SiC是如何「拯救」降價車企的？

進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。

有觀點認為，車市降價是由于新技術帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業加入價格戰的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？

降價風波始末

2 月 19 日，可以說是一切的開始。

降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的榮耀版新車型。以新車之名，行降價之實。2 月 9 日當天比亞迪宣布，旗下兩款插混車型秦 PLUS 榮耀版和驅逐艦 05 榮耀版上市，起售價為 7.98 萬元，相較于上一版本冠軍版車型，兩款新版本車型價格均下降了 2 萬元。其中，秦 PLUS DM-i 榮耀版售價區間為 7.98 萬元-12.58 萬元；秦 PLUS EV 榮耀版售價區間為 10.98 萬元-13.98 萬元。

同日，五菱星光宣布降價，五菱星光 150km 進階版插混轎車降至 9.98 萬元，較原價 10.58 萬元降低 6000 元，和比亞迪驅逐艦 05 120km 版本價格基本一致。

19 日下午，據哪吒汽車官方消息，對其多款主力車型實施全系降價策略。其中，哪吒 X 全系降價 22000 元，哪吒 AYA 全系降價 8000 元，哪吒 S 全系降價 5000 元。此外，哪吒汽車還推出了保值換購政策，即日起至 2024 年 3 月 31 日，購買哪吒 S 和哪吒 GT 車型的消費者將享有在購車后 2 年內以開票價 7 折的價格換購哪吒汽車全系新車的權益。

同樣在 2 月 19 日，長安啟源加入價格戰，宣布 A05 起售價 7.89 萬元起，與原指導價 8.99 萬元相比，降價幅度達 1.1 萬元，并打出了「電比油低」的口號。長安啟源 A05 限時促銷的主要原因是給用戶提供更具優惠的價格，讓利用戶，讓用戶以低于油車的價格享受新能源產品帶來的價值。2 月 20 日，長安第二代 X5 PLUS、X7 PLUS 正式上市。長安對新車推出限時優惠政策，2 月 19 日至 2 月 29 日，享現金最高直降 1.8 萬元、1.5 萬元，X5 PLUS、X7 PLUS 優惠后起售價分別為 7.39 萬元起、8.39 萬元起。

3 月以來，廣汽集團兩大品牌埃安和傳祺接踵官宣推新、降價。

3 月 6 日，廣汽傳祺宣布其 M6Pro 車型與 GS3 車型均大幅降價。前者售價直降 2 萬元，現價 9.98 萬元起，將價格拉進 10 萬元大關。而后者則降價 1.6 萬元，價格更是低至不到 7 萬元，降價幅度接近兩成。

車企希望通過降價來清理庫存，加快產品更新換代的速度。一些庫存較高的車型，通過降價銷售可以快速回籠資金，為新產品的研發和生產提供更多的資金支持。

降價真的可以「輸血」嗎？

短期來看，降價是會一定程度的帶動銷量。優質的產品需要優質的保障，而不是僅僅靠著低價格來吸引消費者，劣幣驅逐良幣的行為在汽車市場會越來越難。長期來看，國企的競爭力在逐漸被拉大，產品的創新、技術的更新、銷售的布局、影響力的發展等，都受到來自民營企業和新勢力造車的挑戰。

燃油車和新能源競相博弈，消費者的選擇多數也是二選一，各廠降價角力競逐在所難免，燃油車的促銷短期內解決了庫存和周轉資金，但長期來看影響了品牌和售后，而新能源在這波打壓下價格和客戶明顯會受挫，長期虧損帶來的戰略影響至關重要，首先是活下去，跟重要的是活得久一點，降價顯然不能解決根本問題。

SiC 在這種情況下，更受關注。

SiC 為什么能帶來希望？

功率器件作為汽車電動化的重要增量器件，近年來受益下游市場景氣快速增長，其中，IGBT 與 SiC 分別作為第二代、第三代功率器件的代表，兩者的上車之爭從未停歇，相比 IGBT，SiC 在寬禁帶、擊穿電場、熱導率以及工作溫度等方面擁有明顯優勢，取代 IGBT 似乎正成為新趨勢，部分有實力的主機廠已在同時布局 IGBT 與 SiC 車型。業內人士表示，現在 SiC 吃掉大部分車規 IGBT 模塊份額，市場增量巨大。

SiC 為第三代半導體代表之一，在寬禁帶、擊穿電場、熱導率以及工作溫度等 4 大關鍵指標上較 Si 基材料具有明顯優勢，英飛凌認為，SiC 的禁帶比 Si 大 3 倍，可轉化為 10 倍的擊穿電場；熱導率也是 Si 的 3 倍，支持 200℃高溫工作，而 Si 為 150℃，SiC 更適于在車載等惡劣環境下工作，因此，SiC 被認為是功率器件中 Si 的極佳替代材料。與 IGBT 相比，SiC 器件體積可縮小到 IGBT 的 1/3 以上，重量也可減少 40% 以上，且不同工況下 SiC 功耗降幅達 60% 以上。業內人士認為，IGBT 換成 SiC 可以提高 3-8% 的逆變器效率，未來 SiC 將會替代 IGBT，這是發展趨勢。

