露英偉達(dá)是主要客戶之一。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 也在公司財(cái)報(bào)電話會議里表示:「我們的 HBM3 Gen2 產(chǎn)品系列的推出引起了客戶的濃厚興趣和熱情。」
最新消息顯示,英偉達(dá)正在規(guī)劃加入更多的 HBM 供應(yīng)商,以完善和健全其供應(yīng)鏈管理。除了 HBM3 和 HBM3e 以外,HBM4 預(yù)計(jì)將在 2026 年推出。目前,英偉達(dá)和其他 CSP(云端業(yè)者)在未來的產(chǎn)品應(yīng)用上,規(guī)格和效能都將得到優(yōu)化。
HBM4 在堆棧的層數(shù)上,除了現(xiàn)有的 12hi(12 層)外,還將再往 16hi(16 層)發(fā)展,更高層數(shù)預(yù)計(jì)將帶動新堆棧方式的需求增長。機(jī)構(gòu)預(yù)測,HBM4 12hi 產(chǎn)品將在 2026 年推出,16hi 產(chǎn)品則有望在 2027 年問世。
HBM 的戰(zhàn)斗,還在繼續(xù)。
結(jié)語
無論是第五代 10nm 級 DRAM 技術(shù),還是 HBM 等新技術(shù),存儲大廠都在持續(xù)發(fā)力。展望未來,隨著 5G、人工智能、云計(jì)算等技術(shù)的快速發(fā)展,高性能內(nèi)存需求將持續(xù)增長。
總的來說,SK 海力士業(yè)績向好的背后,是其在 HBM 和 DDR5 領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)和市場布局。SK 海力士業(yè)績向好,也再次體現(xiàn)出創(chuàng)新技術(shù)對于半導(dǎo)體廠商的重要性。市場總是不會虧待有創(chuàng)新力的企業(yè)。然而,要想保持這一優(yōu)勢并持續(xù)增長,SK 海力士還需不斷創(chuàng)新和適應(yīng)市場的變化。
在市場回春后,新存儲的技術(shù)之戰(zhàn),會愈演愈烈。
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