英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導體器件得益于其較低的開關損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動汽車充電應用。

CoolSiC? MOSFET 2000 V產品系列適用于最高1500 VDC 的高直流母線系統。與 1700 V SiC MOSFET相比，這些器件還能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC? MOSFET的基準柵極閾值電壓為4.5 V，并且配備了堅固的體二極管來實現硬換向。憑借.XT 連接技術，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。

采用TO247-4-4封裝的2000 V CoolSiC? MOSFET

除了2000 V CoolSiC? MOSFET之外，英飛凌很快還將推出配套的CoolSiC?二極管：首先將于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引腳封裝的 2000 V 二極管產品組合，隨后將于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封裝的 2000 V CoolSiC?二極管產品組合。這些二極管非常適合太陽能應用。此外，英飛凌還提供與之匹配的柵極驅動器產品組合。

供貨情況

CoolSiC? MOSFET 2000 V產品系列現已上市。另外，英飛凌還提供相應的評估板EVAL-COOLSIC?-2KVHCC。開發者可以將該評估板作為一個精確的通用測試平臺，通過雙脈沖或連續PWM操作來評估所有CoolSiC? MOSFET 和2000 V二極管以及 EiceDRIVER? 緊湊型單通道隔離柵極驅動器1ED31xx 產品系列。