目前，已經有多家車企實現了 SiC 主驅成本的優化，例如：日產新一代 SiC 電驅系統成本降低 30%、特斯拉主驅的 SiC 減少了 75%、小鵬全新電驅的碳化硅成本減少 50% 等等。上游襯底、芯片產能和良率不斷提升，SiC 模塊具備一定的降價空間。

全球 SiC 從 6 英寸往 8 英寸發展，有望帶動芯片單價下降。正如硅片晶圓從 8 英寸往 12 英寸發展，目前 SiC 晶圓也正在從 6 英寸往 8 英寸發展。更大的晶圓 尺寸可以帶來單片芯片數量的提升、提高產出率，以及降低邊緣芯片的比例，從 而提升晶圓利用率。例如，Wolfspeed 統計，6 英寸 SiC 晶圓中邊緣芯片占比有 14%，而到 8 英寸中占比降低到 7%。隨著全球 SiC 晶圓的尺寸擴大，預計將帶 動 SiC 芯片單價降低，從而打開應用市場。

SiC 襯底售價隨著出貨量提升而逐步下行。2021 年，天岳先進的平均銷售價格為 6767 元/片，較 2020 年同比下降 25%?？紤]到目前國產 6 英寸襯底還未大 批量生產，所以預計還會有降價空間。另一方面，半絕緣型 SiC 襯底由于市場供 應商較少，且下游有部分軍事裝備應用，所以目前售價較高。當前 SiC 襯底售價 較高是良率水平低、晶圓尺寸小、自動化程度低等多因素導致的。隨著各廠商提 升工藝、往更大尺寸 SiC 晶圓發展，預計 SiC 襯底售價將逐步下行。

因為 SiC 成本下降依賴于尺寸增加、可用厚度增加和缺陷密度下降。伴隨大直徑襯底占比不斷提高，襯底單位面積生長成本下降。單晶可用厚度在不斷增加。以直徑 100mm 單晶為例，2015 年前大部分單晶廠商制備單晶平均可用厚度在 15mm 左右，2017 年底已經達到 20mm 左右。

伴隨襯底結晶缺陷密度下降的同時，工藝復雜程度增加。在大部分襯底提供商完成低缺陷密度單晶生長工藝及厚單晶生長工藝研發后，襯底單位面積價格會迎來相對快速的降低。

可以通過新技術，降低電驅的 SiC 芯片用量和成本

SiC 電力電子器件價格進一步下降，與同類型 Si 器件價差縮小。根據 CASA，Mouser，從公開報價來看，2020 年底 650V SiC SBD 均價為 1.58 元/A，同比下降 13.2%，與 Si 器件的價差約 3.8 倍；1200V SiC SBD 均價為 3.83 元/A，同比下降 8.6%，與 Si 器件的差距約 4.5 倍。根據 CASA 調研，實際成交價低于公開報價，650V SiC SBD 實際成交價格約 0.7 元/A，1200V SiC SBD 價格約 1.2 元/A，約為公開報價的 60%-70%，同比則下降了 20%-30%，實際成交價與 Si 器件價差已經縮小至 2-2.5 倍之間，已經達到了甜蜜點。

根據這個趨勢，未來 SiC 的價格會再次下降。

有市場消息稱，國內主流 6 寸碳化硅 (SiC) 襯底報價參照國際市場每片 750-800 美元的價格，快速下殺，價格跌幅直逼三成。甚至有供應鏈從業者表示，由于國內 SiC 長晶、襯底參與者眾多，在一線廠率先掀起降價模式的情況下，恐將迫使二、三線廠商被動跟進，碳化硅襯底價格戰開啟。

對于一線 SiC 廠商掀起「價格戰」、SiC 襯底降價近三成等說法，業內持有不同觀點。著國內各大廠商 SiC 產能的提升，SiC 襯底的價格一直處于緩慢下行區間，平均每年的降速在 5%-10% 上下。比如，現階段，國產 6 寸 SiC 襯底在 4000 元/片-5000 元/片左右，預計到 2025 年價格將進一步下降，有望降至 4000 元/片。

惡意降價并不符合當下行業發展規律。對于碳化硅行業新進入者來說，現階段制約行業發展的因素有兩方面，一個是產能跟不上；另一個是良率無法提升，這也導致中小廠商在面對頭部大廠商競爭時，通過降價的方式，換取市場份額；相反，對于已經接入英飛凌、博世等全球大客戶的碳化硅頭部碳化硅上游廠商來說，穩定的產品性能以及批量供應能力，才是立足市場的根本，而并非通過降價的手段，「出清」市場跟隨者。

隨著技術的進步，成本下降，SiC 襯底的應用會越來越廣泛，有利于促進下游應用端的快速發展。當 SiC 襯底產能提升后，大幅降價是有可能的。