SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”

最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營(yíng)業(yè)虧損 1.91 萬(wàn)億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。

相比之下，同為韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績(jī)卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷(xiāo)售額為 258.16 萬(wàn)億韓元（1.4 萬(wàn)億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門(mén)業(yè)績(jī)不佳影響，三星電子全年?duì)I業(yè)利潤(rùn)時(shí)隔 15 年再次跌至 10 萬(wàn)億韓元（544 億元人民幣）以下。

近一年來(lái)，SK 海力士的表現(xiàn)可謂可圈可點(diǎn)，僅用了一年時(shí)間結(jié)束虧損，SK 海力士靠的是什么「救命良方」？

SK 海力士的業(yè)績(jī)情況

財(cái)報(bào)來(lái)看，SK 海力士去年 Q4 營(yíng)收同比增長(zhǎng) 47% 至 11.31 萬(wàn)億韓元，高于分析師預(yù)期的 10.4 萬(wàn)億韓元。

運(yùn)營(yíng)利潤(rùn) 3460.3 億韓元，好于分析師預(yù)期的虧損 1699.1 億韓元，好于 Q3 的虧損 1.79 萬(wàn)億韓元；凈虧損 1.38 萬(wàn)億韓元，超過(guò)了分析師預(yù)期的虧損 0.41 萬(wàn)億韓元，但較前一季度虧損大幅縮窄。

另外，Q4 毛利潤(rùn)為 2.23 億韓元，同比大增 9404%；毛利潤(rùn)率為 20%，為連續(xù)第三個(gè)季度回升；EBITDA（稅息折舊及攤銷(xiāo)前利潤(rùn)）為 3.58 億韓元，同比增長(zhǎng) 99%。

對(duì)于財(cái)務(wù)的增長(zhǎng)，SK 海力士解釋道，去年第四季度用于 AI 服務(wù)器和移動(dòng)端的產(chǎn)品需求增長(zhǎng)，平均售價(jià)（ASP，Average Selling Price）上升等存儲(chǔ)器市場(chǎng)環(huán)境有所改善。與此同時(shí)，公司持續(xù)實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)發(fā)揮了效果，僅時(shí)隔一年實(shí)現(xiàn)了季度業(yè)績(jī)扭虧為盈。

從產(chǎn)品方面，SK 海力士表示，公司的主力產(chǎn)品 DDR5 DRAM 和 HBM3 的收入同比分別增長(zhǎng) 4 倍和 5 倍以上。

回顧 2023 全年的業(yè)績(jī)，SK 海力士前三季度營(yíng)收可以說(shuō)是一虧再虧。不過(guò)，虧損是在持續(xù)收斂的。

一季度財(cái)報(bào)顯示，公司收入為 5.0881 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為 3.4023 萬(wàn)億韓元，凈虧損為 2.5855 萬(wàn)億韓元。2023 財(cái)年第一季度營(yíng)業(yè)虧損率為 67%，凈虧損率為 51%。

當(dāng)時(shí)，SK 海力士表示：「第一季度存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)低迷，需求疲軟和產(chǎn)品價(jià)格不斷下跌導(dǎo)致公司本季度的營(yíng)業(yè)收入環(huán)比減少，營(yíng)業(yè)虧損加大。但預(yù)計(jì)以第一季度為低點(diǎn)，銷(xiāo)量逐漸遞增，第二季度業(yè)績(jī)將有所回升?！?/span>

在一季度，SK 海力士就決定加大對(duì) DDR5 和 HBM 的投入。官方表示，決定注重于以 DDR5 服務(wù)器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM、采用 176 層 NAND 的 SSD、uMCP 產(chǎn)品為中心的銷(xiāo)售，以此提升營(yíng)業(yè)收入。

到了二季度，SK 海力士的財(cái)報(bào)還是處于虧損。

第二季度收入為 7.3059 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為 2.8821 萬(wàn)億韓元，凈虧損為 2.9879 萬(wàn)億韓元。2023 財(cái)年第二季度營(yíng)業(yè)虧損率為 39%，凈虧損率為 41%。但可以看到，相較于第一季度，虧損率有所收斂，從第一季度的 67% 下滑為第二季度的 39%。

