臺(tái)積電先進(jìn)制程／封裝擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)，全臺(tái)北中南大規(guī)模建廠

臺(tái)積電不只海外擴(kuò)產(chǎn)，中國(guó)臺(tái)灣也持續(xù)進(jìn)行，董事長(zhǎng)劉德音承諾，中國(guó)臺(tái)灣投資持續(xù)進(jìn)行，目前市場(chǎng)消息，除了2納米廠及先進(jìn)封裝廠，接下來(lái)更先進(jìn)1納米也將興建八至十座工廠，因應(yīng)市場(chǎng)需求。

2納米廠部分，因高性能計(jì)算與智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，原規(guī)劃兩座2納米廠的高雄將再增一座，三座2納米廠量產(chǎn)后，高雄將成為臺(tái)積電2納米重要基地。最早規(guī)劃2納米廠的新竹寶山，四座廠依市場(chǎng)需求再規(guī)劃2納米，加上近期通過(guò)都審，6月?lián)芙o臺(tái)積電用地中科也有2納米廠，屆時(shí)2納米將全面爆發(fā)，滿足市場(chǎng)需求。

2納米N2制程采納米片（Nanosheet）電晶體結(jié)構(gòu)，2025年量產(chǎn)后密度和能源效率都是業(yè)界最先進(jìn)技術(shù)。N2制程進(jìn)度順利，設(shè)備效能和良率皆照計(jì)劃或優(yōu)于預(yù)期，N2制程如期2025年量產(chǎn)，量產(chǎn)曲線與N3相似。

更先進(jìn)1納米方面，英特爾公布繼“四年五節(jié)點(diǎn)”后，推進(jìn)到1納米等級(jí)Intel14A，臺(tái)積電也將開(kāi)始布局，以維持優(yōu)勢(shì)。市場(chǎng)消息指出，臺(tái)積電將興建八至十座1納米廠，以因應(yīng)將來(lái)需求。

最后，人工智能（AI）部分，因關(guān)鍵在先進(jìn)封裝CoWoS產(chǎn)能，先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足，劉德音強(qiáng)調(diào)一年半內(nèi)解決，臺(tái)積電正在興建竹南先進(jìn)封裝二、三廠，中科與嘉義先進(jìn)封裝廠也積極準(zhǔn)備，還有南科18廠P9用地也在整理，CoWoS產(chǎn)能將從2023年底3萬(wàn)至3.4萬(wàn)片提升到2025年4.4萬(wàn)至4.6萬(wàn)片。