Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo^?近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。

Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。我們的共源共柵技術還支持以更高的開關頻率運行，通過使用更小的外部元件進一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡化電源設計流程，讓我們的客戶能夠專注做好單一模塊的設計、布局、組裝、特性分析和認證，無需應對多個分立式元件?！?/p>

以 9.4mΩ 導通電阻的 UHB100SC12E1BC3N 為代表的這四款 SiC 模塊均采用 Qorvo 獨特的共源共柵配置，最大限度地降低了導通電阻和開關損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優勢在軟開關應用中尤為顯著。另外，銀燒結芯片貼裝將熱阻降至 0.23°C/W；與帶“SC”的產品型號中的疊層芯片結構相結合，其功率循環性能比市場同類 SiC 電源模塊高出 2 倍。得益于以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模塊系列：

Qorvo 功能強大的設計工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE? 軟件）有助于產品選擇和性能仿真。

Qorvo SiC 模塊系列已在美國加利福尼亞州長灘會議中心舉行的國際電力電子應用展覽會（APEC）上進行了首次亮相。更多信息，請訪問 Qorvo APEC 2024 頁面。