全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。

近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。

三菱電機SiC工廠預(yù)計4月開建

據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設(shè)新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。

2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個8英寸SiC工廠，并加強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。該廠房計劃于2026年4月投入運營。

據(jù)了解，該新工廠共有六層，總建筑面積約4.2萬平方米，將主要負(fù)責(zé)8英寸SiC晶圓的前端工藝。三菱電機將在全工序段引入自動輸送系統(tǒng)，打造生產(chǎn)效率高的生產(chǎn)線，并計劃逐步提高產(chǎn)能，目標(biāo)在2026財年將SiC產(chǎn)能提升5倍（與2022財年相比）。

2023年5月，三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機新工廠供應(yīng)8英寸n型4HSiC襯底，雙方共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。

芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡

近日，據(jù)芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹，目前整個工廠正在擴產(chǎn)爬坡，預(yù)計今年年底實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片6英寸車規(guī)級SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預(yù)留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁，建成后將具備年產(chǎn)24萬片8英寸車規(guī)級SiC芯片的能力。

據(jù)此前消息，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，二期建設(shè)年產(chǎn)24萬片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

2022年11月，該項目無塵車間正式啟用，目前已經(jīng)實現(xiàn)月產(chǎn)1萬片產(chǎn)能，車規(guī)級和工控級芯片成功流片并送樣，即將完成車規(guī)認(rèn)證。截至目前，芯粵能已與40多家客戶簽約流片，覆蓋全國大部分SiC芯片設(shè)計企業(yè)。

美爾森加碼SiC襯底項目

3月12日，歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應(yīng)商美爾森宣布，公司獲得法國政府投資，將用于SiC襯底項目的產(chǎn)能擴充。該筆補貼金額或?qū)⒊^1200萬歐元（約合人民幣0.94億），來自于“法國2023計劃”——微電子和通信技術(shù)歐洲重要聯(lián)合利益項目。

美爾森表示，他們計劃借此推進(jìn)p-SiC襯底的研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)階段，p-SiC是一種低電阻率多晶SiC襯底，可以與單晶SiC有源層相結(jié)合，有助于SiC器件廠商提高產(chǎn)量和晶體管性能。

美爾森預(yù)計，在2023至2025年將投資8500萬歐元（約合人民幣6.7億），雇傭80至100名員工，推動法國熱訥維耶工廠的產(chǎn)能建設(shè)，并在2027年之前達(dá)到40萬片襯底（150mm）的潛在制造能力。

此外，美爾森將為Soitec公司供應(yīng)碳化硅襯底。2021年11月，美爾森與Soitec達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，憑借各自在基板和材料方面的經(jīng)驗，雙方聯(lián)合開發(fā)的極低電阻率多晶SiC襯底將用于Soitec Smart SiC?技術(shù)設(shè)計的SiC電力電子元件。

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