第三代半導體項目遍地開花

近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億。

總投資32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用

據濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產基地在深圳寶安區啟用，其由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營，將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產業鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產業發展“第三極”。

濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設，2022年11月關鍵生產區域廠房結構封頂，2023年6月襯底產線正式進入試運行階段。

第三代半導體碳化硅材料生產基地總投資32.7億元，是廣東省和深圳市重點項目，深圳全球招商大會重點簽約項目。其中，圍繞生產襯底和外延等制造芯片的基礎材料，該項目重點布局了6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產線，預計今年襯底和外延產能達25萬片，將有效解決下游客戶在軌道交通、新能源汽車、分布式新能源、智能電網、高端電源、5G通訊、人工智能等重點領域的碳化硅器件產業鏈發展的原材料基礎保障和供應瓶頸，為深圳及廣東本地龍頭企業長期提供穩定可靠足量的襯底及外延材料，以加快推動全產業鏈核心技術自主可控和量產原材料保障。

未來，重投天科還將設立大尺寸晶體生長和外延研發中心，并與本地重點實驗室在儀器設備共享及材料領域開展合作，與重點裝備制造企業加強晶體加工領域的技術創新合作，聯動下游龍頭企業在車規器件、模組研發等工作上聯合創新，并助力深圳提升8英寸襯底平臺領域研發及產業化制造技術水平。

35億元，山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目開工

菏澤市牡丹區吳店鎮消息顯示，2月26日，吳店鎮舉辦2024年春季吳店鎮省重點項目建設現場推進會暨砷化鎵半導體晶片項目開工奠基儀式。

據悉，菏澤市牡丹區砷化鎵半導體項目，是由山東水發聯合臺灣半導體龍頭企業共同投資建設，項目總投資35億元，計劃分兩期實施。一期工程計劃投資15億元，建設4/6英寸砷化鎵生產線，主要生產砷化鎵半導體面射型鐳射VCSEL產品，年產芯片6萬片。建設期1.5年，預計2025年7月試生產。

二期工程計劃投資20億元，建設4/6英寸第三代化合物半導體氮化鎵GaN和碳化硅SiC生產線，主要生產功率半導體器件及耐高壓新能源汽車逆變器，以滿足多元化市場需求。二期工程計劃2026年下半年開工建設，預計2028年上半年投產。

譜析光晶1億元SiC芯片項目簽約浙江

近日，浙江省杭州市蕭山區瓜瀝鎮舉行推進新型工業化暨項目開工簽約大會，會上集中簽約開工的18個項目總投資超20億元，涉及半導體芯片、集成電路設計與組件等領域。其中新簽約項目包含譜析光晶投資的年產10萬臺第三代半導體芯片與系統生產基地項目，該項目計劃總投資1億元。

據悉，譜析光晶主要生產基于第三代半導體材料碳化硅（SiC）等的驅動系統與模組，應用在電動汽車電控模組等超高可靠性要求領域。該公司具備從芯片級到模塊級再到系統級的優化和生產能力。此前報道，譜析光晶自2020年成立以來，每年的營收增長率在300%以上，2023年公司實現營收8000萬元，在手訂單3億元，預期2024年營收超過2億元，計劃在2025年申報IPO。

產品方面，譜析光晶已批量出產數款1200V、30毫歐以內的高端SiC SBD和車規級MOS芯片。業務方面，2023年9月25日，譜析光晶、乾晶半導體與綠能芯創簽訂戰略合作協議，共同開發及驗證應用于特殊領域的SiC相關產品，并簽訂了5年內4.5億元的意向訂單。隨著本次項目建成達產，譜析光晶SiC芯片產能有望再上一個臺階。

14.7億，賽達半導體年產30萬片SiC外延項目啟動

近日，賽達半導體科技有限公司（以下簡稱賽達半導體）碳化硅（SiC）外延項目環評消息公示。

公告顯示，該項目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產和研發廠房。項目擬購置外延設備、測試設備、清洗設備等主要生產、研發和附屬設備，先期產能1.5萬片/年，2027年規劃產能為30萬片/年。

天眼查資料顯示，賽達半導體成立于2023年10月，由穩晟科技（天津）有限公司全資持股，后者控股股東、實控人為長城汽車董事長魏建軍。

早在2023年5月，長城控股招標中心便發文稱已啟動“精工自動化SiC外延廠房改造設計項目”；2023年9月，該項目落戶河北省保定市徐水經開區，簽約方為穩晟科技（天津）有限公司，主建方則為賽達半導體。

