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          晶盛機電披露碳化硅進展

          作者: 時間:2024-03-08 來源:全球半導體觀察 收藏

          近日,在接受機構調(diào)研時表示,目前公司已基本實現(xiàn)8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售,6英寸外延設備實現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長,成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式外延生長設備,實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸外延工藝。同時公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸,開發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/456151.htm

          自2017年開始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局,聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務。公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領先水平,2023年11月公司正式啟動了“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片”項目,目前已實現(xiàn)批量生產(chǎn)與銷售。

          于2023年推出了6英寸雙片式碳化硅外延設備、8英寸碳化硅外延設備,外延的厚度均勻性、摻雜均勻性達到行業(yè)領先水平。

          其中6英寸雙片式碳化硅外延設備在外延產(chǎn)能、運營成本等方面已取得國際領先優(yōu)勢,與單片設備相比,雙片設備單臺產(chǎn)能增加70%,單片運營成本降幅可達30%以上,助力客戶創(chuàng)造極大價值。

          8英寸碳化硅外延設備可兼容6、8寸碳化硅外延生產(chǎn),解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題,外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi),達到行業(yè)領先水平。




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