對(duì)此，SK 海力士解釋道：「隨著以 ChatGPT 為中心的生成式 AI 市場(chǎng)的擴(kuò)大，面向 AI 服務(wù)器的存儲(chǔ)器需求劇增。因此 HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端產(chǎn)品銷(xiāo)售增加，第二季度營(yíng)業(yè)收入比第一季度增加 44%，營(yíng)業(yè)虧損減少 15%。」

三季度財(cái)報(bào)顯示，公司的收入為 9.0662 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為 1.7920 萬(wàn)億韓元，凈虧損為 2.1847 萬(wàn)億韓元。2023 財(cái)年第三季度營(yíng)業(yè)虧損率為 20%，凈虧損率為 24%。持續(xù)減少營(yíng)業(yè)損失規(guī)模。

可以看到，自從一季度開(kāi)始陷入虧損后，靠著 HBM 和 DDR5，SK 海力士持續(xù)向好。

誰(shuí)是「救命良藥」？

HBM 成為「印鈔機(jī)」

正如前文所述，HBM 是 SK 海力士業(yè)績(jī)大增的關(guān)鍵之一。

簡(jiǎn)單介紹一下 HBM。HBM 的全稱(chēng)是 High Bandwidth Memory，意為高帶寬存儲(chǔ)器，是一種面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的 DRAM，HBM 的作用類(lèi)似于數(shù)據(jù)的「中轉(zhuǎn)站」，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中，等待 GPU 調(diào)用。

正如其名，HBM 與其他 DRAM 最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的 HBM3E，最高每秒可以處理 1.15TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)。而最新的 GDDR6 的帶寬最高只有 96GB/s，CPU 和硬件處理單元的常用外掛存儲(chǔ)設(shè)備 DDR4 的帶寬更是只有 HBM 的 1/10。可以說(shuō)，HBM 是當(dāng)下數(shù)據(jù)處理速度最快的 DRAM 產(chǎn)品。

AI 服務(wù)器 GPU 市場(chǎng)以 NVIDIA H100、A100、A800 以及 AMD MI250、MI250X 系列為主，基本都配備了 HBM。HBM 成本在 AI 服務(wù)器成本中占比排名第三，約占 9%，單機(jī) ASP（單機(jī)平均售價(jià)）高達(dá) 18,000 美元。

在 2013 年，SK 海力士與 AMD 合作開(kāi)發(fā)了世界上的第一個(gè) HBM。

與 SK 海力士率先入局有關(guān)，之后 SK 海力士在 HBM 的路上走得穩(wěn)穩(wěn)當(dāng)當(dāng)。2018 年 SK 海力士發(fā)布第二代 HBM 產(chǎn)品 HBM2；隨后 2020 年 SK 海力士發(fā)布第三代 HBM——HBM2E，作為 HBM2 的擴(kuò)展版本，性能與容量進(jìn)一步提升；2021 年 10 月 SK 海力士成功開(kāi)發(fā)出第四代產(chǎn)品 HBM3，并于 2022 年 6 月開(kāi)始量產(chǎn)。2023 年，SK 海力士成功開(kāi)發(fā)出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 HBM3E。

可以說(shuō)從 HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E，SK 海力士持續(xù)領(lǐng)先。SK 海力士占據(jù) HBM 市場(chǎng) 50% 的份額，三星占比 40%，美光占比 10%。

在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，SK 海力士都是英偉達(dá) HBM 的獨(dú)家供應(yīng)商。2023 年 SK 海力士基本壟斷了 HBM3 供應(yīng)，今年其 HBM3 與 HBM3E 的訂單也已售罄。作為英偉達(dá)高帶寬內(nèi)存 (HBM）的主要供應(yīng)商，SK 海力士過(guò)去一年股價(jià)飆升超過(guò) 50%，市值達(dá)到 97.27 萬(wàn)億韓元（約合 738.40 億美元）。

