英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統
英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比, 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/456279.htmCoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2) 技術繼續發揮碳化硅的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。這為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。與前幾代產品相比,采用CoolSiC? G2 的電動汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗,并且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率?;贑oolSiC? G2器件的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續航里程。在可再生能源領域,采用 CoolSiC? G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸,從而降低每瓦成本。
CoolSiC 650v-1200v
英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter Wawer 博士表示:“目前的大趨勢是采用高效的新方式來產生、傳輸和消耗能量。英飛凌憑借 CoolSiC? MOSFET G2 將碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技術使廠商能夠更快地設計出成本更低、結構更緊湊、性能更可靠,且效率更高的系統,在實現節能的同時減少現場的每瓦二氧化碳排放。這充分體現了英飛凌堅持不懈持續推動工業、消費、汽車領域的低碳化和數字化的創新?!?/p>
英飛凌開創性的CoolSiC? MOSFET溝槽柵技術推動了高性能CoolSiC? G2解決方案的發展,實現了更加優化的設計選擇,與目前的SiC MOSFET技術相比,具有更高的效率和可靠性。結合屢獲殊榮的.XT封裝技術,英飛凌以更高的導熱性、更優的封裝控制以及更出色的性能,進一步提升了基于 CoolSiC? G2 的設計潛力。
英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵(GaN)領域的所有的關鍵功率技術,可提供靈活的設計和領先的應用知識,滿足現代設計的期待和需求。在推動低碳化的過程中,基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料的創新半導體已成為能源高效利用的關鍵。
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