2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。

2024年HBM需求位元年成長率接近200%，2025年將再翻倍

吳雅婷指出，今年第二季已開始針對2025年HBM進行議價，不過受限于DRAM總產(chǎn)能有限，為避免產(chǎn)能排擠效應(yīng)，供應(yīng)商已經(jīng)初步調(diào)漲5~10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。而供應(yīng)商議價時間提早于第二季發(fā)生有三大原因，其一，HBM買方對于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受價格續(xù)漲。

其二，HBM3e的TSV良率目前僅約40~60%，仍有待提升，加上并非三大原廠都已經(jīng)通過HBM3e的客戶驗證，故HBM買方也愿意接受漲價，以鎖定質(zhì)量穩(wěn)定的貨源。其三，未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應(yīng)商的可靠度，以及供應(yīng)能力產(chǎn)生價差，對于供應(yīng)商而言，未來平均銷售單價將會因此出現(xiàn)差異，并進一步影響獲利。

展望2025年，由主要AI解決方案供應(yīng)商的角度來看，HBM規(guī)格需求大幅轉(zhuǎn)向HBM3e，且將會有更多12hi的產(chǎn)品出現(xiàn)，帶動單芯片搭載HBM的容量提升。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2024年的HBM需求位元年成長率近200%，2025年可望將再翻倍。