也正因此，SK 海力士首席執(zhí)行官 Kwak Noh-Jung 才敢放出豪言：「市場(chǎng)上只有三家 HBM 供應(yīng)商。我可以肯定地說(shuō)，SK 海力士在 HBM 領(lǐng)域是明確的領(lǐng)導(dǎo)者?！?/span>

分析師 Hwang Min-sung 指出：「從 2023 年第二季度和第四季度開(kāi)始，SK 海力士的 HBM 就與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手形成顯著差異化，第三季度和第四季度差距進(jìn)一步擴(kuò)大。與通常的存儲(chǔ)器世代需要 1.5 到 2 年的時(shí)間過(guò)渡不同，HBM 只需 1 年的時(shí)間即可完成過(guò)渡，這為市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士帶來(lái)了優(yōu)勢(shì)。」

憑借著 HBM，SK 海力士不僅僅是業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)，市場(chǎng)占有率也在迅速增長(zhǎng)。據(jù) TrendForce 統(tǒng)計(jì)，SK 海力士第三季度以 49.6% 的市場(chǎng)份額穩(wěn)居服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)第一，銷(xiāo)售額達(dá) 18.5 億美元，成功擠下三星電子。三星電子以 13.13 億美元的銷(xiāo)售額排名第二，占據(jù) 35.2% 的市場(chǎng)份額，第三名是美光，銷(xiāo)售額為 5.6 億美元，市場(chǎng)份額為 15.0%。

DDR5 成主流

成為 SK 海力士救命良藥的不只是 HBM，還有 DDR5。

根據(jù) Yole Developpement 的報(bào)告顯示，從 DDR4 到 DDR5 內(nèi)存過(guò)渡將會(huì)非常迅速。DDR5 內(nèi)存大規(guī)模應(yīng)用將在 2022 年從服務(wù)器和企業(yè)市場(chǎng)開(kāi)始，到 2023 年，消費(fèi)級(jí)的主流市場(chǎng)將廣泛采用 DDR5 內(nèi)存，無(wú)論是臺(tái)式電腦、筆記本電腦還是手機(jī)，都會(huì)充分利用新一代內(nèi)存技術(shù)。

得益于服務(wù)器市場(chǎng)，2022 年 DDR5 內(nèi)存的使用率將增加 25%，到了 2023 年，DDR5 內(nèi)存的市場(chǎng)份額會(huì)超過(guò) 50%。2024 年至 2026 年，隨著 DDR5 內(nèi)存全面被各個(gè)市場(chǎng)采用，DDR4 內(nèi)存的市場(chǎng)份額將僅有 5%。

但是，對(duì)于 DDR5，雖然 SK 海力士是唯一一家全面生產(chǎn) 128GB 芯片的公司，三星剛剛開(kāi)始生產(chǎn)，美光則在去年 11 月才姍姍推出了 128GB DDR5。

業(yè)界相關(guān)人士分析道，SK 海力士 1a（第四代 10nm，屬于 14nm 級(jí)）DDR5 DRAM 產(chǎn)品良率高達(dá) 90%，遠(yuǎn)高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。一位熟悉 SK 海力士的人士表示，「以 1a 標(biāo)準(zhǔn)，SK 海力士的良率已經(jīng)達(dá)到了黃金良率?！?/span>

因此，在圍繞服務(wù)器用 128GB DDR5 等高容量產(chǎn)品的市場(chǎng)中，早期 SK 海力士在這一領(lǐng)域中供應(yīng)了 100% 的市場(chǎng)量。

搶占 HBM 先機(jī)

目前 HBM 已經(jīng)演變到了第五代，甚至第六代 HBM4 技術(shù)也初露頭角，但時(shí)至今日，HBM3e（第五代）仍舊沒(méi)有完全應(yīng)用于產(chǎn)品當(dāng)中。

