日月光小芯片互連對準AI
日月光投控21日宣布VIPack平臺先進互連技術的最新進展,透過微凸塊 (microbump) 技術將芯片與晶圓互連間距的制程能力由40um(微米)提升到20um,滿足AI應用于多樣化小芯片(chiplet)整合需求。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/456792.htm日月光先前指出,今年先進封裝相關營收可望較去年翻倍成長,市場法人更看好,日月光在先進封裝技術持續(xù)推進,有利未來幾年在先進封裝營收比重快速拉升。
日月光搶布先進封裝,該公司表示,AI相關高階先進封裝將從現(xiàn)有客戶收入翻倍,今年日月光在先進封裝與測試營收占比上更高。
市場法人估計,日月光今年相關營收增加可望達2.5億美元以上,成長動能將持續(xù),除了受惠高階先進封裝,日月光也將受惠主流封裝因應AI生態(tài)系統(tǒng)成長的半導體芯片需求。
日月光強調(diào),這種先進互連解決方案,對于在新一代的垂直整合,例如日月光 VIPack平臺2.5D和3D封裝與2D并排解決方案中實現(xiàn)創(chuàng)造力和微縮至關重要。
日月光也指出,隨著小芯片設計方法加速進化,該公司先進互連技術使設計人員能夠有創(chuàng)新的高密度小芯片整合選項,微凸塊技術使用新型金屬迭層 (metallurgical stack),將間距從40um減少到20um。
微凸塊技術進步擴展現(xiàn)有的硅與硅互連能力,此技術更有助于促進其他開發(fā)活動,從而進一步縮小間距。
日月光補充,當針對系統(tǒng)單芯片(SoC)進行小芯片或IP區(qū)塊解構(disaggregation)時,區(qū)塊間可能存在大量連接,小尺寸IP區(qū)塊往往會導致許多空間受限的連接,微間距互連技術可以實現(xiàn)3D整合及更高密度的高IO內(nèi)存(high IO memory)。
AI快速增長,日月光提供先進互連創(chuàng)新技術,滿足復雜芯片設計及系統(tǒng)架構要求,降低制造成本并加快上市時間。芯片級互連技術的擴展為小芯片開辟更多應用,不僅針對AI等高階應用,也擴及手機應用處理器(mobile AP)以及微控制器等其他關鍵產(chǎn)品。
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