又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。

據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要應用于服務器上。

在此之前，三星已經在其現有的雙列直插式存儲器模塊（RDIMM）中使用了熱壓非導電膜（TC NCF）技術。而 MUF 是另一家存儲大廠用于制造高頻寬存儲器（HBM）的技術，其所用的技術為 Mass Re-flow Molded Underfill，簡稱 MR-MUF。事實上，MUF 是一種環氧樹脂模塑化合物，自從該大廠成功將其應用于 HBM 生產后，便在半導體產業中受到關注，業界認為該材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優勢。

消息人士稱三星計劃與三星 SDI 合作開發自己的 MUF 化合物，目前已經訂購了 MUF 應用所需的模壓設備。而因為三星是世界最大的存儲器龍頭企業，所以若三星也導入 MUF，那么 MUF 可能會成為主流技術，半導體材料市場也會發生巨大的變化。