總投資20億，新華錦第三代半導體碳材料產業園項目落戶山東

2月21日，山東省平度市舉行2024年重點產業項目春季集中簽約活動，48個項目集中簽約，其中就包括新華錦第三代半導體碳材料產業園項目。

據了解，新華錦第三代半導體碳材料產業園項目位于平度市經濟開發區，項目由新華錦集團投資建設，總投資20億元，主要建設年產5000噸半導體用細顆粒等靜壓石墨和1000噸半導體用多孔石墨生產基地。青島是國內石墨資源的主產地之一。根據新華錦集團官方資料，集團在平度收購了兩個石墨礦。近年來，集團與中國科學院山西煤化所合作建設了高性能等靜壓石墨和特種多孔石墨項目，生產的產品是第三代半導體碳化硅長晶用的核心基礎石墨材料，經過國家石墨產品質量檢驗中心權威部門認證，在技術水平和產品性能上超越了進口產品。

據了解，新華錦集團是按照山東省政府“推進省屬外貿企業改革重組”的戰略部署，由新華錦集團有限公司聯合多家省級外貿企業組建的產業化、國際化、綜合性企業集團。

石墨新材料板塊是新華錦集團重點發展的業務板塊之一。除上述項目外，2023年11月，新華錦集團旗下青島華錦新材料科技發展有限公司（以下簡稱“華錦新材”）正式點火投產。該項目主要生產第三代半導體芯片用特種石墨材料，為國內下游SiC半導體行業的發展掃清基礎原材料障礙。

華錦新材是新華錦集團與中國科學院山西煤化所技術轉化落地企業，專業生產大規格、細顆粒特種石墨材料產品，產品性能指標國內領先，主要應用于第三代半導體SiC襯底熱場領域、3D熱彎模具等。

近日，新華錦在投資者問答平臺表示，公司將集中精力和資源進行石墨新材料產業布局，對內通過自主研發、技術創新提高石墨產品附加值，打造一流的石墨精煉生產基地；對外將以石墨礦為起點，向下游積極探索和布局石墨在新材料領域的應用，與科研機構、專業院校開展技術合作與交流，與控股股東新華錦集團在石墨新材料業務協同發展，通過外延式并購，建立多層次的石墨產品體系。

24萬片！普興電子6英寸SiC外延片項目啟動

2月26日，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡稱“普興電子”）官網信息顯示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產業化項目”進行了第一次環境影響評價信息公示（以下簡稱公告）。

公告顯示，本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進行改擴建，建筑面積約4000平米，購置碳化硅（SiC）外延設備及配套設備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產線。項目建成后，將實現年產24萬片SiC外延片的生產能力。

普興電子官網資料顯示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半導體材料的外延研發和生產，是中電科半導體材料有限公司（以下簡稱電科材料）控股子公司。普興電子的主要產品為各種規格型號的硅基外延片、氮化鎵（GaN）和SiC外延片，可廣泛應用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領域。

近年來，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導體外延材料的研發生產，在2021年9月啟動了占地面積130畝的新外延材料產業基地建設項目，并于2022年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產、檢驗設備，11月即實現了首片硅外延和SiC外延下線，標志著該產業基地正式進入試生產和驗證階段。

據悉，2022年4月，普興電子還公示一項“6英寸碳化硅外延片產業化項目”，本項目總投資18000萬元，租用同輝公司（隸屬于中電科十三所）現有廠房，采購SiC外延爐15臺及配套測試儀器等，建設完成1條6英寸SiC外延片批量生產線，實現年產6英寸SiC外延片6萬片的生產能力。   

隨著6英寸低密度缺陷SiC外延片產業化項目落地實施，普興電子6英寸SiC外延片產能將得到較大提升，有助于公司進一步深化第三代半導體外延材料領域布局。

這個8英寸SiC和GaN晶圓廠項目簽約福建

2月20日，在福州市可持續發展暨企業家大會主會場及長樂分會場，長樂區簽約落地16個重大項目，其中之一為天睿半導體項目。

資料顯示，福建天睿半導體有限公司成立于2023年2月，注冊資本50億人民幣，經營范圍含電子元器件制造、批發，電力電子元器件銷售；電子元器件與機電組件設備制造、銷售等。

據悉，天睿半導體項目將新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠，并通過產業并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關設備生產等全產業鏈。項目落地后將為福州帶來先進的SiC、GaN等領域生產研發經驗，打造千億級第三代半導體產業集群。

值得一提的是，福州近日還新簽約兩個GaN項目，總投資額超10億元。其中之一為芯睿半導體GaN晶圓廠項目，由福建芯睿半導體有限公司建設。芯睿半導體成立于2023年12月，注冊資本50億人民幣，經營范圍含電子元器件批發、電力電子元器件銷售、電子元器件與機電組件設備銷售、電子元器件與機電組件設備制造、電子元器件制造等。

另外一個項目為福州鎵谷GaN外延片項目，由福州鎵谷半導體有限公司建設，主營第三代半導體的研發與生產，預計投入10億元，用地86畝，達產后年產能24萬片。鎵谷半導體成立于2022年7月，致力于第三代半導體材料GaN外延的研發與生產，產品包括硅基氮化鎵（GaN on Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、藍寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire），主要應用于電力電子及功率器件。