SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開始向客戶供貨

· 繼HBM3，其擴(kuò)展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段

· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開始向客戶供貨，期待能實(shí)現(xiàn)最高性能的AI

· “將維持用于AI的存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先地位，并鞏固業(yè)務(wù)競爭力”

2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個(gè)月取得的成果。

SK海力士表示，“繼HBM3，公司實(shí)現(xiàn)了全球首次向客戶供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3E的量產(chǎn)，鞏固在用于AI的存儲(chǔ)器市場上的競爭優(yōu)勢?！?/p>

為了實(shí)現(xiàn)一個(gè)需要快速處理大量數(shù)據(jù)的AI系統(tǒng)，芯片封裝必須以多重連接（Multi-connection）多個(gè)人工智能處理器和存儲(chǔ)器的方式進(jìn)行構(gòu)建。因此，近期對(duì)AI擴(kuò)大投資的全球大型科技公司持續(xù)提高對(duì)AI芯片性能的要求。SK海力士堅(jiān)信，HBM3E將成為可滿足這些要求的現(xiàn)有最佳產(chǎn)品。

HBM3E不僅滿足了用于AI的存儲(chǔ)器必備的速度規(guī)格，也在散熱等所有方面都達(dá)到了全球最高水平。此產(chǎn)品在速度方面，最高每秒可以處理1.18TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)，其相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級(jí)電影。

而且，由于用于AI的存儲(chǔ)器必須以極快的速度操作，因此關(guān)鍵在于有效的散熱性能。為此，公司在新產(chǎn)品上適用Advanced MR-MUF**技術(shù)，散熱性能與前一代相比提升了10%。

SK海力士HBM業(yè)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長柳成洙表示，“公司通過全球首次HBM3E投入量產(chǎn)，進(jìn)一步強(qiáng)化了領(lǐng)先用于AI的存儲(chǔ)器業(yè)界的產(chǎn)品線”，還表示，“以至今積累的HBM業(yè)務(wù)成功經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，將進(jìn)一步夯實(shí)與客戶的關(guān)系，并鞏固‘全方位人工智能存儲(chǔ)器供應(yīng)商’的地位?！?/p>

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直連接多個(gè)DRAM，與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。 HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本

** MR-MUF：將半導(dǎo)體芯片堆疊后，為了保護(hù)芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料，并進(jìn)行固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個(gè)芯片時(shí)鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。