美光推出業界領先的緊湊封裝型 UFS，助力下一代智能手機設計搭載更大容量電池

2024 年 2 月28日，中國上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS）4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業界領先的緊湊型UFS 封裝（9 x 13mm）?；谙冗M的232層3D NAND技術，美光UFS 4.0解決方案可實現高達 1 TB容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智能手機實現更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。

美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達 4300 MBps和4000 MBps，較前代產品相比性能^[1]提升一倍，為數據密集型應用提供了更出色的使用體驗。憑借高速性能，用戶能更快地啟動常用的生產力、創意和新興 AI 應用。生成式 AI 應用中的大語言模型加載速度可提高 40%^[2]，為用戶與AI 數字助手的對話提供更流暢的使用體驗。

美光移動事業部總經理兼企業副總裁Mark Montierth 表示：“美光最新推出的UFS 4.0 解決方案采用業界領先的緊湊型UFS封裝，在降低功耗的同時可提供一流的存儲性能。該解決方案憑借突破性的固件升級，使智能手機始終保持出廠時的流暢運行狀態，同時通過更強的性能、靈活性和可擴展性，進一步提升了移動存儲性能標準，助力智能手機加速普及生成式 AI 功能。”

緊湊的封裝設計為超薄節能型智能手機奠定基礎

自去年 6 月推出11mm x 13mm封裝規格的UFS 4.0解決方案后，美光進一步縮小UFS 4.0的外形規格以實現更緊湊的 9mm x 13mm 托管型 NAND封裝。尺寸更小巧的UFS 4.0為下一代折疊及超薄智能手機設計帶來了更多可能性，制造商可利用節省出來的空間放置更大容量的電池。此外，新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%^[3]，使用戶在運行 AI、AR、游戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續航時間。

美光專有固件創新，進一步提升移動閃存標準

此次增強版 UFS 4.0基于美光去年量產的 UFS 4.0產品，可提供多項專有固件更新功能，包括：

· 高性能模式（HPM）：該專有功能通過優先處理關鍵任務而非后臺任務，以提升智能手機在密集使用期間的性能。開啟 HPM 后，存儲訪問速度可提升一倍，助力手機在啟動多應用時速度提升超過 25% ^[4]。

· 一鍵刷新（OBR）：OBR 功能通過自動清理和優化數據，幫助用戶獲得更持久的卓越性能，使智能手機始終保持宛如全新狀態的流暢運行體驗。更快的讀/寫性能可提升10% 的應用啟動速度^[5]，實現更快的相冊訪問速度和流暢的多任務處理，為用戶提供更好的體驗。

· 分區 UFS（ZUFS）：美光 UFS 4.0 現支持主機指定不同的數據存儲區域，以提升設備的長期使用體驗。ZUFS 能夠有效應對寫入放大現象，在不降低設備性能的前提下，盡可能利用有限的編程和擦除周期，從而延長智能手機使用壽命，并長期保持流暢的使用體驗。

美光工程師團隊在其全球實驗室中通過預測新興使用場景、模擬現實應用環境以及與客戶密切協作收集反饋，成功打造出這些創新的固件功能。在位于美國、中國和韓國的客戶聯合實驗室中，美光與智能手機廠商密切合作，通過了解廠商面臨的痛點問題，開發具有針對性的解決方案來解決技術瓶頸。

供貨情況

美光增強版 UFS 4.0 現已出樣，并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量選項。擴展的容量可支持旗艦智能手機容納設備端 AI 助手分析和生成的所有數據，以及用戶不斷增加的圖片素材，釋放AI的優勢并獲得比云存儲更高的安全性。通過本地數據存儲，用戶能夠在離線或網絡信號不穩定的情況下隨時訪問個人數據，從強大的AI功能中受益。

^[1] 與上一代 UFS 3.1 176 層 NAND 相比

^[2] 與上一代 UFS 3.1 176 層 NAND 相比

^[3] 與上一代 UFS 3.1 176 層 NAND 相比

^[4] 與未啟用 HPM 的 UFS 4.0 設備相比

^[5] 與未啟用 OBR 的 UFS 4.0 設備相比