既然 HBM 如此火熱，SK 海力士也想牢牢抓在手里。

在這一背景下，SK 海力士計(jì)劃在 2024 年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在 HBM 等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品上。之前公司曾預(yù)計(jì)，到 2030 年其 HBM 出貨量將達(dá)到每年 1 億顆；并決定在 2024 年預(yù)留約 10 萬(wàn)億韓元（約合 76 億美元）的設(shè)施資本支出——相較 2023 年 6 萬(wàn)億-7 萬(wàn)億韓元的預(yù)計(jì)設(shè)施投資，增幅高達(dá) 43%-67%。

不止 SK 海力士，HBM 的大蛋糕，存儲(chǔ)廠(chǎng)商都看著眼熱。

三星對(duì) HBM 的布局從 HBM2 開(kāi)始，目前，三星已經(jīng)向客戶(hù)提供了 HBM2 和 HBM2E 產(chǎn)品。2016 年三星量產(chǎn) HBM2；2020 年三星推出了 HBM2；2021 年 2 月，三星推出了 HBM-PIM（存算一體），將內(nèi)存半導(dǎo)體和 AI 處理器合二為一；2022 年三星表示 HBM3 已量產(chǎn)。

韓國(guó)日?qǐng)?bào)稱(chēng)，三星電子打破了 SK 海力士為英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計(jì)劃從明年 1 月開(kāi)始向英偉達(dá)提供 HBM3。此前，三星電子已成功向美國(guó) AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存。

美光這邊，為了改善自己在 HBM 市場(chǎng)中的被動(dòng)地位，美光選擇了直接跳過(guò)第四代 HBM 即 HBM3，直接升級(jí)到了第五代。

2023 年 9 月，美光宣布推出 HBM3 Gen2（即 HBM3E），后續(xù)表示計(jì)劃于 2024 年初開(kāi)始大批量發(fā)貨 HBM3 Gen2 內(nèi)存，同時(shí)透露英偉達(dá)是主要客戶(hù)之一。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 也在公司財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議里表示：「我們的 HBM3 Gen2 產(chǎn)品系列的推出引起了客戶(hù)的濃厚興趣和熱情。」

最新消息顯示，英偉達(dá)正在規(guī)劃加入更多的 HBM 供應(yīng)商，以完善和健全其供應(yīng)鏈管理。除了 HBM3 和 HBM3e 以外，HBM4 預(yù)計(jì)將在 2026 年推出。目前，英偉達(dá)和其他 CSP（云端業(yè)者）在未來(lái)的產(chǎn)品應(yīng)用上，規(guī)格和效能都將得到優(yōu)化。

HBM4 在堆棧的層數(shù)上，除了現(xiàn)有的 12hi（12 層）外，還將再往 16hi（16 層）發(fā)展，更高層數(shù)預(yù)計(jì)將帶動(dòng)新堆棧方式的需求增長(zhǎng)。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，HBM4 12hi 產(chǎn)品將在 2026 年推出，16hi 產(chǎn)品則有望在 2027 年問(wèn)世。

HBM 的戰(zhàn)斗，還在繼續(xù)。

結(jié)語(yǔ)

無(wú)論是第五代 10nm 級(jí) DRAM 技術(shù)，還是 HBM 等新技術(shù)，存儲(chǔ)大廠(chǎng)都在持續(xù)發(fā)力。展望未來(lái)，隨著 5G、人工智能、云計(jì)算等技術(shù)的快速發(fā)展，高性能內(nèi)存需求將持續(xù)增長(zhǎng)。

總的來(lái)說(shuō)，SK 海力士業(yè)績(jī)向好的背后，是其在 HBM 和 DDR5 領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)和市場(chǎng)布局。SK 海力士業(yè)績(jī)向好，也再次體現(xiàn)出創(chuàng)新技術(shù)對(duì)于半導(dǎo)體廠(chǎng)商的重要性。市場(chǎng)總是不會(huì)虧待有創(chuàng)新力的企業(yè)。然而，要想保持這一優(yōu)勢(shì)并持續(xù)增長(zhǎng)，SK 海力士還需不斷創(chuàng)新和適應(yīng)市場(chǎng)的變化。

在市場(chǎng)回春后，新存儲(chǔ)的技術(shù)之戰(zhàn)，會(huì)愈演愈烈。