三星組建了由DRAM產品與技術負責人Hwang Sang-joon領導HBM內存產能與質量提升團隊。據外媒報道，近日，三星電子DS部門負責人慶桂顯表示，三星內部正采取雙軌AI半導體策略，同步提高在AI用存儲芯片和AI算力芯片領域的競爭力。三星組建了由DRAM產品與技術負責人Hwang Sang-joon領導HBM內存產能與質量提升團隊。此外，慶桂顯稱客戶對于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長，并有部分客戶表達了將Mach系列芯片應用于超1000B參數大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
關鍵字：
HBM AI推理芯片
4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內部正采取雙軌 AI 半導體策略，同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分，三星組建了由 DRAM 產品與技術負責人 Hwang Sang-joon 領導 HBM 內存產能與質量提升團隊，這是其今年建立的第二個 HBM 專門團隊。三星近期在 HBM 內存上進行了大規模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內存市場領軍地位：2019 年，三星因對未來市場的錯誤預測
關鍵字：
三星 HBM AI Mach-2
HBM 即高帶寬內存，是一款新型的 CPU/GPU 內存芯片。如果說傳統的 DDR 就是采用的"平房設計"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設計"方式。目前，HBM 產品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發?？梢钥吹?，HBM 每一次更新迭代都會伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨特的 2.5D/3D 內存架構，迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3 不僅
關鍵字：
HBM
美光目前在高帶寬內存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內存供應已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當大的HBM市場份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經售罄，我們 2025 年的絕大部分供應已經分配完畢，”美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示?！拔覀兝^續預計 HBM
關鍵字：
美光 存儲 AI HBM
3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上，英偉達首席執行官黃仁勛表示：“HBM 內存不僅生產難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術奇跡”（technological miracle），相比較傳統 DRAM，不僅可以提高數據中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前，網絡上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內存，而在本次吹風會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優秀的公司”（Samsung is a v
關鍵字：
黃仁勛 三星 英偉達 HBM 內存
近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產，并預計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
關鍵字：
DDR 美光科技 HBM
邁過2023年的經濟逆風行業下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續突破，有望帶動存儲市場迸發新的活力。一2024是DRAM技術迸發活力的一年從1998年三星生產出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續突破。按照不
關鍵字：
存儲 DDR HBM
邁過2023年的經濟逆風行業下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續突破，有望帶動存儲市場迸發新的活力。一2024是DRAM技術迸發活力的一年從1998年三星生產出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續突破。按照不同的
關鍵字：
DDR GDDR6 HBM
IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產 HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
關鍵字：
三星 MR-RUF DRAM HBM
SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長認為，半導體行業前50年都在專注芯片本身的設計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據彭博社報道，SK海力士（SK
Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現任 SK Hynix
封裝開發主管的李康旭表示，推進封裝工藝創新是提高HBM性能、降低功耗的關鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產SK海力士在最近的財報中表示，
關鍵字：
存儲 HBM 先進封裝
近期，存儲廠商南亞科總經理李培瑛對外表示，HBM目前產品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數僅約2%。因此，以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產業發展的強勁動能。不過，HBM技術含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術
關鍵字：
HBM 存儲
AI服務器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產品HBM異軍突起，成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業界認為，HBM是加速未來AI技術發展的關鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產能售罄。與此同時，HBM技術再突破、大客戶發生變動、被劃進國家戰略技術之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內存的一種。從技術原理上講，HB
關鍵字：
三星 半導體存儲器 HBM
繼此前美光宣布 HBM 產能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產能也已經全部售罄。
關鍵字：
HBM
近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
關鍵字：
存儲 HBM SK海力士 美光科技
內存技術作為計算機系統的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。在這個背景下，高帶寬內存（HBM）以其卓越的性能表現，正逐漸在內存技術領域嶄露頭角，成為推動計算領域進入全新時代的關鍵力量。相較于傳統的動態隨機存取內存（DRAM），HBM 的性能優勢顯而易見。遠遠超越 DDRDDR 是一種常見的計算機內存類型，最早是為了提高內存傳輸速率而設計的。它采用了雙倍數據傳輸技術，即在每個時鐘周期內可以傳輸兩次數據，從而提高了數據傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
關鍵字：
HBM
hbm介紹
您好，目前還沒有人創建詞條hbm!
歡迎您創建該詞條，闡述對hbm的理解，并與今后在此搜索hbm的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473