3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F場一片繁忙熱鬧，據悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業鏈格外亮眼，據全球半導體觀察不完全統計，共有近70家相關企業帶來了一眾新品與最新技術，龍頭企業頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業，設備端則如晶盛機電、中微公司
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近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協議，將其大部分資產出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術開發高壓功率開關元件和系統，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發和生產工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
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自2018年10月25日，Anker發布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關產品。當前，GaN消費電子產品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領域應用現狀，相關企業開始尋求新的增量市場，GaN技術應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數據中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領域持續釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統越來越多。而與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的
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受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產業正處于高速成長期。據TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關注的碳化硅市場又有了新動態，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業。三菱電機SiC工廠預計4月開建據日經新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
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近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億?？偼顿Y32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用據濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產基地在深圳寶安區啟用，其由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營，將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產業鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產業發展“第三極”。濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設，2022年11月關鍵生產區域廠房結構封頂，2023年6月襯底產線
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據云塔科技官微消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據悉，該項目是由中國科學技術大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯合攻關。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質集成射頻微系統
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1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車和工業市場增長的
推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業績都超預期。
其中，第一季度由先進駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基
礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第
二季度汽車業務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創
歷史新高，第三季度汽車和工業終端市場都實現創紀錄
收入。安森美大中華區銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚
焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
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中國北京2023年12月20日?– “2023 行家極光獎”頒獎典禮于 12 月 14 日在深圳隆重舉行，數百家 SiC&GaN 企業代表出席了本次活動，共同見證了第三代半導體產業的風采。業內領先的測試與測量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號示波器榮獲年度優秀產品獎。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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據韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導體專家。業內人士透露，東部高科聘請了安森美半導體前技術開發高級總監Ali Salih，并讓他負責氮化鎵（GaN）工藝開發。Salih是一位功率半導體工藝開發人員，擁有約20年的行業經驗，曾在電氣與電子工程師學會 (IEEE) 上發表過有關功率半導體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業務的技術開發和商業化。這項任命旨在加強第三代功率半導體業務的技術開發和商業化。功率半導體業務目前占東部高科
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正齊半導體杭州項目將在開發區投資建設第三代半導體模塊工廠，項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導體年產6萬顆高階功率模塊研發生產項目正式落地蕭山經濟技術開發區。正齊半導體杭州項目將在開發區投資建設第三代半導體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣，規劃建設10條智能化模塊封裝生產與組裝線，滿足車規級與航天級的模塊生產線要求，每年將生產6萬顆高端航天及車規級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產品。該工廠將采用與合作廠商共同研制的驅動
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香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發中心。大半導體產業網消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過110億港元，并創造超過700個本地和
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L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創新型THD優化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V
高壓啟動功能，無需使用傳統的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
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過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
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STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
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“現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周
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