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          三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)

          作者: 時(shí)間:2024-05-15 來(lái)源:科技新報(bào) 收藏

          電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。高層曾預(yù)期,V-在2030年疊加千層以上。最新消息指出,考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/458743.htm

          目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-快閃存儲(chǔ)器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。

          最新消息是,KAIST的研究人員探索了一種新的解決方案——利用鉿鐵電體的鐵電特性來(lái)開(kāi)發(fā)更小、更高效的電容器和存儲(chǔ)設(shè)備,有助于三星實(shí)現(xiàn)千層NAND技術(shù),使PB級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)目標(biāo)不遠(yuǎn)。

          盡管三星并沒(méi)有直接參與研發(fā),但市場(chǎng)消息稱與其有直接關(guān)系,雖然還不能確定Hafnia Ferroelectrics是否會(huì)導(dǎo)致PB級(jí)存儲(chǔ)器設(shè)備誕生,但可能發(fā)揮主導(dǎo)作用,最終達(dá)到里程碑。




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